半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件技术

本发明专利技术提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件
[0001]本申请是申请号：201880014289.9，申请日：2018.2.28，专利技术名称：“半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件”的申请(PCT/JP2018/007580)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件。

技术介绍

[0003]已知半导体粒子在其粒径为例如10nm以下时会体现量子尺寸效果，这样的纳米粒子被称作量子点(也称作半导体量子点)。量子尺寸效果是指：在主体粒子中被视为连续的价带(valance band)和导带各自的能带在纳米粒子中呈离散性、并且带隙能量会根据粒径而发生变化的现象。
[0004]量子点能够将光吸收而波长转换为与该带隙能量对应的光，因此提出利用量子点的发光的白色发光器件(例如参照日本特开2012
‑
212862号公报及日本特开2010
‑
177656号公报)。具体而言，提出使量子点吸收从发光二极管(LED)芯片发出的光的一部分而以从量子点的发光和从LED芯片的发光的混本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种核壳型的半导体纳米粒子，其具备：包含Ag、In、Ga及S的核；和壳，发光峰的半值宽度为70nm以下。2.根据权利要求1所述的核壳型的半导体纳米粒子，其中，发光峰值波长在500nm以上且不足590nm的范围内。3.根据权利要求1或2所述的核壳型的半导体纳米粒子，其中，所述核中，Ga的原子数相对于所述In和Ga的原子数的合计之比为0.2以上且0.9以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的核壳型的半导体纳米粒子，其中，所述核中，Ag的原子数相对于所述Ag、In和Ga的原子数的合计之比为0.05以上且0.55以下。5.根据权利要求1所述的核...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟本司，龟山达矢，岸茉莉乃，宫前千惠，桑畑进，上松太郎，小谷松大祐，仁木健太，
申请(专利权)人：国立大学法人大阪大学日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：