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本发明提出一种功率元件及其制造方法。功率元件包含：半导体层、阱区、本体区、栅极、源极与漏极、场氧化区以及自动对准漂移区。其中，场氧化区形成于半导体层的上表面上，且场氧化区介于栅极与漏极之间。场氧化区由化学机械研磨工艺步骤形成。自动对准漂移区...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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