封装结构、天线模块以及探针卡制造技术

本发明专利技术公开一种封装结构、天线模块以及探针卡。封装结构包括连接构件以及设置在连接构件上的第一重分布结构。连接构件包括连接件以及围绕连接件的绝缘层。第一重分布结构包括第一介电层、第一布线图案以及第一元件。第一介电层设置在连接构件上。第一布线图案设置在第一介电层中。第一元件设置在第一介电层上方且电连接至连接件。电连接至连接件。电连接至连接件。

【技术实现步骤摘要】
封装结构、天线模块以及探针卡


[0001]本专利技术涉及一种封装结构、天线模块以及探针卡。

技术介绍

[0002]近年来，电子产品对于人类的生活越来越重要。为了使得电子产品能达到轻薄短小的设计，半导体封装技术亦跟着日益进展，以发展出符合小体积、重量轻、高密度以及在市场上具有高竞争力等要求的产品。此外，为了加速各种功能的整合，现今业界多半采用元件内嵌或芯片内嵌两种型态将芯片与有源、无源元件整合于电路基板(系统载板)，以达到高效能、低功耗、体积小等需求。
[0003]然而，随着电子产品的需求朝向小尺寸、高功能化、信号传输高速化及电路元件高密度化，目前既有的电子产品在效能和体积方面已无法满足当今或是未来的需求。举例来说，目前元件间的沟通路径(例如芯片与有源/无源元件之间的沟通路径)较长而导致信号损耗较大、有源/无源元件的占用面积大而无法整合更多的集成电路，或者是有源/无源元件的厚度难以缩小导致电子产品的尺寸难以降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一实施例提供一种封装结构，其包括连接构件以及第一重分布结构。连接构件包括连接件以及围绕连接件的绝缘层。第一重分布结构设置在连接构件上且包括第一介电层、第一布线图案以及第一元件。第一介电层设置在连接构件上。第一布线图案设置在第一介电层中。第一元件设置在第一介电层上方且电连接至连接件。
[0005]本专利技术的一实施例提供一种天线模块，其包括连接构件、重分布结构以及芯片。连接构件包括连接件以及围绕连接件的绝缘层。重分布结构设置在连接构件的第一侧上且包括第一布线图案、第一介电层以及天线元件。第一布线图案设置在连接构件上且与连接件电连接。第一介电层设置在连接构件上且覆盖第一布线图案。天线元件设置在第一介电层上方且配置成传输及/或接收信号，其中天线元件与第一布线图案电连接。芯片设置在连接构件的相对于第一侧的第二侧上方，其中芯片与天线元件电连接。
[0006]本专利技术的一实施例提供一种探针卡，其包括连接构件、第一重分布结构、导电探针以及基板。连接构件包括连接件以及围绕连接件的绝缘层。第一重分布结构设置在连接构件的第一侧上且包括第一介电层、第一布线图案以及第一元件。第一介电层设置在连接构件上。第一布线图案设置在第一介电层中。第一元件设置在第一介电层上方且电连接至连接件。导电探针设置在第一重分布结构上方且与第一元件电连接。基板设置在连接构件的与第一侧相对的第二侧上，且基板中的线路图案通过连接构件与第一重分布结构中的第一元件电连接。
[0007]基于上述，上述实施例中的封装结构、天线模块以及探针卡可通过将第一元件(例如有源元件或是无源元件)整合于第一重分布结构的设计来降低元件间的沟通路径长度并减少有源/无源元件的占用面积以有助于提升元件效能并降低元件尺寸。
附图说明
[0008]图1a是本专利技术的第一实施例的封装结构的剖面示意图；
[0009]图1b是图1a中的区域A1的放大示意图；
[0010]图1c是图1b中的第一元件D1的一实施例的剖面示意图；
[0011]图1d是图1b中的第二元件D2的一实施例的俯视示意图；
[0012]图2a是本专利技术的第二实施例的封装结构的剖面示意图；
[0013]图2b是图2a中的区域A2的放大示意图；
[0014]图3a是本专利技术的第三实施例的封装结构的剖面示意图；
[0015]图3b是图3a中的区域A3的放大示意图；
[0016]图4a是本专利技术的第四实施例的封装结构的剖面示意图；
[0017]图4b是图4a中的区域A4的放大示意图；
[0018]图5a是本专利技术的第五实施例的封装结构的剖面示意图；
[0019]图5b是图5a中的区域A5的放大示意图；
[0020]图6a是本专利技术的第六实施例的封装结构的剖面示意图；
[0021]图6b是图6a中的区域A6的放大示意图；
[0022]图7a是本专利技术的第七实施例的封装结构的剖面示意图；
[0023]图7b是图7a中的区域A7的放大示意图；
[0024]图8a是本专利技术的第八实施例的封装结构的剖面示意图；
[0025]图8b是图8a中的区域A8的放大示意图；
[0026]图9a是本专利技术的第九实施例的封装结构的剖面示意图；
[0027]图9b是图9a中的区域A9的放大示意图；
[0028]图10a是本专利技术的第十实施例的封装结构的剖面示意图；
[0029]图10b是图10a中的区域A10的放大示意图；
[0030]图11a是本专利技术的第十一实施例的封装结构的剖面示意图；
[0031]图11b是图11a中的区域A11的放大示意图；
[0032]图12a是本专利技术的第十二实施例的封装结构的剖面示意图；
[0033]图12b是图12a中的区域A12的放大示意图；
[0034]图13a是本专利技术的第十三实施例的封装结构的剖面示意图；
[0035]图13b是图13a中的区域A13的放大示意图；
[0036]图14a是本专利技术的第十四实施例的封装结构的剖面示意图；
[0037]图14b是图14a中的区域A14的放大示意图；
[0038]图15是本专利技术的第十五实施例的封装结构的剖面示意图。
具体实施方式
[0039]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0040]参照实施例的附图以更全面地阐述本专利技术。然而，本专利技术也可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考符号表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。
[0041]应当理解，当诸如元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者也可存在中间元件。若当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，则不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电连接，而「电连接」或「耦合」可为二元件间存在其它元件。
[0042]本文使用的「约」、「近似」或「实质上」包括所提到的值和在所属
中普通技术人员能够确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
[0043]使用本文中所使用的用语仅为阐述例示性实施例，而非限制本专利技术。在此种情形中，除非在上下文中另有解释，否则单数形式包括多数形式。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：连接构件，包括连接件以及围绕所述连接件的绝缘层；以及第一重分布结构，设置在所述连接构件上，且包括：第一介电层，设置在所述连接构件上；第一布线图案，设置在所述第一介电层中；以及第一元件，设置在所述第一介电层上方且电连接至所述连接件。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一重分布结构包括多个虚设图案，且所述虚设图案设置在所述第一介电层中且与所述连接件电性隔离。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述虚设图案使所述第一介电层的平坦度介于40％至60％的范围中以包括位于所述虚设图案上的凸部以及位于相邻的两个所述虚设图案之间的凹部，且所述第一元件设置在所述第一介电层的所述凸部和所述凹部上。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一元件包括电容结构，所述电容结构包括：第一电极，设置在所述第一介电层的所述凹部和所述凸部的表面上；介电质，设置在所述第一电极上；第二电极，设置在所述介电质上；以及补偿结构，设置在所述第二电极上且填入所述第一介电层的所述凹部。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第一重分布结构上的第二重分布结构，且所述第二重分布结构包括：第二介电层，设置在所述电容结构上，其中所述补偿结构使位于所述补偿结构上的所述第二介电层的平坦度大于95％；多个第二布线图案，设置在所述第二介电层上；以及第二元件，设置在所述第二介电层的下方设有所述补偿结构的部分上且电连接至所述第一元件。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，从俯视的角度来看，多个所述第二布线图案中的与所述电容结构电连接的第二布线图案与所述第二元件间隔开至少10μm。7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述虚设图案使所述第一介电层的平坦度大于95％。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，还包括设置在所述第一重分布结构上的第二重分布结构，且所述第二重分布结构包括：第二介电层，设置在所述第一元件上；第二元件，设置在所述第二介电层上且与所述第一布线图案电连接；第三介电层，设置在所述第二元件上；以及第二布线图案，设置在所述第三介电层中且电连接至所述第二元件。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第一元件包括线路图案，所述线路图案使所述第二介电层的平坦度介于40％至60％的范围中以包括位于所述线路图案上的凸部以及位于相邻的两个所述线路图案之间的凹部，且所述第二元件设置在所述第二介电层的所述凹部和所述凸部上。
10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第二重分布结构包括设置在所述第三介电层中的第三元件，且所述第三元件通过所述第二布线图案与所述第二元件电连接。11.一种天线模块，其特征在于，包括：连接构件，包括连接件以及围绕所述连接件的绝缘层；重分布结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯捷威，王泰瑞，杨瑞纹，丁子洋，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：