一种半导体制程清洗用保护材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体制程清洗用保护材料及其制备方法，涉及半导体清洗工艺技术领域。其中，一种半导体制程清洗用保护材料，以重量份数计，其原料组分包括：非离子表面活性剂1

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制程清洗用保护材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体清洗工艺
，特别涉及一种半导体制程清洗用保护材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。半导体制程包括许多工序步骤，例如切割、研磨、抛光、倒角等，在不同的加工工序中会产生不同的脏污残留，而这些脏污的存在会造成半导体成品色差明显，影响半导体的品质。在这些工序步骤结束之后都需要进行清洗来消除半导体表面的污染物，进而提高半导体的成品质量。
[0003]传统半导体制备中使用的清洗剂主要由去离子水、过氧化氢、稀氨水、盐酸、氟化氢等物质组成，这些清洗剂主要用于半导体的前端工艺，能进行一些简单的硅基底清洗或是金属离子去除，但是这类清洗剂非常容易对金属表面产生腐蚀，导致半导体表面粗糙，清洗效果不理想，容易出现花状表面，即清洗后的半导体表面会出现残留物斑迹。由此可知，在清洗过程中对半导体进行保护是非常必要的。

技术实现思路

[0004]为解决
技术介绍
提到的传统半导体制备中使用的清洗非常容易对金属表面产生腐蚀，导致半导体表面粗糙，清洗效果不理想，容易出现花状表面，即清洗后的半导体表面会出现残留物斑迹剂的问题，本专利技术提供了一种可与清洗剂配合使用的半导体制程清洗用保护材料，能够保护半导体在清洗过程中减弱清洗剂对半导体表面的腐蚀效果，提高产品良率。
[0005]具体方案为：
[0006]一种半导体制程清洗用保护材料，以重量份数计，其原料组分包括：非离子表面活性剂1
‑
3份、阴离子表明活性剂1
‑
1.5份、醇醚类溶剂12
‑
25份、螯合剂0.2
‑
1份、渗透剂0.1
‑
0.5份、硅酸钾2
‑
3份、水65
‑
83份。
[0007]在实施上述实施例时，优选地，所述非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚。
[0008]在实施上述实施例时，优选地，所述阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠、α
‑
烯烃磺酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、油酸钠、月桂酸钠、椰子油、棕榈酸甲酯磺酸钠和脂肪醇醚羧酸盐中的一种或多种。
[0009]在实施上述实施例时，优选地，所述醇醚类溶剂为丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇甲醚乙酸酯、二丙二醇甲醚乙酸酯中的一种或多种。
[0010]在实施上述实施例时，优选地，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠、氨三乙酸三钠、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甘氨酸中的一种或多种。
[0011]在实施上述实施例时，优选地，所述渗透剂为氨基磺酸钠、丁基萘磺酸钠、顺丁烯
二酸二异辛酯磺酸钠或1,4
‑
二(2
‑
乙基己基)丁二酸酯磺酸钠中的一种或多种。
[0012]在实施上述实施例时，优选地，所述硅酸钾的质量分数为20
‑
28％。
[0013]在实施上述实施例时，优选地，所述水为去离子水。
[0014]另一方面，本专利技术还提供上述的半导体制程清洗用保护材料的制备方法，包括如下步骤：
[0015]步骤一、将阴离子表明活性剂、渗透剂、硅酸钾溶于2/3水中，搅拌均匀，备用；
[0016]步骤二、将非离子表面活性剂、醇醚类溶剂、螯合剂溶于1/3水中，搅拌均匀，备用；
[0017]步骤三、将步骤一和步骤二获得的混合液混合，搅拌均匀，得到半导体制程清洗用保护材料。
[0018]在实施上述实施例时，优选地，步骤一中在60
‑
70℃加热条件下进行。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0020]1、本专利技术的半导体制程清洗用保护材料可以与清洗剂配合使用，现将半导体浸在保护材料中，一定时间后，保护材料会去除半导体表面上大部分脏污，并在半导体表面上形成保护膜，随后往保护材料中添加清洗剂，继续深层清洗，此过程中，保护材料会在清洗后暴露的半导体表面继续形成保护膜，防止清洗剂对半导体表面的腐蚀。
[0021]2、本专利技术的半导体制程清洗用保护材料，其原料组分中添加有非离子表面活性剂具有聚氧乙烯链结构，不受酸、碱和电解质的影响，并具有较强的渗透力，活性剂分子可渗入半导体表面与吸附物之间向深处扩散，将颗粒托起，活性剂分子取而代之吸附在半导体表面上，防止颗粒的再次吸附，它吸附时以非极性碳氢链与固体接触为主，亲水的聚氧乙烯链则大部分伸向水中，形成较厚的保护层，形成粒子相接近的空间障碍，有利于更好的去除颗粒。此外，还添加有硅酸钾的水溶液在清洗过程中对溶液中的污垢和固体微粒具有悬浮、分散和乳化的能力，能防止污垢再沉积到半导体上。通过非离子表面活性剂与硅酸钾的协同配合，在半导体表面形成保护膜，还能有效清除脏污，防止脏污再次吸附。
[0022]3、本专利技术的半导体制程清洗用保护材料，其原料组分中添加有渗透剂，渗透剂对半导体表面上的污染物尤其是粘结蜡具有良好的渗透作用，能使这些污染物在溶液中快速溶胀，结合上述非离子表面活性剂与硅酸钾的协同润湿剥离作用，更利于将脏污从半导体表面上剥离，并且不易回粘。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]实施例和对比例的试剂说明如下：
[0025]非离子表面活性剂：脂肪醇聚氧乙烯醚，AEO
–
9，济南宝力源；
[0026]阴离子表面活性剂：十二烷基硫酸钠，济南宝力源；
[0027]醚醇类溶剂：乙二醇甲醚乙酸酯，山东宇硕化工；
[0028]螯合剂：乙二胺四乙酸二钠，山东兴华化工；
[0029]渗透剂：氨基磺酸钠，山东茂发化工；
[0030]硅酸钾：自制28％硅酸钾；
[0031]水：去离子水。
[0032]需要说明的是，实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行，所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
[0033]实施例1
[0034]一种半导体制程清洗用保护材料，以重量份数计，其原料组分包括：脂肪醇聚氧乙烯醚1份、十二烷基硫酸钠1.5份、乙二醇甲醚乙酸酯25份、乙二胺四乙酸二钠1份、氨基磺酸钠0.5份、硅酸钾3份、去离子水83份。
[0035]上述的保护材料制备方法包括如下步骤：
[0036]步骤一、60℃加热条件下，将十二烷基硫酸钠、氨基磺酸钠、硅酸钾溶于2/3去离子水中，搅拌均匀，备用；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程清洗用保护材料，其特征在于，以重量份数计，其原料组分包括：非离子表面活性剂1
‑
3份、阴离子表明活性剂1
‑
1.5份、醇醚类溶剂12
‑
25份、螯合剂0.2
‑
1份、渗透剂0.1
‑
0.5份、硅酸钾2
‑
3份、水65
‑
83份。2.根据权利要求1所述的半导体制程清洗用保护材料，其特征在于，所述非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚。3.根据权利要求1所述的半导体制程清洗用保护材料，其特征在于，所述阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠、α
‑
烯烃磺酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、油酸钠、月桂酸钠、椰子油、棕榈酸甲酯磺酸钠和脂肪醇醚羧酸盐中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的半导体制程清洗用保护材料，其特征在于，所述醇醚类溶剂为丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇甲醚乙酸酯、二丙二醇甲醚乙酸酯中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的半导体制程清洗用保护材料，其特征在于，所述螯合剂为乙二胺四乙酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴娜娜，邓联文，
申请(专利权)人：昆山汉品电子有限公司，
类型：发明
国别省市：