缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构与方法技术

本发明专利技术公开一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构与方法，其中该缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构包括基底、栅极结构以及浅沟槽隔离结构。基底上分为存储器阵列区与周边区，且所述存储器阵列区包含主阵列区及位于主阵列区边缘的边界虚拟阵列区。栅极结构设置在所述存储器阵列区的基底上，包括位于基底上的隧穿氧化层与位于隧穿氧化层上的浮置栅极。浅沟槽隔离结构设置于所述边界虚拟阵列区的栅极结构与周边区之间的基底内。所述边界虚拟阵列区的隧穿氧化层的边界厚度大于所述主阵列区的隧穿氧化层的厚度，因此能减缓边界虚拟阵列区的过抹除现象。列区的过抹除现象。列区的过抹除现象。

【技术实现步骤摘要】
缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构与方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器阵列的制作工艺改良，且特别是涉及一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象(Over
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erase phenomenon)的结构与方法。

技术介绍

[0002]存储器阵列一般包含主存储器阵列与边界虚拟存储器阵列。主存储器阵列与边界虚拟存储器阵列是采用相同制作工艺与相同元件设计制作的半导体元件，但是因为制作工艺方面的因素，导致存储器阵列边界的部分半导体元件的尺寸，如浅沟槽隔离结构的高度、多晶硅层的高度等与需求的尺寸不一致，因此将边界的部分界定为虚拟存储器阵列，以免影响存储器操作。
[0003]换句话说，无论主存储器阵列进行怎样的操作，边界虚拟存储器阵列都是执行抹除操作。这样一来会随着抹除次数的累积，造成边界虚拟存储器阵列发生过抹除现象。
[0004]过抹除现象会引发临界漏电(threshold leakage current)，从而影响主存储器阵列的操作。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，包括：基底，所述基底上分为存储器阵列区与周边区；栅极结构，设置在所述存储器阵列区的所述基底上，所述栅极结构包括在所述基底上的隧穿氧化层与在所述隧穿氧化层上的浮置栅极，且所述存储器阵列区包含主阵列区及其边缘的边界虚拟阵列区；氧化层，设置于所述边界虚拟阵列区的所隧穿氧化层与所述浮置栅极之间；以及浅沟槽隔离结构，设置于所述边界虚拟阵列区的所述栅极结构与所述周边区之间的所述基底内。2.如权利要求1所述的缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，其中所述边界虚拟阵列区的所述隧穿氧化层与所述氧化层的总厚度为所述主阵列区的所述隧穿氧化层的厚度的115％～140％。3.一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，包括：基底，所述基底上分为存储器阵列区与周边区；栅极结构，设置在所述存储器阵列区的所述基底上，所述栅极结构包括在所述基底上的隧穿氧化层与在所述隧穿氧化层上的浮置栅极，且所述存储器阵列区包含主阵列区及其边缘的边界虚拟阵列区；以及浅沟槽隔离结构，设置于所述边界虚拟阵列区的所述栅极结构与所述周边区之间的所述基底内，其中所述边界虚拟阵列区的所述隧穿氧化层的边界厚度大于所述主阵列区的所述隧穿氧化层的厚度。4.如权利要求3所述的缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，其中所述边界虚拟阵列区的所述隧穿氧化层越靠近所述浅沟槽隔离结构越厚且离所述浅沟槽隔离结构越远越薄。5.如权利要求3所述的缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，其中所述边界虚拟阵列区的所述隧穿氧化层的所述边界厚度为所述主阵列区的所述隧穿氧化层的所述厚度的115％～140％。6.如权利要求3所述的缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，其中所述边界虚拟阵列区的所述隧穿氧化层的所述边界厚度为所述边界虚拟阵列区的所述隧穿氧化层的所述中心厚度的100％～130％。7.如权利要求1或3所述的缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构，其中所述栅极结构还包括：栅间介电层，位于所述浮置栅极上；以及控制栅极，位于所述栅间介电层上。8.一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象的方法，包括：提供基底，所述基底上分为存储器阵列区与周边区；在所述存储器阵列区的所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括所述基底上的隧穿氧化层与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪锦石，易成名，邓才科，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：