LDMOS器件及工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种LDMOS器件及其工艺方法，该器件的场板介质层具有三个不同的场板介质层厚度，两个场板导电层可接栅极或源极，可实现接触孔中的金属靠近沟道一侧的侧壁场板介质层厚度和底部的场板介质层厚度小于多晶硅层下STI的完整厚度，使得器件的特性得到进一步改善，且工艺简单易于实施。且工艺简单易于实施。且工艺简单易于实施。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及工艺方法
[0001]

[0002]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种LDMOS器件。本专利技术还涉及所述LDMOS器件的工艺方法。
[0003]
技术介绍

[0004]DMOS（Double
‑
diffused MOS）由于具有耐高压，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前广泛应用在电源管理芯片中。在LDMOS (Lateral Double
‑
diffused MOSFET，横向双扩散场效应晶体管) 器件中，低特征导通电阻R
SP
是一个重要的指标。在BCD (Bipolar
‑
CMOS
‑
DMOS)工艺中，LDMOS虽然与CMOS集成在同一块芯片中，但由于高击穿电压BV (Breakdown Voltage)和低特征导通电阻R
SP (Specific on
‑
Resistance)之间存在矛盾无法兼得，往往无法满足开关管应用的要求。高压LDMOS既具有分立器件高压大电流特点，又吸取了低压集成电路高密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种的LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤一，在半导体衬底（或者外延上）形成STI，然后进行离子注入形成LDMOS器件的漂移区及RESURF层；在所述半导体衬底表面形成栅介质层，然后在所述栅介质层表面再沉积一层多晶硅层；步骤二，光刻打开刻蚀的窗口区域以定义出多晶硅栅极的靠源区的边界，对多晶硅层进行第一次刻蚀，并将窗口区域内的多晶硅层下方的栅介质层刻蚀掉一定厚度；在不移除光刻胶的情况下进行离子注入，在窗口区域的半导体衬底中形成体区；步骤三，去除光刻胶并重新涂新的光刻胶，光刻定义出栅极靠漏区的边界，同时定义出同芯片上其他器件的栅极刻蚀区域，进行多晶硅层的第二次刻蚀成型；步骤四，去除全部的光刻胶，沉积侧墙介质层并进行侧墙工艺形成栅极侧墙；进行重掺杂注入形成所述LDMOS器件的源区、漏区以及体区的引出区；进行金属硅化反应形成金属硅化物；在整个晶圆表面沉积一层接触孔刻蚀停止层，所述刻蚀停止层为叠层，包含氮化硅层和氧化硅层，且氧化硅层位于下层；再在所述刻蚀停止层表面覆盖沉积层间介质层，对层间介质层的表面进行平坦化；进行接触孔刻蚀，刻蚀停止于刻蚀停止层；继续刻蚀所述刻蚀停止层中的氮化硅层，并过刻蚀其下方的氧化硅层。2.如权利要求1所述的LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，所述栅介质层为氧化硅层，采用热氧化法形成。3.如权利要求1所述的LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述的步骤二中，不去除光刻胶，且窗口区域内仍保留一定厚度的栅介质层，以进行高能量的离子注入。4.如权利要求1所述的LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤四中，所述的金属硅化物形成于栅极顶部，以及所述LDMOS器件的源区、漏区，包括体区引出区的上方，与接触孔接触形成低阻引出；所述接触孔在刻蚀过程中，过刻蚀所述刻蚀停止层中的氧化硅层时，由于ST...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：