高迁移率的SiCMOSFET器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P

【技术实现步骤摘要】
高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着信息技术及能源、交通、国防的迅猛发展，对半导体器件的性能要求越来越高，第三代半导体材料碳化硅（SiC）成为了半导体材料发展的关注焦点。与一代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和二代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）相比，SiC 在禁带宽度、临界击穿场强、饱和电子漂移速度和热导率等方面都有着显而易见的优势，这些优势使得SiC 器件可以获得更高的额定电压、更高的开关速度，并且可以在更高的温度下工作，并且SiC工艺和Si工艺具有良好的兼容性。这些优势使得SiC 器件拥有广阔的发展前景。
[0003]制约SiC MOSFET器件的主要问题是沟道载流子迁移率较低。由于SiC中有碳元素的存在，在高温氧化制备栅的常规工艺中容易因氧化不充分使得SiC/SiO2界面处形成碳团簇和近界面陷阱（NITs），这些因素会导致界面处的界面态密度升高，从而使沟道载流子迁移率降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高迁移率的SiC MOSFET器件的制作方法，其特征在于包括如下步骤：步骤S1：清洗SiC外延片（1），清除外延片表面沾污；步骤S2：在外延片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入；步骤S3：使用与步骤S2相同的方法在P阱区域（2）进行P
+
和N
+
的注入，注入完成后退火激活注入离子；步骤S4：在圆片表面淀积一层poly Si，淀积结束后在氧化，并退火，生成SiO2（5）；步骤S5：刻蚀掉P
+
区域（4）和N
+
区域（3）多余的SiO2，露出源极区域；步骤S6：将电极区域进行涂胶
‑
曝光
‑
显影，之后采用溅射的方法沉积金属体系，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作；步骤S7：淀积一层保护层，隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作；步骤S8：在背面溅射金属并形成背面欧姆接触，完成背面金属电极（8）制作。2.如权利要求1所述的高迁移率的SiC MOSFET器件的制作方法，其特征在于所述步骤S1具体包括：使用标准的RCA工艺清洗SiC外延片（1），清除SiC外延片（1）表面沾污。3.如权利要求1所述的高迁移率的SiC MOSFET器件的制作方法，其特征在于所述步骤S2具体包括：在SiC外延片（1）表面采用涂胶
‑
曝光
‑
显影的方法制备掩膜，之后进行P阱离子注入，在SiC外延片（1）的左右两侧各形成一个P阱区域（2），P阱注入深度为1
‑
10μm，掺杂浓度在10
16
‑
10
18
cm
‑3之间。4.如权利要求1所述的高迁移率的SiC MOSFET器件的制作方法，其特征在于所述步骤S3具体包括：使用步骤2相同的方法进行P
+
和N
+
的注入，在每个P阱区域（2）形成两个N
+
区域（3）和一个P
+
区域（4），注入深度为100nm
‑
1μm，掺杂浓度在10
18
‑
10
19
cm
‑3，注入完成后置入1600
‑
2000℃高温炉中退火激活注入离子。5.如权利要求1所述的高迁移率的SiC MOSFET器件的制作方法，其特征在于所述步骤S4具体包括：使用LPCVD在600℃条件下用硅烷在圆片表面淀积一层200
‑
400
Å
的poly Si，淀积结束后...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖龙忠，杨志虎，吕鑫，刘相伍，陟金华，张力江，吴嘉兴，周国，付兴中，商庆杰，刘佳佳，吕孟山，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：