一种硼-氮化合物及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种硼

【技术实现步骤摘要】
一种硼
‑
氮化合物及其应用


[0001]本专利技术属于电致发光
，具体涉及一种硼
‑
氮化合物和有机电致发光元件、有机电致发光材料。

技术介绍

[0002]传统的荧光材料由于受到自旋量子统计规律的限制，在电致发光过程中仅能利用占全部激子数目25％的单线态激子，其余75％的三线态激子通过非辐射跃迁的方式失活，器件内量子效率的理论极限值为25％。为了提高激子利用率，需要将三线态激子转化为光子，实现100％的内量子效率。磷光金属配合物利用重金属原子的旋轨耦合作用可以将三线态激子转化为光子，但这一途径面临磷光金属配合物价格昂贵的问题。另一利用三线态激子的途径是发展具有热活化延迟荧光(TADF)性质的发光材料，利用热活化的反向系间窜越(RISC)过程将三线态激发态转移至单线态激发态发出荧光，从而实现对单线态和三线态激子的充分利用。具有TADF性质的分子一般须满足两方面条件：较小的单线态
‑
三线态能级差(ΔE
ST
)和较高的荧光量子效率(PLQY)。一方面，较小的ΔE
ST
有利于发生热活化的反向系间窜越过程，从而有利于提高三线态激子的利用效率；另一方面，材料须具有较高的PLQY，从而促进单线态激子以光的形式衰减，提高器件效率。
[0003]目前发展TADF分子的主要途径是引入给体(D)和受体(A)基团，使得最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)在空间上有效分离，从而实现小的ΔE
ST
。但是这种D/>‑
A结构由于其激发态的振动弛豫而表现出较大的Stokes位移，且发光光谱较宽，半峰宽(FWHM)一般在70nm～100nm，在实际应用中往往需要采用滤波片或者构造光学微腔来提高色纯度，但这样会导致器件的外量子效率降低或器件结构变得复杂。
[0004]因此如何通过合适的化学结构设计，开发出既具有TADF效应、又具有窄光谱特性的荧光材料，解决上述材料面临的半峰宽较宽的缺陷，已成为领域内诸多具有前瞻性的研究人员亟待解决的问题之一。
[0005]鉴于以上原因，提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术存在的以上问题，本专利技术提供了一种硼
‑
氮化合物和有机电致发光元件、有机电致发光材料，本专利技术所述的硼
‑
氮化合物作为发光材料时，其发深蓝色至蓝色的光，且发光效率高。
[0007]本专利技术的第一目的，提供了一种硼
‑
氮化合物。
[0008]本专利技术的第二目的，提高了一种有机电致发光元件。
[0009]本专利技术的第三目的，提供了一种有机电致发光材料。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0011]一种硼
‑
氮化合物，所述硼
‑
氮化合物的结构通式如式I所示：
[0012][0013]其中：环A、环B各自独立地选自取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳胺基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基组成的群组；环C为五元杂环或六元碳环；
[0014]X表示C或N；
[0015]相邻的两个W代表下式(1)或式(2)的基团；
[0016][0017]G1选自CR2R3、SiR2R3、NR4、O或S，Z在每次出现时相同或不同地代表CR5或N，并且^指示式I中相邻的两个W；
[0018]R1～R5彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C3～C
30
环烷基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷氧基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳氧基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基硫基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基硫基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基胺基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基胺基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基甲硅烷基、硝基、氰基或氟原子组成的群组；
[0019]Ar1、Ar2各自独立地选自经取代或未经取代的C1～C
30
烷基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C3～C
30
环烷基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳氧基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基硫基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基胺基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基甲硅烷基组成的群组。
[0020]进一步的，所述硼
‑
氮化合物选自以下结构中的任意一种：
[0021][0022][0023]其中，G2、G3各自独立地选自O、S、NR6、SiR7R8、BR6或者没有G2或G3；
[0024]R、R6、R7、R8在每次出现时，各自独立地选自由氢、氘、氟、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C3～C
30
环烷基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷氧基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳氧基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基硫基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基硫基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基胺基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基胺基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基甲硅烷基、氰基组成的群组；
[0025]R、R5分别为一个或多个至饱和取代，相邻的两个或多个R或R5可任意的接合或稠合形成取代或未取代的环。
[0026]进一步的，所述R1为氢。
[0027]进一步的，所述G1选自O、S或NR4。
[0028]进一步的，所述G2、G3各自独立地选自O、S或NR6。
[0029]进一步的，没有所述的G2。
[0030]进一步的，没有所述的G3。
[0031]本专利技术意义上的芳基含有6～50个碳原子，在本专利技术意义上的杂芳基含有2～50个碳原子和至少一个杂原子，其条件是碳原子和杂原子的总和至少是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼
‑
氮化合物，其特征在于，所述的硼
‑
氮化合物结构通式如式I所示：其中：环A、环B各自独立地选自取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳胺基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基组成的群组；环C为五元杂环或六元碳环；X表示C或N；相邻的两个W代表下式(1)或式(2)的基团；G1选自CR2R3、SiR2R3、NR4、O或S，Z在每次出现时相同或不同地代表CR5或N，并且^指示式I中相邻的两个W；R1～R5彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C3～C
30
环烷基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷氧基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳氧基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基硫基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基硫基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基胺基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基胺基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基甲硅烷基、硝基、氰基或氟原子组成的群组；Ar1、Ar2各自独立地选自经取代或未经取代的C1～C
30
烷基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C3～C
30
环烷基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳氧基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基硫基、经取代或未经取代的C5～C
50
芳基胺基、经取代或未经取代的C5～C
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芳基甲硅烷基组成的群组。2.根据权利要求1所述的硼
‑
氮化合物，其特征在于，所述硼
‑
氮化合物选自以下结构中的任意一种：
其中，G2、G3各自独立地选自O、S、NR6、SiR7R8、BR6或者没有G2或G3；R、R6、R7、R8在每次出现时，各自独立地选自由氢、氘、氟、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳基、经取代或未经取代的C3～C
30
环烷基、经取代或未经取代的C2～C
50
杂芳基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷氧基、经取代或未经取代的C6～C
50
芳氧基、经取代或未经取代的C1～C
30
烷基硫基...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建华，戴雄，张九敏，何连贞，唐怡杰，邸庆童，张昊，边坤，
申请(专利权)人：浙江八亿时空先进材料有限公司，
类型：发明
国别省市：