一种电光调制器制造技术

本申请公开了一种电光调制器，用以防止铌酸锂电光调制器沿晶体的解理面裂开。所述电光调制器包括：铌酸锂晶体，以及设置于铌酸锂晶体的光波导结构、高频调制电极；所述高频调制电极具有与外电路连接的电极引出结构，其中，所述电极引出结构设置于铌酸锂晶体的外平面；所述电极引出结构包括平行设置的多个条状电极，所述多个条状电极所在直线平行于所述铌酸锂晶体的解理方向。采用本申请所提供的电光调制器能够减小电极与铌酸锂晶体之间的应力，进而降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。而降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。而降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种电光调制器


[0001]本申请涉及电光调制器
，特别涉及一种电光调制器。

技术介绍

[0002]电光调制的物理基础是电光效应，即是晶体在外加电场的作用下，其光学参数受外加电场影响。当光波通过此晶体时，同时将含有信号的电场加到晶体上，光波的传输特性也随外加电场的变化而改变，即在光波中携带了电信号中包含的信息。电光调制器的调制晶体是电光调制器的核心部件。目前光纤通讯领域所用的电光调制器大多是以铌酸锂材料晶体为调制晶体的调制器。由于晶体结构特点，铌酸锂电光调制器在制造过程或使用过程中，常常发生沿解理面裂开而导致器件失效的情况。尤其在高频调制电极的焊盘附近，因为金属焊盘和铌酸锂晶体的热胀系数差异，温度变化时在二者之间会累积较大的应力，导致铌酸锂沿解理面裂开。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种电光调制器，用以防止铌酸锂电光调制器沿晶体的解理面裂开。
[0004]本申请提供一种电光调制器，包括：
[0005]铌酸锂晶体，以及设置于铌酸锂晶体的光波导结构、高频调制电极；
[0006]所述高频调制电极具有与外电路连接的电极引出结构，其中，所述电极引出结构设置于铌酸锂晶体的外平面；所述电极引出结构包括平行设置的多个条状电极，所述多个条状电极所在直线平行于所述铌酸锂晶体的解理方向。
[0007]本申请的有益效果在于：本申请所提供的电光调制器，通过在铌酸锂晶体外平面设置的多个条状电极来替代金属焊盘，且条状电极的方向与铌酸锂晶体的解理方向平行，进而当发生热膨胀时，减小电极与铌酸锂晶体之间的应力，降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。
[0008]在一个实施例中，在所述平行设置的多个条状电极之间，设置有空隙或不同于所述多个条状电极材料的填充材料。
[0009]在一个实施例中，所述填充材料的热胀系数不同于所述多个条状电极。
[0010]在一个实施例中，所述电光调制器还包括：
[0011]连接引线，与所述多个条状电极中的至少一个条状电极连接，用于实现所述多个条状电极与所述高频调制电极之间的连接。
[0012]在一个实施例中，所述条状电极、所述连接引线和所述高频调制电极的厚度一致。
[0013]在一个实施例中，所述光波导结构具有特定的光波导方向，所述光波导方向与所述铌酸锂晶体的解理方向的夹角处于预设夹角区间。
[0014]在一个实施例中，所述电极引出结构直接或间接设置于所述铌酸锂晶体的外平面，包括所述电极引出结构以电极金属直接设置于所述铌酸锂晶体的外平面；还包括，所述电极引出结构的电极金属和所述铌酸锂晶体的外平面之间设置有导电介质层。
[0015]在一个实施例中，所述多个条状电极之间通过条状电极连接线进行电连接。
[0016]在一个实施例中，所述电极引出结构通过柔性印刷电路连接于驱动/信号电路。
[0017]在一个实施例中，所述电极引出结构与柔性印刷电路之间通过各向异性导电胶进行连接。
[0018]本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0019]下面通过附图和实施例，对本申请的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0020]附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0021]图1A分别为本申请一实施例中一种电光调制器的前视图；
[0022]图1B分别为本申请一实施例中一种电光调制器的前视图；
[0023]图2为本申请一实施例中一种电光调制器的俯视图；
[0024]图3为本申请一实施例中一种电光调制器中条状电极设置方向示意图。
具体实施方式
[0025]以下结合附图对本申请的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本申请，并不用于限定本申请。
[0026]图1A和图1B分别为本申请一实施例中一种电光调制器的前视图，如图1A和图1B所示，该电光调制器包括：铌酸锂晶体，以及设置于铌酸锂晶体的光波导结构、高频调制电极。需要说明的是，高频调制电极所具有的电极引出结构可以直接或间接的设置于铌酸锂晶体的外平面，也就是说如图1A所示，电极引出结构可以直接设置于铌酸锂晶体上；也可以如图1B所示电极引出结构设置于铌酸锂表面的介质层上，该介质层为导电介质层，如氧化硅。
[0027]图2为本申请一实施例中一种电光调制器的俯视图，图3为本申请一实施例中一种电光调制器中条状电极设置方向示意图，如图2和图3所示，所述高频调制电极具有与外电路连接的电极引出结构，其中，所述电极引出结构设置于铌酸锂晶体的外平面；所述电极引出结构包括平行设置的多个条状电极，所述多个条状电极所在直线平行于所述铌酸锂晶体的解理方向。
[0028]如图2所示，电极引出结构包含有多个平行的条状电极。根据热应力公式σ＝L*
△
α，其中L是接触长度，
△
α是两种材料的热胀系数差值。由于在垂直于铌酸锂晶体解理面的方向每个条状电极与铌酸锂晶体直接接触的长度L较传统的金属焊盘大大减小，在发生热膨胀的情况下，条状电极与铌酸锂晶体之间的应力减小；此外，如图3所示，在本申请中，所述多个条状电极设置的方向平行于铌酸锂晶体的解理方向，在发生热膨胀的情况下，热应力主要沿平行于解理面的方向，进一步减小了铌酸锂晶体在解理方向受到的应力。因此，通过设置平行于铌酸锂晶体解理方向的条状电极，减小了条状电极与铌酸锂晶体之间的应力，降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。
[0029]本申请的有益效果在于：本申请所提供的电光调制器，通过在铌酸锂晶体外平面
设置的多个条状电极来替代金属焊盘，且条状电极的方向与铌酸锂晶体的解理方向平行，进而当发生热膨胀时，减小了电极与铌酸锂晶体之间的应力，降低了铌酸锂晶体沿解理面裂开的风险。
[0030]在一个实施例中，在所述平行设置的多个条状电极之间，设置有空隙或不同于所述多个条状电极材料的填充材料。进一步，所述填充材料的热胀系数不同于所述多个条状电极。
[0031]在本实施例中，由于条状电极之间设置有空隙或不同于所述多个条状电极材料的填充材料：
[0032]当条状电极之间设置为空隙时，在发生热膨胀时，具有一定高度的条状电极可利用自身的应变来释放部分热应力，进一步减小了条状电极与铌酸锂晶体接触部位之间产生的应力。
[0033]当条状电极之间设置为填充材料时，该填充材料可以是导电材料，如导电胶；还可以是半导体或绝缘体，如氧化硅、氮化硅、多晶硅等。该填充材料使得铌酸锂晶体的热膨胀系数介于条状电极和填充材料之间，进而当发生热膨胀时，填充材料相对铌酸锂晶体的膨胀率与金属电极相对于铌酸锂晶体的膨胀率相反，使包含填充材料的电极层整体膨胀率与铌酸锂晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光调制器，其特征在于，包括：铌酸锂晶体，以及设置于铌酸锂晶体的光波导结构、高频调制电极；所述高频调制电极具有与外电路连接的电极引出结构，其中，所述电极引出结构设置于铌酸锂晶体的外平面；所述电极引出结构包括平行设置的多个条状电极，所述多个条状电极所在直线平行于所述铌酸锂晶体的解理方向。2.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，在所述平行设置的多个条状电极之间，设置有空隙或不同于所述多个条状电极材料的填充材料。3.如权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述填充材料的热胀系数不同于所述多个条状电极。4.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述电光调制器还包括：连接引线，与所述多个条状电极中的至少一个条状电极连接，用于实现所述多个条状电极与所述高频调制电极之间的连接。5.如权利要求4所述的光电调制器，其特征在于，所述条状电极、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雪征，
申请(专利权)人：北京世维通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：