一种多晶金刚石的生长方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶金刚石的生长方法，其包括如下步骤：获取预处理后的钼衬底；预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理；对钼衬底进行图案化处理，获得第一结构层；在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液，获得第二结构层；在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明专利技术中的方法，能够实现高质量多晶金刚石的生长。能够实现高质量多晶金刚石的生长。能够实现高质量多晶金刚石的生长。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶金刚石的生长方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及到一种多晶金刚石的生长方法。

技术介绍

[0002]金刚石具有高硬度、高热导率、耐酸碱腐蚀和超宽禁带等优异的物理、化学及电学性能，在机械、半导体和饰品等领域均有重要的应用价值。天然金刚石在自然界中储量小，价格昂贵，且具有质量不均匀、尺寸小等问题，因此，为了获得大面积、稳定、均匀、低成本、高质量的金刚石，必须发展金刚石的人工合成技术。目前人工合成金刚石的方法主要有高温高压(HPHT)法和化学气相沉积(CVD)法，在各种CVD金刚石制备方法中，微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法以其具有等离子体功率密度高、无电极放电污染和性能稳定等特性，成为制备高品质金刚石的首选方法。
[0003]除了外延高质量单晶金刚石外，MPCVD设备亦被应用于异质衬底上的大面积金刚石多晶膜外延，但是大面积金刚石多晶膜的均匀性很大程度取决于等离子体球的准直性，而后者受微波场的分布、混合生长气体的扰动和样品台、腔体结构等多种因素所影响，所以质量再好的MPCVD设备也很难避免等离子体球的倾斜和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶金刚石的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：获取预处理后的钼衬底；所述预处理是指降低所述钼衬底粗糙度的处理；对所述钼衬底进行图案化处理，获得第一结构层；在所述第一结构层上涂抹金刚石粉溶液，获得第二结构层；在所述第二结构层上外延生长多晶金刚石。2.根据权利要求1所述的多晶金刚石的生长方法，其特征在于，所述在所述第二结构层上外延生长多晶金刚石的步骤，具体包括：在第一预设条件下于所述第二结构层上生长类金刚石碳，获得第三结构层；在第二预设条件下于所述第三结构层上生长所述多晶金刚石；所述第一预设条件中的第一温度低于所述第二预设条件中的第二温度，所述第一预设条件中的第一时间小于所述第二预设条件中的第二时间。3.根据权利要求2所述的多晶金刚石的生长方法，其特征在于，所述在第二预设条件下于所述第三结构层上生长所述多晶金刚石的步骤之前，还包括：在所述第三结构层上涂抹金刚石粉溶液。4.根据权利要求2或3所述的多晶金刚石的生长方法，其特征在于，所述第一预设条件是指MPCVD设备的功率在2000W
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3500W之间，其中的压强在120mbar
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300mbar之间，H2气体流量在185sccm
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500sccm之间，CH4气体流量在10sccm
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈军飞，孟金涛，李逸江，朱潦亮，李俊鹏，许琦辉，丁森川，黄思源，费一帆，任泽阳，张金风，戴显英，陈兴，吴勇，王东，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：