一种SiC晶棒黏结装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体晶片技术领域，一种SiC晶棒黏结装置，包括底座、工件板、对齐组件和定位座；底座上表面设有滑轨，工件板底部开设有能够在滑轨上前后移动的滑槽；对齐组件包括安装在底座上的第一对齐工件和安装在定位座上的第二对齐工件，其中第一对齐工件和第二对齐工件之间平行分布，工件板上需要粘结的晶棒放置在工件板的顶部，且晶棒的位置与对齐组件平行；工件板的顶面为水平面，定位座安装在工件板的顶面上，其中第二对齐工件锁紧在定位座靠近第一对齐工件的一侧面上；第一对齐工件锁紧在底座上。本申请具有效降低了操作难度，提高黏结效果和粘结品质。黏结效果和粘结品质。黏结效果和粘结品质。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC晶棒黏结装置


[0001]本申请涉及半导体晶片
，尤其是涉及一种SiC晶棒黏结装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅)，第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)，第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓)。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
[0003]一片高品质SiC衬底片，从晶锭、滚圆到晶棒切成晶片，再从切割晶片经过研磨、抛光、清洗等制程到衬底片，无不对晶片的平整度、粗糙度、表面形貌有着极高要求。正是由于其复杂的工艺和极高的品质要求，从SiC长晶到SiC芯片器件完成，衬底片占总加工成本的价格高达50％。其主要集中在长晶、晶片切割(包含面型和晶向)和化学抛光三段制程。
[0004]现有技术中的晶向切割之前需要对晶棒进行晶向摆正和粘结工件板，现有技术中多采用人工混胶并均匀涂抹本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC晶棒黏结装置，其特征在于：包括底座(1)、工件板(2)、对齐组件(3)和定位座(4)；所述底座(1)上表面设有滑轨(11)，所述工件板(2)底部开设有能够在滑轨(11)上前后移动的滑槽(21)；所述对齐组件(3)包括安装在底座(1)上的第一对齐工件(31)和安装在定位座(4)上的第二对齐工件(32)，其中第一对齐工件(31)和第二对齐工件(32)之间平行分布，所述工件板(2)上需要粘结的晶棒(5)放置在工件板(2)的顶部，且晶棒(5)的位置与对齐组件(3)平行；所述工件板(2)的顶面为水平面，所述定位座(4)安装在工件板(2)的顶面上，其中第二对齐工件(32)锁紧在定位座(4)靠近第一对齐工件(31)的一侧面上；第一对齐工件(31)锁紧在底座(1)上。2.根据权利要求1所述的一种SiC晶棒黏结装置，其特征在于：所述第一对齐工件(31)底部通过螺栓锁紧在底座(1)上，第一对齐工件(31)和第二对...

【专利技术属性】
技术研发人员：张京伟，奚衍罡，卢东阳，王洁，
申请(专利权)人：南通罡丰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：