光电二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种光电二极管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底一侧通过外延生长形成一种或多种掺杂类型的外延层，其中包括至少一层N型外延层；在所述外延层的上部通过离子注入形成N型注入区域，所述N型注入区域与其下方的所述N型外延层共同构成N型载流子收集区域；在所述N型载流子收集区域的外围形成P型隔离区域，从而形成光电二极管。本发明专利技术通过N型外延层和N型注入区域共同构成光电二极管的N型载流子收集区域，位于上部的N型注入区域可以与转移晶体管更好地配合以实现载流子的转移传输，位于下部的N型外延层具有更好的掺杂质量和更少的缺陷，解决了图像白点问题，改善了成像质量，并且工艺简单可行，效率高，产能高。产能高。产能高。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及图像传感器领域，具体涉及一种光电二极管及其制造方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器作为将光信号转化为数字电信号的器件单元，广泛应用于智能手机、平板电脑、汽车、医疗等各类新兴领域。典型的图像传感器通过像素阵列将入射光子转换成电子或空穴，当一个积分周期完成，收集的电荷通过模拟电路和数字电路转换成数字信号，传输到传感器的输出终端。
[0003]目前的图像传感器的像素阵列中，每个像素单元包括至少一个光电二级管（PD, Photodiode），通常采用多重离子注入方式来形成光电二极管的多个掺杂区域，例如，在图1
‑
图3所示的现有技术光电二极管制造方法过程中，在半导体衬底100的P型外延层101中分别通过离子注入形成N型载流子收集区域102和P型隔离区域103，从而形成光电二极管。
[0004]随着图像传感器像素尺寸不断下降，单个像素单元的面积显著降低。为了让每个像素单元继续提供与原来大尺寸像素单元类似的性能（特别是满阱容量），光电二极管的深度随之提升，N型载流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底一侧通过外延生长形成一种或多种掺杂类型的外延层，其中包括至少一层N型外延层；在所述外延层的上部通过离子注入形成N型注入区域，所述N型注入区域与其下方的所述N型外延层共同构成N型载流子收集区域；在所述N型载流子收集区域的外围形成P型隔离区域，从而形成光电二极管。2.如权利要求1所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述N型载流子收集区域中N型外延层的深度占N型载流子收集区域总深度的三分之一以上。3.如权利要求1所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，通过离子注入形成P型隔离区域。4.如权利要求1所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述形成N型注入区域的一侧为用于制作转移晶体管的一侧。5.如权利要求1所述的光电二极管的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，李继刚，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：