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本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。表面。表面。
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该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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