静电吸盘以及处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种可长期维持电弧放电的抑制效果的静电吸盘以及处理装置。提供一种静电吸盘，具备：接合部，设置在基板与基座板之间；气体导入路，具有位于基板的第1孔部、位于基座板的第2孔部和位于接合部的第3孔部；锪孔部，设置在第1孔部及第2孔部的至少任意一个；及多孔质部，具有向第3孔部露出的露出面且设置在锪孔部，当将从基座板朝向基板的方向作为第1方向时，多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与多孔部相比更致密的致密部，致密部被配置成覆盖多孔部的外周，致密部的至少一部分构成从露出面沿着第1方向朝着第3孔部突出的第1突出部。出的第1突出部。出的第1突出部。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘以及处理装置


[0001]本专利技术的形态涉及一种静电吸盘以及处理装置。

技术介绍

[0002]具备氧化铝等的陶瓷电介体基板及电极的静电吸盘在该电极上外加静电吸附用电力，通过静电力来吸附硅晶片等基板。在这样的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(He)等惰性气体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。
[0003]例如，在化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))装置、溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入He等惰性气体，通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。
[0004]在通过He等惰性气体对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导入He等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体基板的基座板。另外，在陶瓷电介体基板上设置连通于基座板的气体导入路的穿通孔。由此，从基座板的气体导入路导入的惰性气体，通过陶瓷电介体基板的穿通孔而被引导至基板的背面。
[0005]在此，在装置内对基板进行处理时，有时会发生从装置内的等离子体朝向金属制的基座板的放电(电弧放电)。基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔有可能容易成为放电的路径。于是，存在如下技术，通过在基座板的气体导入路或陶瓷电介体基板的穿通孔中设置多孔质部，从而提高对电弧放电的抗性(绝缘强度等)。例如，在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下静电吸盘，在基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔中，配置有陶瓷制的多孔体。另外，在专利文献3中记载有如下技术，在基座板的气体导入路或陶瓷电介体基板的穿通孔中配置陶瓷制的多孔体，同时在对基座板与陶瓷电介体基板进行粘接的粘接层中，在向气体导入路及/或穿通孔露出的部位配置保护材，由此抑制粘接剂的腐蚀。在这样的静电吸盘中，要求长时间维持电弧放电的抑制效果。
[0006]专利文献专利文献1：日本特开2010
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123712号公报专利文献2：美国专利US2017/0352568号公报专利文献3：日本特开2021
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057468号公报

技术实现思路

[0007]本专利技术是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种可长期维持电弧放电的抑制效果的静电吸盘以及处理装置。
[0008]第1专利技术为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第1孔部及所述第2孔部的至少任意一个；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，其特征为，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1方向朝着所述第3孔部突出的第1突出部。
[0009]在该静电吸盘中，将陶瓷多孔质部配置于气体导入路，致密部的至少一部分构成从露出面沿着第1方向朝着第3孔部突出的第1突出部。因此能够抑制击穿。另外，当使用静电吸盘时，接合部60的向第3孔部露出的部分有可能被等离子体所腐蚀而产生颗粒。设置在陶瓷多孔质部的第1突出部成为物理性阻挡层，能够抑制因等离子体腐蚀而产生的颗粒侵入多孔质部。从而，可长期维持电弧放电的抑制效果。
[0010]第2专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1专利技术中，所述第1突出部的沿着所述第1方向离所述露出面的长度，大致相同于所述接合部的沿向所述第1方向的长度。
[0011]根据该静电吸盘，能够进一步提高抗击穿性。另外，能够更加有效地抑制颗粒的侵入，可长期维持电弧放电的抑制效果。
[0012]第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，所述锪孔部设置在所述第1孔部。
[0013]根据该静电吸盘，由于将陶瓷多孔质部配置在更靠近等离子体的第1孔部，因此能够进一步提高抗击穿性。另外，由于设置有第1突出部，因此虽然设置于第1孔部的陶瓷多孔质部在气体流中位于与有可能成为颗粒产生部的第3孔部相比更靠近下游侧的位置，但是也能够更加有效地抑制颗粒侵入陶瓷多孔质部，可长期维持电弧放电的抑制效果。
[0014]第4专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第3专利技术中，所述第1孔部具有：第1部分，向所述第1主面侧发生开口；第2部分，向所述第2主面侧发生开口；及中间部分，设置在所述第1部分与所述第2部分之间，所述锪孔部设置在所述第2部分，沿向所述第2方向的所述中间部分的长度，大于沿向所述第2方向的所述第1部分的长度，所述陶瓷多孔质部具有所述露出面的相反侧的面，所述面构成为向所述中间部分露出。
[0015]根据该静电吸盘，锪孔部设置在第1孔部，配置在该锪孔部的陶瓷多孔质部的露出面的相反侧的面，即第1主面侧的面朝着第1孔部的中间部分露出。由于中间部分的横宽(沿向第2方向的长度)大于第1部分的横宽，因此在陶瓷多孔质部的第1主面侧的面与第1部分之间，设置有对应于中间部分的空间。因此，能够更加确实地确保气体流量。
[0016]第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第4专利技术中，所述致密部还具有从所述面沿着所述第1方向朝着所述第1部分突出的第2突出部。
[0017]根据该静电吸盘，能够进一步提高抗击穿性。
[0018]第6专利技术为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面
和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第2孔部；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，其特征为，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第1孔部及所述第2孔部的至少任意一个；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，其特征为，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1方向朝着所述第3孔部突出的第1突出部。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述第1突出部的沿着所述第1方向离所述露出面的长度，大致相同于所述接合部的沿向所述第1方向的长度。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述锪孔部设置在所述第1孔部。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，所述第1孔部具有：第1部分，向所述第1主面侧发生开口；第2部分，向所述第2主面侧发生开口；及中间部分，设置在所述第1部分与所述第2部分之间，所述锪孔部设置在所述第2部分，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木雄基，白石纯，籾山大，河野玲绪，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：