【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，尤其涉及一种碳化硅晶圆切割设备。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆，在晶圆本体的使用时，还需要对晶圆进行分切，切割成芯片规整的大小。
2、现有的晶圆切割存在以下问题：现在的晶圆切割会采用手动的切割过程，也会采用更加精密的设备来进行晶圆的切割，其中通过激光的切割技术是现在的主流技术，但是现在的激光切割载台为平面载台，也就是晶圆直接与载台接触，使得底部没有支撑部位，需要完全依靠激光切割的穿透才能切割完成，这样在晶圆切割的切割断面会产生激光束同样宽度的断面甚至大于激光束的断面，晶圆又比较珍贵因此会造成更多的浪费，参考玻璃的切割只需要在表面产生划痕后，外界施力即可产生断裂，因此，现在的晶圆切割设备需要对晶圆的底部载台以及切割方式上进行改进，来解决现在晶圆切割存在晶圆本体的浪费问题，而现有技术不易解决此类问题，因此，亟需碳化硅晶圆切割设备来解决上述问题
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶圆切割设备，包括主机箱(1)，所述主机箱(1)的前侧底部位置通过螺栓固定有前置底座(2)，所述主机箱(1)的底部内壁设置有载台机构，其特征在于，所述前置底座(2)的顶部设置有涂蜡机构，所述主机箱(1)的顶部内壁设置有切割机构，所述载台机构包括主机箱(1)底部通过螺栓固定的切割载台底座(21)，所述切割载台底座(21)的顶部中间通过螺栓螺栓固定有第二电动推杆(22)，所述第二电动推杆(22)的顶部输出轴通过螺栓固定有切割载台顶座(24)，所述切割载台顶座(24)的顶部中间位置设置有水平的激光底盒(5)，所述激光底盒(5)的顶部圆周位置固定有透明顶盘(6)...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆切割设备，包括主机箱(1)，所述主机箱(1)的前侧底部位置通过螺栓固定有前置底座(2)，所述主机箱(1)的底部内壁设置有载台机构，其特征在于，所述前置底座(2)的顶部设置有涂蜡机构，所述主机箱(1)的顶部内壁设置有切割机构，所述载台机构包括主机箱(1)底部通过螺栓固定的切割载台底座(21)，所述切割载台底座(21)的顶部中间通过螺栓螺栓固定有第二电动推杆(22)，所述第二电动推杆(22)的顶部输出轴通过螺栓固定有切割载台顶座(24)，所述切割载台顶座(24)的顶部中间位置设置有水平的激光底盒(5)，所述激光底盒(5)的顶部圆周位置固定有透明顶盘(6)，所述切割载台顶座(24)的顶部两侧位置均设置有取料机构。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆切割设备，其特征在于，所述涂蜡机构包括前置底座(2)顶部固定的四个支撑柱(14)，四个支撑柱(14)的顶部放置有晶圆盘(17)，所述晶圆盘(17)的中间位置开设有晶圆槽(18)，所述前置底座(2)的顶部中间开设有第一孔洞，且第一孔洞的内壁滑动固定有水平的升降蜡盘(15)，所述升降蜡盘(15)的顶部开设有盛蜡槽(16)。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆切割设备，其特征在于，所述取料机构包括切割载台顶座(24)顶部两侧开设的侧槽，所述侧槽的底部通过螺栓铰接固定有斜支架(12)，所述斜支架(12)的顶部铰接有水平设置的取料支架(13)，所述取料支架(13)的一端插接固定有水平设置的取料叉(19)，所述斜支架(12)的底部中间与侧槽的底部之间铰接固定有同一个第三电动推杆(30)，所述切割载台顶座(24)的底部固定有四个切割载台限位杆(23)，且四个切割载台限位杆(23)与切割载台底座(21)的顶部相滑动插接。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆切割设备，其特征在于，所述切割载台顶座(24)的顶部开设有两个激光底盒滑槽(31)，所述激光底盒(5)的底部通过螺栓固定有两个激光底盒滑座(38)，且两个激光底盒滑座(38)分别与两个激光底盒滑槽(31)滑动卡接设置。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆切割设备，其特征在于，所述切割机构包括主机箱(1)顶部通过螺栓固定的两个前端盖(20)，且两个前端盖(20)相靠近的一侧均固定有滑移支架(26)，两个滑移支架(26)靠近的一侧均滑动卡接有第一滑块(27)，...
【专利技术属性】
技术研发人员：奚衍罡，王洁，石广申，马嘉俊，
申请(专利权)人：南通罡丰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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