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本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法,其包括如下步骤:获取预处理后的钼衬底;预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理;对钼衬底进行图案化处理,获得第一结构层;在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液,获得第二结构层;在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中...该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法,其包括如下步骤:获取预处理后的钼衬底;预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理;对钼衬底进行图案化处理,获得第一结构层;在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液,获得第二结构层;在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中...