光波导元件、光调制器件与光发送装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种光波导元件、光调制器件与光发送装置，抑制了频率特性的波谷现象，也抑制了制造成本的增加。光波导元件具有：基板(1)，具有电光效应；光波导(2)，形成于所述基板；以及控制电极，配置于所述基板(1)上，用于对所述光波导中传播的光波进行调制，且所述光波导元件的特征在于，所述控制电极具有信号电极(S)和接地电极，沿着所述光波导的进行调制的调制作用部分配置有所述信号电极(S)和所述接地电极，所述接地电极的与所述基板相向的底面的形状中，将所述接地电极分离为靠近所述信号电极(S)的第一接地电极(G1)与远离所述信号电极的第二接地电极(G2)的狭缝(SL)形成于与所述调制作用部分对应的范围。所述调制作用部分对应的范围。所述调制作用部分对应的范围。

【技术实现步骤摘要】
光波导元件、光调制器件与光发送装置


[0001]本技术涉及一种光波导元件以及使用此光波导元件的光调制器件与光发送装置，特别涉及一种抑制了高频特性的波谷(dip)现象的光波导元件。

技术介绍

[0002]在光测量
或光通信
中，多使用光调制器等使用形成有光波导的基板的光波导元件。近年来，为了应对移动通信的流量的增大，要求以更高频段(例如30GHz～300GHz)使用光调制器。
[0003]图1为表示以往的光波导元件的一例的截面图。图1中，在铌酸锂(LN)等的具有电光效应的基板1，使钛(Ti)等进行热扩散而形成光波导2。在基板1上，形成有用于对光波导施加电场的控制电极，具体而言，形成有信号电极S及以夹持此信号电极S的方式形成的接地电极G。
[0004]接地电极的下部呈向信号电极侧突出的形状。其原因在于，通过在光波导的附近缩窄信号电极与接地电极的间隔，从而增强对光波导施加的电场。另一方面其原因在于，电极上部通过扩大信号电极与接地电极的间隔，从而实现光波导中传播的光波、与信号电极中传播的微波的速度匹配，并且增加控制电极的阻抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光波导元件，其特征在于，包括：基板，具有电光效应；光波导，形成于所述基板；以及控制电极，配置于所述基板上，用于对所述光波导中传播的光波进行调制，且所述光波导元件中，所述控制电极具有信号电极和接地电极，沿着所述光波导的进行调制的调制作用部分配置有所述信号电极和所述接地电极，所述接地电极的与所述基板相向的底面的形状中，将所述接地电极分离为靠近所述信号电极的第一接地电极与远离所述信号电极的第二接地电极的狭缝形成于与所述调制作用部分对应的范围。2.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，和所述调制作用部分延伸的方向垂直的方向的、所述狭缝的宽度为40μm以上。3.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，和所述调制作用部分延伸的方向垂直的方向的、所述第一接地电极的底面部分的宽度为100μm以下。4.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，和所述调制作用部分延伸的方向垂直的方向的所述狭缝的宽度(WSL)、与和所述调制作用部分延伸的方向垂直的方向的所述第一接地电极的底面部分的宽度(WG1)之比即WSL/WG1为0.4以上。5.根据权利要求1或2所述的光波导元件，其特征在于，所述第一接地电极的形状包括下侧部分比上侧部分更接近所述信号电极的、L字形状的多段结构，和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：本谷将之，片冈利夫，
申请(专利权)人：住友大阪水泥株式会社，
类型：新型
国别省市：