【技术实现步骤摘要】
一种机械手的控制方法、一种机械手和半导体加工系统
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,具体涉及了一种机械手的控制方法、一种半导体加工系统和一种计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]目前,等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)的机台,利用U型手臂真空机械手无法实现左右手取放片位置分别调整。当反应腔两侧的晶圆托盘的中心距大于或小于机械手的U型手臂的中心距时,晶圆无法分别精确地被放到反应腔两侧的晶圆托盘中心,只能通过调整晶圆托盘中心距的方法,让晶圆落到晶圆托盘中心。这种调节晶圆托盘的方法不好操作,浪费工时。
[0003]而且现有技术中,U型手臂真空机械手的左右手之间的距离是固定且无法调整的。在进行晶圆的放片和/或取片的过程中,无法通过同时调节左手和右手的放/取片位置,来进行左右手的同时放片和/或取片操作。此外,机械手也无法进行左右手的分别放片、取片操作。
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题,本领域亟需一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种机械手的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:控制所述机械手带动其操作端向晶圆托盘移动;获取所述操作端与所述晶圆托盘的位置偏差数据;根据所述位置偏差数据确定纠偏指令,以对所述操作端进行位置纠偏;以及控制所述操作端完成放置晶圆或拾取晶圆的操作。2.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述操作端对应至少一个传感器,所述获取所述操作端与所述晶圆托盘的位置偏差数据的步骤包括:通过所述至少一个传感器,采集所述操作端的初始位置数据;以及根据所述操作端的初始位置数据与所述晶圆托盘的位置数据之间的偏差值,获得两者的位置偏差数据。3.如权利要求2所述的控制方法,其特征在于,所述根据所述位置偏差数据确定纠偏指令,以对所述操作端进行位置纠偏的步骤包括:判断所述位置偏差数据与预设位置偏差数据的大小;根据两者的位置判断值,确定所述操作端的位置偏差补偿值,以获得所述操作端对应的位置纠偏数据,其中,所述位置纠偏数据至少包括所述位置偏差数据与所述位置偏差补偿值之和。4.如权利要求2所述的控制方法,其特征在于,所述机械手包括多个所述操作端,所述根据所述位置偏差数据确定纠偏指令,以对所述操作端进行位置纠偏的步骤包括:获取第一操作端与第一晶圆托盘的第一位置偏差数据,以及第二操作端与第二晶圆托盘的第二位置偏差数据;根据所述第一位置偏差数据,确定对所述第一操作端的第一纠偏指令;以及根据所述第一位置偏差数据以及所述第二位置偏差数据,确定对所述第二操作端的第二纠偏指令。5.如权利要求4所述的控制方法,其特征在于,所述根据所述第一位置偏差数据,确定对所述第一操作端的第一纠偏指令的步骤包括:判断所述第一位置偏差数据与第一预设位置偏差数据的大小;根据第一位置的判断值,确定所述第一操作端的第一位置偏差补偿值,以获得所述第一操作端对应的所述第一位置纠偏数据,其中,所述第一位...
【专利技术属性】
技术研发人员:于成辉,李慧,
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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