【技术实现步骤摘要】
一种片上多物理场调控装置
[0001]本技术属于芯片领域，尤其涉及一种片上多物理场调控装置。
技术介绍
[0002]随着数据中心、光通信的发展，数据流量呈现爆炸式增长，研究新一代具有超带宽、高调制效率的片上光调制器变得尤为重要。传统的基于铌酸锂材料的调制器，受限于铌酸锂本身电光系数低，器件的尺寸一般在厘米量级，对于大规模集成非常具有挑战性，也增加了片上光调制器设备的成本。随着硅基光子学的发展，人们开始探索在硅基上实现光调制器，然而由于硅材料本身是中心对称晶体，缺少二阶非线性效应，目前硅基电光调制器大多基于等离子体色散效应，通过调控载流子的浓度进而改变硅材料的折射率。然而该调制机理的调制速率和调制带宽受到载流子寿命的限制，并且难以实现单独的相位调制。
[0003]常见的多物理场调控的设计方案：空隙波导异质集成光调制器、亚波长光栅波导异质集成光调制器、表面等离子体激元
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介质异质集成光调制器，这种方案中空隙波导异质集成光调制器随着空隙宽度的增加会大幅度降低对光载波的限制能力，降低空隙波导的宽度也会给制作...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种片上多物理场调控装置，其特征在于，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，所述信号发生器及光源分别与所述异质集成光调制器连接，所述信号发生器输出调制电信号至所述异质集成光调制器，所述光源输出光载波至所述异质集成光调制器，所述异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，所述电光材料层覆盖在所述光波导层的表面，所述电极层设于所述电光材料层的表面，所述光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构。2.根据权利要求1所述的一种片上多物理场调控装置，其特征在于，所述光波导层包括输入光单元、调制单元及输出光单元，所述输入光单元的输入端与所述光源连接，所述输入光单元的输出端与所述调制单元的输入端连接，所述输出光单元的输入端与所述调制单元的输出端连接。3.根据权利要求2所述的一种片上多物理场调控装置，其特征在于，所述调制单元包括电连接结构及空隙结构，所述空隙结构包括第一波导块及第二波导块，所述电连接结构包括用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐小川，李艳梅，冯玚，丁卢炜，颜利康，姚勇，何枫，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳，
类型：新型
国别省市：
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