一种射频天线封装结构及封装结构的制备方法技术

本申请适用于半导体封装技术领域，提供了一种射频天线封装结构及封装结构的制备方法，该射频天线封装结构包括：IC载板、中间放置层、天线盖板和天线结构；IC载板的下表面覆盖有金属层，IC载板的上表面固定有射频集成电路，IC载板开设有上下贯穿IC载板的金属通孔；中间放置层位于IC载板的上表面，中间放置层的上表面覆盖有金属层，中间放置层开设有上下贯穿中间放置层的金属通孔；天线盖板位于中间放置层的上表面，天线盖板的上表面和天线盖板的下表面均覆盖有金属层，天线盖板开设有上下贯穿天线盖板的金属通孔；天线结构位于天线盖板的上表面。上述射频天线封装结构具有最短的天线馈电结构，较低的天线介质损耗，实现了一种天线射频性能强，辐射效率高的AiP射频天线封装结构。辐射效率高的AiP射频天线封装结构。辐射效率高的AiP射频天线封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种射频天线封装结构及封装结构的制备方法


[0001]本申请属于半导体封装
，尤其涉及一种射频天线封装结构及封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]常规瓦式相控阵天线采用AoB(Antenna on Board，母版含天线)架构，T/R(Transmitter and receiver，收发组件)封装器件表贴于PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)母板下侧，PCB母板上侧为天线，PCB母板不但需要完成对T/R器件的供电、控制等低频互联功能，还需要完成射频功分/合成网络、天线馈电、天线等射频功能。T/R焊接面另一侧覆盖硅脂、导热垫等方式与散热结构件实现软接触，由此路径向下散热。AoB架构存在的问题是：1)PCB功能极复杂，设计、加工成本高；2)T/R与天线的互联路径长，需要穿过层数很多、厚度较厚的PCB母板，天线馈电插损大；3)T/R通过软界面散热导致散热效率不高；4)PCB母板上侧被天线占用，下侧被T/R器件占用，只能通过水平扩展面积表贴其它电源管理、数字逻辑控制等器件，面积利用率低。r/>[0003]为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频天线封装结构，其特征在于，包括：IC载板、中间放置层、天线盖板和天线结构；所述IC载板的下表面覆盖有金属层，所述IC载板的上表面固定有射频集成电路，所述IC载板开设有上下贯穿所述IC载板的金属通孔；所述中间放置层位于所述IC载板的上表面，所述中间放置层的上表面覆盖有金属层，所述中间放置层开设有上下贯穿所述中间放置层的金属通孔；所述天线盖板位于所述中间放置层的上表面，所述天线盖板的上表面和所述天线盖板的下表面均覆盖有金属层，所述天线盖板开设有上下贯穿所述天线盖板的金属通孔；所述天线结构位于所述天线盖板的上表面。2.如权利要求1所述的射频天线封装结构，其特征在于，所述中间放置层覆盖于所述IC载板上表面的预设位置，未覆盖中间放置层的位置形成第一密封腔
，
所述射频集成电路位于所述第一密封腔中。3.如权利要求1所述的射频天线封装结构，其特征在于，所述IC载板材料为高阻硅、玻璃、HTCC、LTCC或Al2O3陶瓷材料；所述中间放置层材料为高阻硅、玻璃、HTCC、LTCC、Al2O3陶瓷或金属材料。4.如权利要求1所述的射频天线封装结构，其特征在于，所述天线盖板材料为高阻硅、玻璃、HTCC、LTCC或Al2O3陶瓷材料。5.如权利要求1所述的射频天线封装结构，其特征在于，所述天线结构为全金属材料或外部覆盖金属层的非金属材料。6.如权利要求1所述的射频天线封装结构，其特征在于，所述IC载板的下表面具有BGA或QFN封装形式的焊接点。7.一种射频天线封装结构的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周彪，王建，王磊，孔令甲，许向前，徐达，李仕俊，韩玉朝，李德才，王玉，彭同辉，王旭东，连盼招，钟春斌，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：