一种真空管路结构及半导体镀膜设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体设备加工技术领域，具体涉及一种真空管路结构及半导体镀膜设备。本发明专利技术提供的一种真空管路结构，包括第一管道、高真空隔离阀、分子泵、分支管道、粗抽管道和真空规；所述第一管道、所述高真空隔离阀、所述分子泵、所述分支管道和所述粗抽管道首尾依次相连；所述分支管道上安装有前级隔离阀；所述粗抽管路上安装有电磁阀和低真空隔离阀，所述低真空隔离阀安装于粗抽管路上靠近所述第一管道的一端，所述分支管道与所述粗抽管路的连接处位于所述电磁阀和所述低真空隔离阀之间。能够及时掌握高真空管路、反应腔、分支管道和粗抽管路的泄露情况，避免因发生泄漏而污染管路系统及腔体。系统及腔体。系统及腔体。

【技术实现步骤摘要】
一种真空管路结构及半导体镀膜设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体涉及一种真空管路结构及半导体镀膜设备。

技术介绍

[0002]在HDP
‑
CVD设备中，为了维持反应腔内高真空洁净环境，配备了带有分子泵的高真空管路和带有干泵的粗抽管路。同时在粗抽管路与腔体之间配有低真空隔离阀，分子泵与腔体之间配有高真空隔离阀，粗抽管路与分子泵之间配有前级隔离阀，但存在以下风险：
[0003]1.为了维持反应腔内高真空环境，需要定期监测反应腔及真空管路的静态漏率，具体的步骤为，将反应腔抽至底压后，打开高真空隔离阀，关闭低真空隔离阀和前级隔离阀，利用安装在反应腔上的真空规测量反应腔和高真空管路上的静态漏率，但是由于低真空隔离阀位于紧邻腔体的部位且低真空隔离阀处于关闭状态，因此只能监测腔体和高真空管路的静态漏率，无法监测低真空隔离阀至干泵之间的粗抽管路静态漏率，无法及时掌握粗抽管路的泄露情况，一旦粗抽管路发生泄漏，容易污染管路系统及腔体。
[0004]2.在拆卸维护分子泵时，需要先将高真空隔离阀和前级隔离阀关闭，然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空管路结构，其特征在于，包括第一管道(1)、高真空隔离阀(2)、分子泵(3)、分支管道(402)、粗抽管路(4)和真空规(6)；所述第一管道(1)、所述高真空隔离阀(2)、所述分子泵(3)、所述分支管道(402)和所述粗抽管路(4)首尾依次相连；所述分支管道(402)上安装有前级隔离阀(7)；所述粗抽管路(4)上安装有电磁阀(8)和低真空隔离阀(5)，所述低真空隔离阀(5)安装于粗抽管路(4)上靠近所述第一管道(1)的一端，所述分支管道(402)与所述粗抽管路(4)的连接处位于所述电磁阀(8)和所述低真空隔离阀(5)之间；所述真空规(6)至少设置有一个，所述真空规(6)安装于所述粗抽管路(4)上，和/或，所述真空规(6)安装于所述分支管道(402)上。2.根据权利要求1所述的一种真空管路结构，其特征在于，所述真空规(6)安装于所述粗抽管路(4)上，所述真空规(6)位于所述电磁阀(8)和所述低真空隔离阀(5)之间。3.根据权利要求1所述的一种真空管路结构，其特征在于，所述真空规(6)安装于所述分支管道(402)上，所述真空规(6)位于所述前级隔离阀(7)与所述粗抽管路(4)之间。4.根据权利要求1所述的一种真空管路结构，其特征在于，所述粗抽管路(4)包括依次相连接的弯管(403)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钦波，孙鸿智，姜宏亮，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：