扇出检测方法技术

本申请提供一种扇出检测方法，获取目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，并根据目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，从而能够准确计算目标电路相对于标准电路的实际扇出，有效获得目标电路的实际扇出。并在目标电路相对于标准电路的实际扇出和标准电路的标准扇出之间的比值未达到目标比值时，调整目标电路中元器件的电阻和/或电容，直至实际扇出和标准扇出的比值达到目标比值，以使目标电路的实际扇出达到目标扇出，从而有效调整目标电路的实际扇出至目标扇出，有效调整目标电路的驱动能力。驱动能力。驱动能力。

【技术实现步骤摘要】
扇出检测方法


[0001]本申请涉及存储器
，尤其涉及一种扇出检测方法。

技术介绍

[0002]扇出是指单个逻辑门驱动的负载量。目前，主要是通过考虑驱动单元和负载单元本身的参数估算扇出，例如，一个反相器(inv)驱动一个相同尺寸的反相器记为扇出1，一个反相器驱动两个相同尺寸的反相器记为扇出2。
[0003]但是，在实际应用中驱动单元和负载单元不同，或者驱动单元和负载单元相同但尺寸不同、驱动单元和负载单元的连接线上的寄生参数等，均会影响扇出结果的准确性，从而无法根据扇出结果有效调整驱动单元的驱动能力。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种扇出检测方法，有效计算目标电路的实际扇出，从而有效调整目标电路的驱动能力。
[0005]第一方面，本申请提供一种扇出检测方法，包括：
[0006]获取目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，所述物理参数包括所述元器件的电阻和电容，所述标准电路具有对应的标准扇出；
[0007]根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出；
[0008]若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中元器件的电阻和/或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到所述目标比值，以使所述目标电路的实际扇出达到目标扇出。
[0009]在一些实施例中，所述标准扇出包括第一标准扇出，所述第一标准扇出对应P型晶体管的扇出，所述元器件包括：P型晶体管和N型晶体管，所述寄生参数包括寄生电容；
[0010]所述根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出，具体包括：
[0011]根据所述目标电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容，计算所述目标电路的第一实际扇出；
[0012]相应地，所述若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到所述目标比值，具体包括：
[0013]若所述第一实际扇出和所述第一标准扇出的比值未达到第一目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述第一实际扇出和所述第一标准扇出的比值
达到所述第一目标比值。
[0014]在一些实施例中，所述标准扇出包括第二标准扇出，所述第二标准扇出对应N型晶体管的扇出，所述元器件包括：P型晶体管和N型晶体管，所述寄生参数包括寄生电容；
[0015]所述根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出，具体包括：
[0016]根据所述目标电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容，计算所述目标电路的第二实际扇出；
[0017]相应地，所述若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到目标比值，具体包括：
[0018]若所述第二实际扇出和所述第二标准扇出的比值未达到第二目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述第二实际扇出和所述第二标准扇出的比值达到所述第二目标比值。
[0019]在一些实施例中，所述根据所述目标电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容，以及计算所述目标电路的第一实际扇出，具体包括：
[0020]计算所述目标电路中P型晶体管的电阻与所述标准电路中P型晶体管的电阻的第一比值；
[0021]将所述目标电路中晶体管的电容与寄生电容相加获得第一电容，将所述标准电路中P型晶体管的电容与N型晶体管的电容相加获得第二电容，计算第一电容和第二电容的第二比值；
[0022]将所述第一比值和所述第二比值的乘积作为所述目标电路的第一实际扇出。
[0023]在一些实施例中，所述根据所述目标电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容，以及计算所述目标电路的第二实际扇出，具体包括：
[0024]计算所述目标电路中N型晶体管的电阻与所述标准电路中N型晶体管的电阻的第三比值；
[0025]将目标电路中晶体管的电容与寄生电容相加获得第一电容，将标准电路中P型晶体管的电容与N型晶体管的电容相加获得第二电容，计算第一电容和第二电容的第二比值；
[0026]将所述第三比值和所述第二比值的乘积作为所述目标电路的第二实际扇出。
[0027]在一些实施例中，所述计算所述目标电路中P型晶体管的电阻与所述标准电路中P型晶体管的电阻的第一比值，具体包括：
[0028]当所述目标电路中的P型晶体管并联时，从所述目标电路的P型晶体管中挑选出阻值最大的P型晶体管作为第一目标P型晶体管；
[0029]计算所述第一目标P型晶体管的电阻与所述标准电路中P型晶体管的电阻的第一比值。
[0030]在一些实施例中，所述计算所述目标电路中N型晶体管的电阻与所述标准电路中N
型晶体管的电阻的第三比值，具体包括：
[0031]当所述目标电路中的N型晶体管串联时，将所述目标电路中的N型晶体管的电阻相加，获得第一电阻；
[0032]计算所述第一电阻与所述标准电路中N型晶体管的电阻的第三比值。
[0033]在一些实施例中，所述将所述目标电路中晶体管的电容与寄生电容相加获得第一电容，具体包括：
[0034]当所述目标电路中的P型晶体管并联，N型晶体管串联时，从所述目标电路的P型晶体管中挑选出电容最大的P型晶体管作为第二目标P型晶体管；
[0035]将所述第二目标P型晶体管与所述目标电路中的N型晶体管的电容，以及寄生电容相加获得第一电容。
[0036]在一些实施例中，所述目标电路包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管和第三N型晶体管；
[0037]所述第一P型晶体管和所述第一N型晶体管的栅极接收第一控制信号，所述第二P型晶体管和所述第二N型晶体管的栅极接收第二控制信号，所述第三P型晶体管和所述第三N型晶体管的栅极接收第三控制信号，所述第一P型晶体管的源极、所述第二P型晶体管的源极和所述第三P型晶体管的源极相互连接至电源电压，所述第一P型晶体管的漏极、所述第二P型晶体管的漏极和所述第三P型晶体管的漏极相互连接，所述第一N型晶体管的漏极连接所述第三P型晶体管的漏极，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出检测方法，其特征在于，包括：获取目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，所述物理参数包括所述元器件的电阻和电容，所述标准电路具有对应的标准扇出；根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出；若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中元器件的电阻和/或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到所述目标比值，以使所述目标电路的实际扇出达到目标扇出。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述元器件包括：P型晶体管和N型晶体管，所述标准扇出包括第一标准扇出，所述第一标准扇出对应所述标准电路中的P型晶体管的扇出，所述寄生参数包括寄生电容；所述根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出，具体包括：根据所述目标电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容，计算所述目标电路的第一实际扇出；相应地，所述若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到所述目标比值，具体包括：若所述第一实际扇出和所述第一标准扇出的比值未达到第一目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述第一实际扇出和所述第一标准扇出的比值达到所述第一目标比值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述元器件包括：P型晶体管和N型晶体管，所述标准扇出包括第二标准扇出，所述第二标准扇出对应所述标准电路中N型晶体管的扇出，所述寄生参数包括寄生电容；所述根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出，具体包括：根据所述目标电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容，计算所述目标电路的第二实际扇出；相应地，所述若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到目标比值，具体包括：若所述第二实际扇出和所述第二标准扇出的比值未达到第二目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和/或电容，直至所述第二实际扇出和所述第二标准扇出的比值达到所述第二目标比值。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中P型晶体管的电阻
和电容、N型晶体管的电容，以及计算所述目标电路的第一实际扇出，具体包括：计算所述目标电路中P型晶体管的电阻与所述标准电路中P型晶体管的电阻的第一比值；将所述目标电路中晶体管的电容与寄生电容相加获得第一电容，将所述标准电路中P型晶体管的电容与N型晶体管的电容相加获得第二电容，计算第一电容和第二电容的第二比值；将所述第一比值和所述第二比值的乘积作为所述目标电路的第一实际扇出。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中N型晶体管的电阻和电容、P型晶体管的电容，以及计算所述目标电路的第二实际扇出，具体包括：计算所述目标电路中N型晶体管的电阻与所述标准电路中N型晶体管的电阻的第三比值；将目标电路中晶体管的电容与寄生电容相加获得第一电容，将标准电路中P型晶体管的电容与N型晶体管的电容相加获得第二电容，计算第一电容和第二电容的第二比值；将所述第三比值和所述第二比值的乘积作为所述目标电路的第二实际扇出。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述计算所述目标电路中P型晶体管的电阻与所述标准电路中P型晶体管的电阻的第一比值，具体包括：当所述目标电路中的P型晶体管并联时，从所述目标电路的P型晶体管中挑选出阻值最大的P型晶体管作为第一目标P型晶体管；计算所述第一目标P型晶体管的电阻与所述标准电路中P型晶体管的电阻的第一比值。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述计算所述目标电路中N型晶体管的电阻与所述标准电路中N型晶体管的电阻的第三比值，具体包括：当所述目标电路中的N型晶体管串联时，将所述目标电路中的N型晶体管的电阻相加，获得第一电阻；计算所述第一电阻与所述标准电路中N型晶体管的电阻的第三比值。8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述目标电路中晶体管的电容与寄生电容相加获得第一电容，具体包括：当所述目标电路中的P型晶体管并联，N型晶体管串联时，从所述目标电路的P型晶体管中挑选出电容最大的P型晶体管作为第二目标P型晶体管；将所述第二目标P型晶体管与所述目标电路中的N型晶体管的电容，以及寄...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨占海，邱安平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：