一种LPCVD设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种LPCVD设备，该LPCVD设备包括炉管及位于炉管内的晶舟，炉管内壁及晶舟表面覆盖有掺杂多晶硅层及未掺杂多晶硅层。因为未掺杂多晶硅层不含有掺杂元素，能够对炉管及晶舟上的掺杂多晶硅层进行包覆，从而抑制炉管及晶舟表面掺杂元素的析出，进而控制炉管内掺杂元素的含量，避免因掺杂元素含量过高导致晶圆表面产生缺陷。未掺杂多晶硅层的形成，不会对炉管内晶圆的器件性能造成影响，且能够延长设备的使用周期，降低维护次数，从而降低成本提高产能。成本提高产能。成本提高产能。

【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD设备


[0001]本技术涉及半导体制造设备领域，特别是涉及一种LPCVD设备。

技术介绍

[0002]功率MOSFET是功率器件发展较为成熟的分支，且行业内大多都采用掺杂多晶硅(doping poly)来做栅极以获得稳定的阈值电压。功率MOSFET采用LPCVD(低压化学气相沉积)沉积一定厚度的掺杂多晶硅层再将其回刻的方法来获得栅极，由于LPCVD的设备特性，在晶圆上沉积掺杂多晶硅层的同时，炉管内壁及晶舟表面也会沉积同样厚度的掺杂多晶硅层。在设备使用一段时间后，炉管内壁及晶舟表面会累计相当厚度的掺杂多晶硅层，且掺杂元素(如P、As、B)在较高的工艺温度下(>500℃)固溶度较低，这也使得炉管内的掺杂元素含量过高，且掺杂元素的析出量会随着炉管内壁及晶舟表面掺杂多晶硅层厚度的增加而增加，晶圆表面析出的掺杂元素很容易产生结核，进而在后续工艺过程中形成缺陷，而这种缺陷很难通过后续工艺去除，影响产品良率。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术提供一种LPCVD设备，所述LPCVD设备包括炉管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LPCVD设备，其特征在于，所述LPCVD设备包括炉管，所述炉管内放置有晶舟，所述炉管的内壁覆盖有掺杂多晶硅层及未掺杂多晶硅层，且距离所述炉管内壁最远的一层为所述未掺杂多晶硅层，以使所述未掺杂多晶硅层包覆所述掺杂多晶硅层。2.根据权利要求1所述的LPCVD设备，其特征在于，所述晶舟的表面包括叠置的掺杂多晶硅层及未掺杂多晶硅层。3.根据权利要求1所述的LPCVD设备，其特征在于，所述炉管的内壁覆盖有交替叠置的所述掺杂多晶硅层及所述未掺杂多晶硅层，紧贴所述炉管内壁的一层为所述掺杂多晶硅层。4.根据权利要求3所述的LPCVD设备，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的层数N的取值为N≥2。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许乐军，徐以增，高德志，王远，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：