功率转换器模块制造技术

本申请公开了功率转换器模块。一种功率转换器模块(100)包括功率晶体管以及具有第一表面(140)和与第一表面(140)相对的第二表面(144)的衬底(136)。热焊盘(138)位于衬底(136)的第二表面(144)上，并且热焊盘(138)被配置为热耦合到散热器(132)。功率转换器模块(100)还包括安装在衬底(136)的第一表面(140)上的控制模块(148)。控制模块(148)包括耦合到功率晶体管的控制IC芯片(104)。第一控制IC芯片(108)控制功率转换器模块(100)的第一开关电平，并且第二控制IC芯片(104)控制功率转换器模块(100)的第二开关电平。屏蔽面(152)覆盖衬底(138)。第一屏蔽面(156)位于热焊盘(138)和第一控制IC芯片(108)之间，并且第二屏蔽面(160)位于热焊盘(138)和第二控制IC芯片(112)之间。位于热焊盘(138)和第二控制IC芯片(112)之间。位于热焊盘(138)和第二控制IC芯片(112)之间。

【技术实现步骤摘要】
功率转换器模块


[0001]本公开涉及功率转换器模块。

技术介绍

[0002]在电气工程中，功率转换是将电能从一种形式转换为另一种形式的过程。功率转换器模块是包括能够转换电能的功率转换器的电气设备。一些功率转换器将直流(DC)转换为交流(AC)。这种功率转换器有时被称为DC
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AC功率转换器，或更简单地称为功率逆变器。一些功率转换器将AC转换成DC，这种功率转换器被称为AC
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DC功率转换器。还有其他的功率转换器，即DC
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DC功率转换器，其将DC源从一个电压电平转换到另一个电压电平。
[0003]氮化镓(GaN)具有相对较高的电子迁移率和饱和速度，使得能够将GaN用于高功率和高温微波应用。基于GaN的高功率/高频设备包括微波射频功率放大器(例如用于高速无线数据传输的那些放大器)和用于电网的高压开关器件。更具体地，GaN可用于制造GaN场效应晶体管(FET)。与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，GaN FET在GaN FET导通时具有较低的漏源电阻(R
DS(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率转换器模块，包括：功率晶体管；衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中热焊盘位于所述衬底的所述第二表面上，并且所述热焊盘被配置为热耦合到散热器；控制模块，其被安装在所述衬底的所述第一表面上，所述控制模块包括：互连件，其被配置为提供到系统总线的连接；以及控制IC芯片，其耦合到所述功率晶体管，其中所述控制IC芯片的第一控制IC芯片控制所述功率转换器模块的第一开关电平，并且所述控制IC芯片的第二控制IC芯片控制所述功率转换器的第二开关电平模块；以及屏蔽面，其覆盖所述衬底的所述第一表面，所述屏蔽面提供位于所述热焊盘和所述IC芯片的所述第一控制IC芯片之间的第一屏蔽面以及位于所述热焊盘和所述控制IC芯片的第二控制IC芯片之间的所述屏蔽面的第二屏蔽面。2.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述控制模块包括迹线，并且所述第一屏蔽面和所述第二屏蔽面中的一个位于所述迹线下方。3.根据权利要求2所述的功率转换器模块，其中所述控制模块还包括焊线，所述焊线耦合到所述控制IC芯片的所述第一控制IC芯片并且耦合到所述迹线。4.根据权利要求2所述的功率转换器模块，其中所述控制模块还包括层压衬底，所述层压衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中图案化的接地面位于所述层压衬底的所述第一表面上，并且所述控制IC芯片被安装在所述图案化的接地面上。5.根据权利要求4所述的功率转换器模块，其中所述层压衬底的所述第二表面覆盖所述衬底的所述第一表面。6.根据权利要求5所述的功率转换器模块，其中所述屏蔽面位于所述层压衬底的所述第二表面上。7.根据权利要求6所述的功率转换器模块，其中所述层压衬底还包括将所述图案化的接地面耦合到所述屏蔽面的通孔。8.根据权利要求1所述的功率转换器模块，还包括图案化的直接键合铜层即DBC层，其被图案化以提供所述屏蔽面。9.根据权利要求8所述的功率转换器模块，其中所述互连件被安装在所述图案化的DBC层上，并且所述互连件包括用于安装所述控制模块的所述控制IC芯片的焊盘。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：