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本发明提供一种光电二极管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底一侧通过外延生长形成一种或多种掺杂类型的外延层，其中包括至少一层N型外延层；在所述外延层的上部通过离子注入形成N型注入区域，所述N型注入区域与其下方的所述N型外延层共同构成N型载...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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