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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：标准单元，包括：多个有源图案，在第一方向上延伸；栅极结构，与所述多个有源图案交叉并且在第二方向上延伸；以及源/漏区，分别设置在定位在栅极结构的两侧上的所述多个有源图案上；多条信号线，在标准单元上在第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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