本发明专利技术提供了一种基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料，所述材料为以二苯并呋喃类为配体，利用膦与多核铜进行配位的化合物。其配体中，二苯并呋喃键合电子给体，提高材料的电子传输性能。刚性的多核铜配合物，作为发光层客体材料，具有良好的光致发光性能，通过分子设计，实现可控调节发光颜色，材料可多样性应用，利于材料的推广及应用。利于材料的推广及应用。
【技术实现步骤摘要】
基于膦配位的多核铜配合物发光材料
[0001]本专利技术属于电致发光材料
，具体涉及一种基于膦配位的多核铜配合物发光材料。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是指有机半导体材料和发光材料在电场作用下发光的技术，其具有全固态结构，能够主动发光。OLED与其它显示技术相比具有亮度高、视角广、响应速度快、低功耗和耐低温等优点。
[0003]OLED器件有三种发光机理：空穴和电子在发光层中复合形成激子，所形成的激子服从概率统计分布，S1激子大约占25％，T1激子大约占75％。第一代发光技术为荧光，通过S1激子发光。其理论最大内量子效率(Internal Quantum Efficiency,IQE)为25％。第二代发光技术为磷光，S1激子通过系间窜越转换为T1激子进而利用其发光，并通过磷光染料来构建电致磷光。其可达到100％的理论最大内量子效率，但是磷光染料所涉及的重金属不仅昂贵而且还污染环境。近期，被称作第三代发光技术的热激发延迟荧光技术得到了很好的发展。当S1和T1之间具有很小的能级差时，T1激子可通过反向系间窜越转换为S1激子，利用其发光。其同样可以实现100％的最大内量子效率。OLED的材料多数需要Ir(III)、Pt(II)、Ru(II)等过渡金属作为客体材料的原料，虽过渡金属配合物在OLED中都有很好的效果，但是这些金属都是昂贵金属，且对环境污染较大，这影响了OLED的工业化和商业化的脚步。
[0004]因此，还需要进一步研究光致发光材料，以提高光致发光材料的外量子效率、电流密度、电流效率、功率效率等综合性能。
技术实现思路
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料，其配体以二苯并呋喃为母体，修饰电子给体，通过膦与多核铜进行配位，提高材料的电子传输性能，电致发光颜色可调，具有良好的光致发光性能，能够使电致发光器件外量子效率得到明显提高，电流效率和功率效率得到有效提升，作为发光层客体材料制备出超低压驱动、高效旋涂制备发光层等，缩短电致发光器件的加工周期，从而完成本专利技术。
[0006]本专利技术第一方面的目的在于提供一种基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料，所述材料为以二苯并呋喃类为配体，利用膦与多核铜进行配位的化合物。
[0007]优选地，所述化合物具有以下结构：
[0008]其中，L为L通过P原子分别与铜进行配位，Ph为苯基；X选自氯、溴或碘，优选为碘；
[0009]R选自取代或未取代的含氮杂三环基；优选选自取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的咔唑基或取代或未取代的吩噻嗪基，其中，取代基选自烷基或苯基，所述烷基选自含碳数量为C1‑
C3的烷基，优选为甲基、乙基、丙基或异丙基，更优选为甲基；更优选为9,9
‑
二甲基吖啶基、9,9
‑
二苯基吖啶基、3,6
‑
二叔丁基咔唑基或吩噻嗪基，具体如下：
[0010][0011]本专利技术第二方面提供了一种基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料的制备方法，所述方法中，利用配体化合物与卤代亚铜在溶剂中进行配位反应，得到所述电致发光材料。
[0012]所述方法具体包括以下步骤：
[0013]步骤1、将二苯并呋喃溴代化合物和氮杂环类化合物加入到溶剂中，加热反应，得到杂环基二苯并呋喃类化合物；
[0014]步骤2、将二苯基卤化膦加入到杂环基二苯并呋喃类化合物溶液中，偶联反应，得到配体化合物；
[0015]步骤3、将卤代亚铜和配体化合物加入到溶剂中，搅拌反应，得到所述基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料。
[0016]本专利技术第三方面还提供了利用所述基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料制备的电致发光器件。
[0017]本专利技术提供的基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料具有以下有益效果：
[0018](1)本专利技术提供的基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料，其配体为以二苯并呋喃为母体，连接电子给体，通过膦与多核铜进行配位，得到的铜配合物具有良好的电子传输性能，电致发光器件外量子效率得到明显提高。
[0019](2)本专利技术提供的基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料，通过分子设计，键接不同的电子给体，可以可控调整材料的电致发光颜色，丰富材料的发光多样性及应用范围。
[0020](3)本专利技术中通过分子设计，基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料的制备方
法简单易行，合成过程中，具有良好的分子选择性，实现可控合成。
[0021](4)由本专利技术提供的基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料作为发光层材料，制备得到的电致发光器件，其外量子效率明显提高，能够实现超低压驱动和高效的旋涂，有利于电致发光器件的生产及推广应用。
附图说明
[0022]图1示出本专利技术实施例1中化合物(Ⅰ)的紫外光谱图和荧光光谱图；
[0023]图2示出本专利技术实施例2中化合物(Ⅱ)的紫外光谱图和荧光光谱图；
[0024]图3示出本专利技术实施例3中化合物(Ⅲ)的紫外光谱图和荧光光谱图；
[0025]图4示出本专利技术实施例4中化合物(Ⅳ)的紫外光谱图和荧光光谱图；
[0026]图5示出本专利技术实施例1中电致发光器件的电压
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亮度关系曲线；
[0027]图6示出本专利技术实施例2中电致发光器件的电压
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亮度关系曲线；
[0028]图7示出本专利技术实施例3中电致发光器件的电压
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亮度效率关系曲线；
[0029]图8示出本专利技术实施例4中电致发光器件的电压
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亮度效率关系曲线；
[0030]图9示出本专利技术实施例1中电致发光器件的电压
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电流密度关系曲线；
[0031]图10示出本专利技术实施例2中电致发光器件的电压
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电流密度关系曲线；
[0032]图11示出本专利技术实施例3中电致发光器件的电压
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电流密度关系曲线；
[0033]图12示出本专利技术实施例4中电致发光器件的电压
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电流密度关系曲线；
[0034]图13示出本专利技术实施例1中电致发光器件的电致发光光谱图；
[0035]图14示出本专利技术实施例2中电致发光器件的电致发光光谱图；
[0036]图15示出本专利技术实施例3中电致发光器件的电致发光光谱图；
[0037]图16示出本专利技术实施例4中电致发光器件的电致发光光谱图；
[0038]图17示出本专利技术实施例1中电致发光器件的亮度
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电流效率关系曲线；
[0039]图18示出本专利技术实施例2中电致发光器件的亮度
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电流效率曲线；
[0040]图19示出本专利技术实施例3中电致发光器件的亮度
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电流效率关系曲线；
[0041]图20示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料，所述材料为以二苯并呋喃类为配体，利用膦与多核铜进行配位的化合物。2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述化合物具有以下结构：其中，L为L通过P原子分别与铜进行配位，Ph为苯基；X选自氯、溴或碘；R选自取代或未取代的含氮杂三环基。3.根据权利要求2所述的材料，其特征在于，X为碘；R选自取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的咔唑基或取代或未取代的吩噻嗪基，其中，所述取代基选自烷基或苯基，所述烷基选自含碳数量为C1‑
C3的烷基，优选为甲基、乙基、丙基或异丙基，更优选为甲基；R优选为9,9
‑
二甲基吖啶基、9,9
‑
二苯基吖啶基、3,6
‑
二叔丁基咔唑基或吩噻嗪基，具体如下：4.根据权利要求1至3之一所述的材料，其特征在于，所述基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料选自化合物Ⅰ～Ⅳ：其中，
L1为L2为L3为L4为L1、L2、L3和L4均通过两个P原子分别与铜进行配位，Ph为苯基。5.一种基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料的制备方法，其特征在于，所述方法中，利用配体化合物与卤代亚铜在溶剂中进行配位反应，得到所述电致发光材料。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：步骤1、将二苯并呋喃溴代化合物和氮杂环类化合物加入到溶剂中，加热反应，得到杂环基二苯并呋喃类化合物；步骤2、将二苯基卤化膦加入到杂环基二苯并呋喃类化合物溶液中，偶联反应，得到配体化合物；步骤3、将卤代亚铜和配体化合物加入到溶剂中，搅拌反应，得到所述基于膦配位的多核铜配合物电致发光材料。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述二苯并呋喃卤代化合物选自2
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【专利技术属性】
技术研发人员：许辉，张楠，张静，呼唤，曲磊，霍然，孟禹杉，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：
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