用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及离子体增强化学气相沉积设备领域，具体涉及用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备，包括均匀分布的多个分片，任一所述分片上至少设有一个连接点，用于与第二金属导电件连接，所述第二金属导电件远离所述分片的一端均连接电极板，以实现多点功率馈入所述电极板。阴极组件具有电极板，电极板绕中心圆周连接有多个铜棒，多个铜棒之间连接有多点馈入铜片，多点馈入铜片连接有铜片，铜片连接有电源适配器。本实用新型专利技术提供的真空镀膜设备使用上述阴极组件，通过在电极板上面使用多点馈入方式，改变电磁波馈入点，电磁波路径改变，避开电磁波相长干涉，消除驻波效应。消除驻波效应。消除驻波效应。

【技术实现步骤摘要】
用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备


[0001]本技术涉及离子体增强化学气相沉积设备领域，具体涉及一种用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，以太阳能电池镀膜为例，载板装载硅片在主机工艺腔室内完成镀膜工艺。随着技术的进步，及新工艺的开发，对设备量产产能的需求不断提高，导致工艺腔面积不断增大。对于平板电容耦合(CCP)结构设备，面临一大问题，设备尺寸增加，配套的阴极组件电极板尺寸也同时增加，当阴极组件电极板对角线尺寸接近1/4 波长，腔室内会电磁波产生驻波效应，导致电场不均匀，影响镀膜效果。不同频率电源波长，13.56MHz电源，1/4波长5.53米。40MHz电源，1/4 波长1.875米。60MHz电源，1/4波长1.25米。80MHz电源，1/4波长0.9375 米。80MHz电源，1/4波长0.9375米。80MHz电源，1/4波长0.75米。应用材料ATK10.5G设备，阴极组件电极板尺寸约3.53
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3.1米，对角线长度接近4.7米，已经接近13.56MHz电源1/4波长，理论上会产生驻波效应，影响电场均匀性。如果使用40MHz电源，驻波效应明显，电场均匀性差。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备。
[0004]实现本技术目的的技术方案是：
[0005]一种用于真空镀膜设备的阴极组件，包括第一金属导电件，与至少一个电源配电器连接，所述第一金属导电件为呈散射状的金属片，包括均匀分布的多个分片，任一所述分片上至少设有一个连接点，用于与第二金属导电件连接，所述第二金属导电件远离所述分片的一端均连接电极板，以实现多点功率馈入所述电极板。
[0006]上述技术方案还包括第三金属导电件和弹性导电件，所述第一金属导电件通过所述第三金属导电件与所述电源配电器连接，所述第二金属导电件通过所述弹性导电件连接于所述电极板。
[0007]上述技术方案所述第一金属导电件和所述第三金属导电件为铜片，所述第二金属导电件为铜杆件，所述铜片和所述铜杆件表面涂有防氧化层。
[0008]上述技术方案所述第二金属导电件环绕所述第一金属导电件的中心均匀布设，任一所述分片上还设有U型结构。
[0009]上述技术方案所述电源配电器设有两个，使用的电源频率为高频电源范围3～30MHz，甚高频范围30～300MHz。
[0010]一种真空镀膜设备，包括上述的真空镀膜设备的阴极组件。
[0011]上述技术方案包括一腔体，所述腔体上方设有上盖，所述上盖上方设有第一护罩，所述第一护罩上方设有第二护罩，所述电极板设于所述腔体内，所述第一金属导电件位于
所述第一护罩内，所述上盖上设有贯穿孔，所述第二金属导电件穿过所述贯穿孔连接于所述电极板，所述电源配电器设于所述第二护罩内。
[0012]上述技术方案所述第二金属导电件套设有绝缘热缩管，所述第一金属导电件通过绝缘支撑架架设在所述上盖上方，所述腔体内侧靠近所述电极板部分设有绝缘板。
[0013]上述技术方案所述电极板与所述第一金属导电件平行设置，沿第一方向，所述电极板投影尺寸范围为正方形，边长为1m～4m。
[0014]上述技术方案所述第一护罩的一侧连接有进气风扇，另一侧连接有排风风扇。
[0015]采用上述技术方案后，本技术具有以下积极的效果：
[0016](1)本技术使用平面型阴极组件电极板，通过在电极板上面使用多点馈入方式，改变电磁波馈入点，电磁波路径改变，避开电磁波相长干涉，消除驻波效应。
[0017](2)本技术可以采用双电源匹配器，对阴极组件电极板进行局部供电控制，每只电源控制电极板1/2区域，使用相位调节技术，进一步消除驻波效应。其中一个电源相位0度，另一个电源相位可以根据需要进行相位超前或滞后调整，这样2组电源产生的电磁波，可以避免波形相长干涉，避免产生驻波效应。
附图说明
[0018]图1为本技术的一实施例中的阴极组件结构示意图；
[0019]图2为本技术一实施例中的阴极组件剖面示意图；
[0020]图3为本技术一实施例中的第一金属导电件3的俯视示意图；
[0021]图4为本技术一实施例中的第一金属导电件3的俯视示意图；
[0022]图5为本技术一实施例中的第一金属导电件3的俯视示意图。
[0023]图中：第一金属导电件3、电源配电器5、分片34、第二金属导电件2、电极板1、第三金属导电件4、弹性导电件11、U型结构33、腔体100、上盖7、第一护罩8、第二护罩9、贯穿孔71、绝缘热缩管12、绝缘支撑架 10、绝缘板6、进气风扇81、排风风扇82、载板14、通气管道13、第一连接点31、第二连接点32。
具体实施方式
[0024]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0025]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者
是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0029]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于真空镀膜设备的阴极组件，其特征在于：包括第一金属导电件(3)，与至少一个电源配电器(5)连接，所述第一金属导电件(3)为呈散射状的金属片，包括均匀分布的多个分片(34)，任一所述分片(34)上至少设有一个连接点，用于与第二金属导电件(2)连接，所述第二金属导电件(2)远离所述分片(34)的一端均连接电极板(1)，以实现多点功率馈入所述电极板(1)。2.根据权利要求1所述的一种用于真空镀膜设备的阴极组件，其特征在于：还包括第三金属导电件(4)和弹性导电件(11)，所述第一金属导电件(3)通过所述第三金属导电件(4)与电源配电器(5)连接，所述第二金属导电件(2)通过所述弹性导电件(11)连接于所述电极板(1)。3.根据权利要求2所述的一种用于真空镀膜设备的阴极组件，其特征在于：所述第一金属导电件(3)和所述第三金属导电件(4)为铜片，所述第二金属导电件(2)为铜杆件，所述铜片和所述铜杆件表面涂有防氧化层。4.根据权利要求1所述的一种用于真空镀膜设备的阴极组件，其特征在于：所述第二金属导电件(2)环绕所述第一金属导电件(3)的中心均匀布设，任一所述分片(34)上还设有U型结构(33)。5.根据权利要求1所述的一种用于真空镀膜设备的阴极组件，其特征在于：所述电源配电器(5)设有两个，使用的电源频率为高频电源范围3～30...

【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，候岳明，宋广华，朱海剑，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：