功率元件及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种功率元件及其制造方法。功率元件包含：半导体层、阱区、本体区、栅极、源极与漏极、场氧化区以及自动对准漂移区。其中，场氧化区形成于半导体层的上表面上，且场氧化区介于栅极与漏极之间。场氧化区由化学机械研磨工艺步骤形成。自动对准漂移区形成于半导体层中，且自动对准漂移区完全位于并连接于场氧化区正下方。区正下方。区正下方。

【技术实现步骤摘要】
功率元件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种功率元件及其制造方法，特别涉及一种具有场氧化区与自动对准漂移区的功率元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]图1A及图1B分别显示一种已知功率元件100的俯视示意图与剖视示意图。图1B显示图1A的AA
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剖线的剖视示意图。所谓的功率元件，是指于正常操作时，施加于漏极的电压高于5V。一般而言，功率元件的漏极与栅极间，具有漂移区12a(如图1B中虚线框范围所示意)，将漏极19与本体区16分隔，且漂移区12a的横向长度根据正常操作时所承受的操作电压而调整。如图1A与图1B所示，功率元件100包含：阱区12、绝缘结构13、本体区16、栅极17、源极18与漏极19。其中，阱区12的导电型为N型，形成于基板11上，绝缘结构13为区域氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)结构，以定义操作区13a，作为功率元件100操作时主要的作用区。操作区13a的范围由图1A中，粗黑虚线框所示意。为提高功率元件100的击穿电压，可延长漂移区12a在通道方向上的长度，但会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率元件，其特征在于，包含：一半导体层，形成于一基板上，该半导体层具有一上表面；一阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层中，且该阱区位于该上表面下并连接于该上表面；一本体区，具有一第二导电型，形成于该半导体层中，且该本体区位于该上表面下并连接于该上表面，该本体区于一通道方向上，与该阱区邻接；一栅极，形成于该上表面上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该功率元件在一导通操作中的一反转电流通道，且部分该阱区位于该栅极正下方，以提供该功率元件在该导通操作中的一漂移电流通道；一源极与一漏极，具有该第一导电型，且该源极与该漏极形成于该上表面下并连接于该上表面，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中；一场氧化区，形成于该上表面上，且该场氧化区介于该栅极与该漏极之间，且该场氧化区由一化学机械研磨工艺步骤形成；以及一自动对准漂移区，具有该第一导电型，形成于该半导体层中，且该自动对准漂移区完全位于并连接于该场氧化区正下方。2.如权利要求1所述的功率元件，其中，还包含一场极板，具有导电性，且该场极板形成于该场氧化区上且连接于该场氧化区，该场极板用以电连接于一预设电位，以缓和该功率元件操作时的电场分布。3.如权利要求1所述的功率元件，其中，该自动对准漂移区的第一导电型杂质浓度低于该漏极的第一导电型杂质浓度，且该自动对准漂移区的第一导电型杂质浓度高于该阱区的第一导电型杂质浓度。4.如权利要求1所述的功率元件，其中，该自动对准漂移区与该场氧化区由同一个微影工艺步骤所定义。5.如权利要求2所述的功率元件，其中，该场极板电连接于该源极。6.一种功率元件制造方法，其特征在于，包含：形成一半导体层于一基板上，该半导体层具有一上表面；形成一阱区于该半导体层中，且该阱区具有第一导电型，且该阱区位于该上表面下并连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱廷，罗国轩，黄建豪，陈巨峰，翁武得，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：