栅极结构和包括该栅极结构的半导体器件制造技术

本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。表面。表面。

【技术实现步骤摘要】
栅极结构和包括该栅极结构的半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月24日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0111395的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的示例实施例涉及一种栅极结构和一种包括该栅极结构的半导体器件。

技术介绍

[0004]在DRAM器件中，可以通过在衬底上形成凹槽并在该凹槽中顺序地形成第一栅电极、第二栅电极和栅极掩模来形成掩埋栅极结构。第一栅电极和第二栅电极的材料可以扩散到彼此中。

技术实现思路

[0005]一个方面是提供一种具有改进特性的栅极结构。
[0006]另一方面是提供一种包括具有改进特性的栅极结构的半导体器件。
[0007]根据一个或多个示例实施例的各个方面，提供了一种栅极结构。该栅极结构可以包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构可以被掩埋在衬底的上部中。栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括第一金属；栅极阻挡图案，在所述第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在所述栅极阻挡图案上，其中，所述栅极结构被掩埋在衬底的上部中，并且其中，所述栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。2.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述栅极阻挡图案包括与所述第一金属不同的第二金属。3.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第一栅电极包括钨、钼、钽或钛，并且其中，所述栅极阻挡图案包括氮化钨、氮化钼、氮化钽或氮化钛。4.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第二栅电极包括掺杂的多晶硅。5.根据权利要求1所述的栅极结构，还包括：栅极掩模，在所述第二栅电极上；以及栅极绝缘图案，在所述第一栅电极的下表面和侧壁上以及在所述栅极阻挡图案、所述第二栅电极和所述栅极掩模中的每一个的侧壁上。6.一种栅极结构，包括：第一栅电极；栅极阻挡图案结构，在所述第一栅电极上，所述栅极阻挡图案结构包括第一栅极阻挡图案和第二栅极阻挡图案，所述第一栅极阻挡图案包括第一材料，所述第二栅极阻挡图案包括与所述第一材料不同的第二材料；以及第二栅电极，在所述栅极阻挡图案结构上，其中，所述栅极结构被掩埋在衬底的上部中，并且其中，所述栅极阻挡图案结构具有平坦的上表面和不平坦的下表面。7.根据权利要求6所述的栅极结构，其中，所述第二栅极阻挡图案的上表面和所述第一栅极阻挡图案的下表面是不平坦的。8.根据权利要求7所述的栅极结构，其中，所述第二栅极阻挡图案的下表面是不平坦的。9.根据权利要求6所述的栅极结构，其中，所述第一栅极阻挡图案的厚度是不均匀的。10.根据权利要求6所述的栅极结构，其中：所述第一栅电极包括金属，所述第二栅极阻挡图案包括金属氮氧化物，并且所述第一栅极阻挡图案包括金属氮化物。11.根据权利要求10所述的栅极结构，其中，所述第一栅极阻挡图案和所述第二栅极阻挡图案中的每一个包括相同的金属，所述相同的金属与包括在所述第一栅电极中的金属不同。12.根据权利要求6所述的栅极结构，其中，所述第二栅电极包括掺杂的多晶硅。13.根据权利要求6所述的栅极结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在珍，金莹俊，朴薰荣，尹泰景，李殷沃，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：