下载缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构与方法的技术资料

文档序号:36701025

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构与方法,其中该缓解边界虚拟存储器过抹除现象的结构包括基底、栅极结构以及浅沟槽隔离结构。基底上分为存储器阵列区与周边区,且所述存储器阵列区包含主阵列区及位于主阵列区边缘的边界虚拟阵列区。栅极结构...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。