【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请基于2021年8月27日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0113699号韩国专利申请并要求其优先权，出于所有目的，该韩国专利申请的全部专利技术构思通过引用包含于此。
[0002]公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0003]根据对于具有高性能、高速度和/或多功能性的半导体装置的日益增加的需求，半导体装置可以具有提高的集成度。如此，为了提供高度集成的半导体装置，正在积极地进行对于半导体装置的布局设计的研究，以具有提高的自由度和集成度。
技术实现思路
[0004]示例实施例提供了一种具有改善的集成度的半导体装置。
[0005]根据公开的一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：标准单元，包括：多个有源图案，在第一方向上延伸，所述多个有源图案在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；栅极结构，与所述多个有源图案交叉并且在第二方向上延伸；以及源/漏区，在栅极结构的两侧上分别设置在所述多个有源图案上；多条信号线，在标准...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：标准单元，包括：多个有源图案，在第一方向上延伸，所述多个有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；栅极结构，与所述多个有源图案交叉并且在所述第二方向上延伸；以及源/漏区，在所述栅极结构的两侧上分别设置在所述多个有源图案上；多条信号线，在所述标准单元上在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述标准单元；以及第一电力带和第二电力带，在所述标准单元上在所述第一方向上延伸，所述第一电力带和所述第二电力带各自电连接到所述源/漏区中的一个或更多个，所述第一电力带和所述第二电力带被配置为向所述标准单元供应电力，其中，所述第一电力带和所述第二电力带各自与所述多条信号线中的相应的一条信号线设置在同一行上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电力带和所述第二电力带各自具有与所述多条信号线中的所述相应的一条信号线的第二宽度相等的第一宽度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多条信号线布置为在所述第二方向上具有相同的节距。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电力带和所述第二电力带中的至少一条设置在所述标准单元的在所述第一方向上延伸的边界上。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电力带和所述第二电力带中的至少一条设置在所述标准单元中。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电力带设置在所述标准单元的在所述第一方向上延伸的第一边界上，并且所述第二电力带设置在所述标准单元内部的与第二边界相邻的区域中，所述第二边界与所述第一边界平行且相对地定位。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多条信号线中的所述相应的一条信号线包括两条信号线，所述两条信号线中的每条信号线分别定位在所述第一电力带的一端处和所述第二电力带的一端处。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电力带和所述第二电力带中的至少一条包括分别定位在所述多条信号线中的所述相应的一条信号线的两端处的两条电力带。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述标准单元还包括第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构连接到所述源/漏区中的一个并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上定位，所述第二接触结构连接到所述栅极结构并且在所述第三方向上定位。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个有源图案中的每个包括在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上突出的有源鳍，并且所述栅极结构包括栅电极和栅极绝缘膜，所述栅电极与所述有源鳍交叉并且在所述第二方向上延伸，所述栅极绝缘膜设置在所述栅电极与所述有源鳍之间。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个有源图案中的每个包括在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上突出的结构，
所述半导体装置还包括多个沟道层，所述多个沟道层分别布置在所述多个有源图案中的每个上，同时在所述第三方向上彼此间隔开并且在所述第一方向上延伸，并且所述栅极结构包括栅电极和栅极绝缘膜，所述栅电极围绕所述多个沟道层中的每个并且在所述第二方向上延伸，所述栅极绝缘膜设置在所述多个沟道层中的每个与所述栅电极之间以及所述多个有源图案中的每个与所述栅电极之间。12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：标准单元，包括：多个有源图案，在第一方向上延伸，所述多个有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；栅极结...
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