图案化的发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及图案化的发光装置，本发明专利技术的发光结构包括：基板；子像素叠层，其在所述基板之上被图案化；绝缘材料，其被图案化以围绕所述发射叠层；以及堤，其被图案化以围绕所述子像素叠层和所述绝缘材料。所述子像素叠层包括在第一电极层与第二电极层之间的发射叠层。第一电极层与第二电极层之间的发射叠层。第一电极层与第二电极层之间的发射叠层。

【技术实现步骤摘要】
图案化的发光装置


[0001]本公开总体上涉及用于量子点发光二极管(QLED)显示器中的层、堤结构和发射装置。特别是，本专利技术涉及使用溶液加工来制造高分辨率多色显示器。

技术介绍

[0002]在常规的层状式发光装置中，发光材料被夹在空穴传输层与电子传输层以及电极(例如，阳极和阴极)之间。此结构作为二极管工作，当电流流动时，在发光材料中电致发光产生光，并且使其中一个电极局部性透射以允许光提取。例如，在图1A的发光装置100A中，底部电极102配置在基板100上，发射层104配置在底部电极102的表面上，并且第二电极106配置在发射层104的与第一电极102相对的表面上。施加在电极102、106上的偏置电压致使第一电荷载流子(例如，空穴)从这两个电极中的一个电极被注入到该发射层104中并且相反的电荷载流子(例如，电子)被注入到另一个电极中。这些电荷载流子在发射层中复合，使光从该装置发射出来。附加层(如电荷注入层、电荷传输层或电荷阻挡层)可以被配置在该发射层与这些电极之间。
[0003]在一个示例中，所述层状式发光装置包括作为空穴注入体的阳极、配置在所述阳极上的空穴传输层(HTL)、配置在所述HTL上的发光材料层(EML)、配置在所述EML上的电子传输层(ETL)以及配置在所述ETL上的还作为电子注入体的阴极。为了影响电子和/或空穴的注入、传输和阻挡，可以引入附加层。当在这些电极之间施加正向电压偏压时，空穴和电子分别在发光装置中通过HTL和ETL传输，并且空穴和电子在EML中复合，从而发射出光。当EML包括有机材料时，该发光装置通常被称为有机发光二极管(OLED)装置。当EML包含纳米颗粒，例如量子点(QD)时，该发光装置通常被称为量子点发光二极管(QLED)或者是电致发光量子点发光二极管(ELQLED)。
[0004]已经提出制造具有OLED和QLED的多色高分辨率发光装置的不同方法。大多数方法聚焦于在基板的三个不同区域中沉积三种不同类型的材料，使得三种材料(通过电致发光)发射三种不同颜色(例如，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B))的光。一种方法应用各自发射红色、绿色或蓝色的单独发射期间，其通常被称为子像素。
[0005]为了最大化OLED和QLED的像素效率，彻底优化像素的结构以最大化光提取效率。像素结构的优化可能需要特殊设计，以便能够将最大量的光引导出发光显示装置。一些方法集中于反射堤和填充材料以提高提取效率。例如，在具有与图1A的发光装置100A相似的结构的图1B的发光装置100B中，与发光装置100A相比，包括反射堤108以提高提取效率。图1C示出了包括四个圆形发光装置的另一发光装置100C的俯视图。每个圆形发光装置在结构上与图1B中的发光装置100B相似。然而，这种方法需要在形成有堤的基材上均匀形成QLED材料，这会是困难且昂贵的。由于装置的整个发射区域的厚度有变化，缺乏这种均匀的形成往往导致整个子像素(例如，图1C中的106)的发光不均匀。此外，由于在形成有堤的基板上的不均匀沉积，低电阻率路径导致的泄漏路径可能发生高泄漏电流。
[0006]多层结构的制造需要各种材料逐层溶液沉积。正交溶剂通常被用于防止涂覆溶液
干扰下面的层。正交溶剂是极性差异很大的溶剂，如乙醇和己烷。因此，由乙醇沉积的膜不太可能受到随后在己烷溶液中的沉积的材料的影响，反之亦然。然而，这样的解决方案可能仅对没有任何堤的平面结构是有效的。此外，在非极性涂覆溶液的沉积过程中，如果堤是疏水的/亲脂的，涂覆溶液可能优先润湿堤而不是QLED表面，这可能导致在堤附近形成较厚的膜，这又可能对装置效率和发光的均匀性不利。
[0007]例如，在图1D的发光装置100D中，底部电极102配置在基板100上，堤108在底部电极102周围形成以在底部电极102上方产生空腔，并且发射层104配置在底部电极102上且在堤108附近具有不均匀的厚度。如图1D所示，当使用溶液将材料沉积在包含堤的基板上时，材料倾向于累积在基板100和堤108的边缘之间的过渡处。湿溶剂膜的这种非均匀干燥通常被称为“咖啡环”效应，这导致较差的装置性能，因为层的厚度对光电性能具有显著的影响，如显著影响光提取效率和均匀性。类似地，当将极性涂覆溶液沉积到包含亲水/疏脂堤的基板上时，由于在制造过程中使用极性和非极性溶剂，也可能影响装置效率和发光的均匀性。因此，无法仅应用施加极性或非极性堤防止对所有层产生这种影响。
[0008]本公开提供了图案化的EML和互补的绝缘层以改善高效率、高分辨率全彩发光显示面板的制造。

技术实现思路

[0009]本公开涉及LED排列中的量子点电致发光材料的发光显示器。
[0010]根据本公开的第一方面，发光结构包括：基板；子像素叠层，其在所述基板之上被图案化；绝缘材料，其被图案化以围绕发射叠层；以及堤，其被图案化以围绕所述子像素叠层和所述绝缘材料。所述子像素叠层包括在第一电极层与第二电极层之间的发射叠层。
[0011]在第一方面的一个实施方式中，所述发射叠层包括至少一种量子点发光材料，该量子点发光材料包括多个QD。
[0012]在第一方面的另一实施方式中，所述发射叠层包括在第一层状结构与第二层状结构之间的发射层。所述第一层状结构和所述第二层状结构各自包括电荷注入层、电荷传输层和电荷阻挡层中的至少一个。
[0013]在第一方面的又一实施方式中，所述第一层状结构、所述第二层状结构、或所述发射层中的至少一个通过紫外线(UV)诱导的交联被图案化。
[0014]在第一方面的又一实施方式中，所述绝缘材料通过UV诱导交联被图案化。
[0015]在第一方面的又一实施方式中，所述绝缘材料在所述发射叠层的至少一部分上延伸。
[0016]在第一方面的又一实施方式中，所述发光结构还包括沉积在所述第二电极层的至少一部分上的辅助电极层。
[0017]在第一方面的又一实施方式中，所述辅助电极层在两个子像素叠层之间的至少一个堤上延伸。
[0018]在第一方面的又一实施方式中，所述发光结构还包括发出不同颜色的多于一个所述子像素叠层的阵列。所述堤围绕所述多于一个子像素叠层中的每一个。
[0019]根据本公开的第二方面，发光结构包括：基板；第一电极层，其在所述基板上被图案化；堤，其被图案化以围绕所述第一电极层；第一层状结构，其配置在所述第一电极层和
所述堤之上；发射层，其在所述第一层状结构上被图案化，并且位于所述第一电极层之上；绝缘材料，其被图案化以围绕所述发射层，并且在所述堤之上延伸；第二层状结构，其配置在所述发射层和所述绝缘材料之上；以及第二电极层，其配置在所述第二层状结构之上。第一层状结构和第二层状结构各自包括电荷注入层、电荷传输层或电荷阻挡层中的至少一个。
[0020]在第二方面的一个实施方式中，所述发射层包括至少一种量子点发光材料，该量子点发光材料包括多个QD。
[0021]在第二方面的另一实施方式中，所述发射层通过UV诱导交联被图案化。
[0022]在第二方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光结构，其特征在于，包括：基板；以及子像素叠层，其在所述基板之上被图案化，并且所述子像素叠层包括：发射叠层，其位于第一电极层和第二电极层之间；绝缘材料，其被图案化以围绕所述发射叠层；以及堤，其被图案化以围绕所述子像素叠层和所述绝缘材料。2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发射叠层包括至少一种量子点发射材料，该量子点发射材料包括多个量子点。3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发射叠层包括：发射层，其位于第一层状结构和第二层状结构之间；其中，所述第一层状结构和所述第二层状结构各自包括电荷注入层、电荷传输层和电荷阻挡层中的至少一个。4.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于，所述第一层状结构、所述第二层状结构或所述发射层中的至少一个通过紫外线诱导交联被图案化。5.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述绝缘材料通过紫外线诱导交联被图案化。6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述绝缘材料在所述发射叠层的至少一部分上延伸。7.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，进一步包括：辅助电极层，其沉积在所述第二电极层的至少一部分上。8.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述辅助电极层在两个子像素叠层之间的至少一个堤上延伸。9.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，进一步包括：多于一个所述子像素叠层的阵列，所述阵列发射出不同的颜色；其中，所述堤围绕多于一个所述子像素叠层中的每一个。10.一种发光结构，其特征在于，包括：基板；第一电极层，其在所述基板上被图案化；堤，其被图案化以围绕所述第一电极层；第一层状结构，其配置在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：