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本发明公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P
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该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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