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本发明公开了一种LDMOS器件及其工艺方法，该器件的场板介质层具有三个不同的场板介质层厚度，两个场板导电层可接栅极或源极，可实现接触孔中的金属靠近沟道一侧的侧壁场板介质层厚度和底部的场板介质层厚度小于多晶硅层下STI的完整厚度，使得器件的特...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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