半导体封装及其制造方法技术

一种半导体封装包括：再分布部，包括绝缘层、再分布层和再分布通孔；凸块下金属(UBM)层，在再分布部下方，并且UBM层包括在再分布部的下表面上的UBM焊盘和在UBM焊盘上以穿透绝缘层的UBM通孔；半导体芯片，在再分布部的上表面上，并电连接到再分布层；粘合层，在UBM层与绝缘层之间，并且包括导电材料；以及连接凸块，在UBM焊盘下方，并连接到UBM层。UBM焊盘具有第一直径，且UBM通孔具有小于第一直径的第二直径，以及UBM焊盘的上表面位于与绝缘层的下表面相同的高度处、或比绝缘层的下表面低的高度处。处。处。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月1日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0116427的优先权，其全部公开通过引用并入本文以用于所有目的。


[0003]本专利技术构思涉及一种半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0004]半导体封装可以通过各种类型的连接凸块安装在诸如主板的基板上。为了半导体封装与基板之间的稳定电连接，凸块下金属(UBM)层设置在半导体封装的再分布层与连接凸块之间。

技术实现思路

[0005]示例实施例提供了一种具有改进的可靠性和批量生产率的半导体封装及其制造方法。
[0006]根据一些示例实施例，一种半导体封装包括：再分布部，包括绝缘层、在绝缘层上的再分布层、以及与再分布层连接的再分布通孔；凸块下金属(UBM)层，该UBM层包括在再分布部的下表面上的UBM焊盘和在UBM焊盘上的UBM通孔，UBM通孔穿透绝缘层；半导体芯片，在再分布部的上表面上，并且电连接到再分布层；粘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：再分布部，包括绝缘层、在所述绝缘层上的再分布层、以及与所述再分布层连接的再分布通孔；凸块下金属UBM层，所述UBM层包括在所述再分布部的下表面上的UBM焊盘和在所述UBM焊盘上的UBM通孔，所述UBM通孔穿透所述绝缘层；半导体芯片，在所述再分布部的上表面上，并且电连接到所述再分布层；粘合层，在所述UBM层与所述绝缘层之间，所述粘合层包括导电材料；以及连接凸块，在所述UBM焊盘下方，并且连接到所述UBM层，其中，所述UBM焊盘具有第一直径，并且所述UBM通孔具有小于所述第一直径的第二直径，以及所述UBM焊盘的上表面位于与所述绝缘层的下表面相同的高度处或比所述绝缘层的下表面低的高度处。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述UBM通孔掩埋在所述绝缘层中，并且从所述绝缘层的下表面向下突出所述粘合层的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述UBM焊盘的侧表面和所述UBM通孔的对应侧表面具有不同的倾斜度。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，当在截面中观察时，所述UBM焊盘的上端的宽度大于所述UBM焊盘的下端的宽度，以及所述UBM通孔的上端的宽度小于所述UBM通孔的下端的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述UBM焊盘和所述UBM通孔的晶体结构不同于所述再分布层和所述再分布通孔的晶体结构。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述UBM焊盘和所述UBM通孔的晶体结构具有扁平晶粒结构，以及所述再分布层和所述再分布通孔的晶体结构具有柱状晶粒结构。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述UBM焊盘的厚度在2μm至12μm的范围内。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述UBM焊盘和所述UBM通孔是一体的。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述粘合层沿着所述UBM焊盘的上表面、所述UBM通孔的侧表面和所述UBM通孔的上表面延伸。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述粘合层包括与所述UBM通孔的材料和所述再分布通孔的材料不同的导电材料。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述连接凸块覆盖所述UBM焊盘的侧表面的至少一部分和下表面。12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述再分布层和所述再分布通孔包括电镀籽晶层，所述电镀籽...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政昊，李斗焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：