【技术实现步骤摘要】
一种带有栅网更换装置的等离子体刻蚀腔体
[0001]本技术涉及等离子体刻蚀腔体,尤其涉及一种带有栅网更换装置的等离子体刻蚀腔体。
技术介绍
[0002]等离子体刻蚀:在典型的等离子体刻蚀工艺中,不同的工艺气体组合(如CxFy、O2、Ar等)在射频(Radio frequency) 环境中经过射频激励作用形成等离子体。形成的等离子体在刻蚀腔体上下电极电场作用下与晶圆表面发生物理轰击和化学反应,完成对晶圆表面设计图案和关键工艺的处理过程。典型的刻蚀腔体包括容性耦合腔体(CCP)和感性耦合腔体(ICP)两种。
[0003]预防性维护(Preventive Maintenance,PM):对半导体设备,为了降低设备失效或功能退化的概率,按预定的时间间隔或规定的标准进行的维护。
[0004]干法刻蚀腔体随着加工晶圆的数量累积,腔体内部件因刻蚀反应逐渐消耗,进一步影响腔体内环境,导致工艺出现偏差。
[0005]刻蚀腔体内的上部结构中,有圆形的栅网,用于将工艺气体均匀的喷淋到晶圆上方。
[0006]在工艺过 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带有栅网更换装置的等离子体刻蚀腔体,包括刻蚀腔体,所述刻蚀腔体内设有晶圆承载台,晶圆承载台上设有晶圆升降针,其特征在于:所述刻蚀腔体侧壁设有栅网托盘升降针,栅网托盘升降针上端承载有栅网托盘,栅网托盘上放置有栅网,所述刻蚀腔体侧壁设有一开口,开口处设有腔体门板。2.根据权利要求1所述的一种带有栅网更换装置的等离子体刻蚀腔体,其特征在于:所述栅网托盘中部设有承托槽,承托槽中部设有镂空,承托槽侧壁设有第一斜面,...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈世名,张朋兵,
申请(专利权)人:上海谙邦半导体设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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