【技术实现步骤摘要】
反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法
[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法。
技术介绍
[0002]液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)按照采光方式可以分为透射型、反射型和半反半透型。其中，反射型LCD是利用环境光(如太阳光)的反射进行显示，相比于有背光源的透射型LCD，反射型LCD没有背光源，因此具有对比度高、功耗低、机身薄以及重量轻等优点，且采用自然光反射显示，有利于视觉保护。因此，反射型LCD被越来越多地应用于诸如手机、笔记本电脑、数码相机、个人数字助理等便携式电子终端。
[0003]现有反射型LCD的主体结构包括对盒的阵列(Thin Film Transistor，TFT)基板和彩膜(Color Filter，CF)基板，液晶(Liquid Crystal，LC)填充在阵列基板和彩膜基板之间，阵列基板上设置对外界入射的光线进行反射的光反射结构。目前，现有技术一种光反射结构是利用像素电极作为光反射层，考虑到光...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反射型阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的光反射结构，以及设置在所述光反射结构背离所述衬底基板一侧的有机薄膜晶体管阵列层。2.如权利要求1所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述光反射结构包括：设置在所述衬底基板和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的构形层，以及设置在所述构形层和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的反射层；其中，所述构形层背离所述衬底基板一侧的表面包括多个微结构，所述微结构为向背离所述衬底基板一侧凸起的凸面体，所述反射层随所述构形层的形状设置。3.如权利要求2所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述凸面体包括三角形体、梯形体、弧形体至少其中之一。4.如权利要求2所述的反射型阵列基板，其特征在于，相邻所述凸面体的相邻侧面之间的夹角为120
°
～160
°
。5.如权利要求2所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述构形层的材料为纳米压印材料，所述构形层的厚度为2μm～20μm。6.如权利要求1
‑
5任一项所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述有机薄膜晶体管阵列层包括依次层叠设置的源漏金属层、第一有机绝缘层、有机有源层、有机栅绝缘层、第一栅极金属层、第二有机绝缘层和第二栅极金属层，所述源漏金属层靠近所述衬底基板；其中，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述有机有源层通过贯穿所述第一有机绝缘层的第一过孔与所述源极电连接，所述有机有源层通过贯穿所述第一有机绝缘层的第二过孔与所述漏极电连接；所述有机有源层的形状、尺寸与所述有机栅绝缘层的形状、尺寸相同；所述第一栅极金属层包括栅极，所述栅极在所述衬底基板上的正投影面积小于所述有机栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影面积；所述第二栅极金属层包括栅线，所述栅线通过贯穿所述第二有机绝缘层的第三过孔与所述栅极电连接。7.如权利要求6所述的反射型阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述光反射结构和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的第一平坦层，设置在所述第一平坦层和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的遮光层，设置在所述遮光层和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的第二平坦层，以及设置在所述第二栅极金属层背离所述衬底基板一侧的公共电极和像素电极；其中，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有机有源层在所述衬底基板上的正投影，所述公共电极和所述像素电极同层设置，所述像素电极通过贯穿所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的第四过孔与所述漏极电连接。8.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板，所述显示面板相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板采用如权利要求1～7任一所述的反射型阵列基板。9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括凹形的支撑架，所述显示面板固定在所述支撑架上，且所述阵列基板靠近所述支撑架。10.一种反射型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成光反射结构；在所述光反射结构背离所述衬底基板的一侧形成有机薄膜晶体管阵列层。
11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述光反射结构，具体包括：在所述衬底基板上涂布一层纳米压印薄膜，采用纳米压...
【专利技术属性】
技术研发人员：董水浪，曲燕，卢鑫泓，谢昌翰，李国腾，李柳青，周靖上，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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