沉积设备制造技术

技术编号:36597308 阅读:22 留言:0更新日期:2023-02-04 18:08
一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中,并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方,并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方,使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接。气体引导构件具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔,并且多个引导孔设置在气体引导构件的内表面上。面上。面上。

【技术实现步骤摘要】
沉积设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10

2021

0098497的优先权,该申请的专利技术构思以引用方式并入本文中。


[0003]本专利技术构思涉及一种沉积设备。

技术介绍

[0004]在用于金属的成核的沉积设备中,气体(Ar、WF6)从腔室的上部注入,并且被供应到气体引导构件,并且通过气体引导构件的侧表面供应硼烷(B2H6)(还原材料)。此外,供应到用以将气体供应到晶片的上表面的气体引导构件的气体在气体引导构件的流动路径孔中混合。同时,硼烷(B2H6)气体(供应到气体引导构件的侧表面的气体)通过连接到流动路径孔同时穿过气体引导构件的内部的狭缝被引入到流动路径孔中。
[0005]然而,可能存在的问题在于,可能无法由引入到气体引导构件的侧部注入口中的硼烷气体将供应到晶片的气体均匀地供应到晶片。

技术实现思路

[0006]本专利技术构思的一方面提供了一种能够减小供应到晶片的气体的偏转并且将该气体供应到晶片的沉积设备。
[0007]根据本专利技术构思的一方面,沉积设备包括:腔室,该腔室中具有至少一个第一进气口并且具有内部空间;固定卡盘,其安装在腔室中;静电卡盘,其安装在固定卡盘上;边缘环,其安装在静电卡盘上,以设置在静电卡盘的边缘上;喷头,其设置在边缘环上方;挡板,其设置在喷头上方;上电极,其设置在挡板上方;气体引导构件,其设置在上电极上方,使得设置在上电极中的流动路径与第一进气口连接,其中,气体引导构件具有空心圆柱形状,该空心圆柱形状具有在朝上方向和朝下方向上穿透的流动路径孔,并且通过其引入气体的至少两个侧部供应口设置在气体引导构件的外表面上,并且允许通过侧部供应口引入的气体引入到气体引导构件的流动路径孔中的多个引导孔可以设置在气体引导构件的内表面上,其中,引入到第一进气口和侧部供应口中的气体可以在流动路径孔中混合。
附图说明
[0008]从以下结合附图的详细描述中,将更清楚地理解本专利技术构思的以上和其它方面、特征和优点,在附图中:
[0009]图1是示出根据示例实施例的沉积设备的示意性透视图;
[0010]图2是示出根据示例实施例的沉积设备的一部分的局部分解透视图;
[0011]图3是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的截面图;
[0012]图4是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的气体引导部分
的截面图;
[0013]图5是示出通过根据现有技术的气体引导构件的气流分布的示意图;
[0014]图6是示出通过根据本专利技术构思的示例实施例的沉积设备的气体引导构件的气流分布的解释图;
[0015]图7是示出在俯视图中通过根据现有技术的气体引导构件而分布在挡板之下的B2H6气体的质量分数的解释图;
[0016]图8是示出在俯视图中通过根据本专利技术构思的示例实施例的沉积设备的气体引导构件而分布在挡板之下的B2H6气体的质量分数的解释图;
[0017]图9是示出在根据现有技术的气体引导构件的上部/侧部气流混合区域附近的速度分布的示意图;
[0018]图10是示出在根据本专利技术构思的示例实施例的气体引导构件的上部/侧部气流混合区域附近的速度分布的解释图;
[0019]图11是示出当使用根据现有技术的气体引导构件执行工艺时在晶片的上表面上的沉积厚度分布的解释图;
[0020]图12是示出当使用根据本专利技术构思的示例实施例的气体引导构件执行工艺时在晶片的上表面上的沉积厚度分布的解释图;
[0021]图13是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的截面图;
[0022]图14是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的截面图;
[0023]图15是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的截面图;
[0024]图16是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的截面图;以及
[0025]图17是示出根据示例实施例的设置在沉积设备中的气体引导构件的截面图。
具体实施方式
[0026]在下文中,将参照如下附图描述本专利技术构思的示例实施例。
[0027]图1是示出根据示例实施例的沉积设备的示意性透视图,图2是示出根据示例实施例的沉积设备的局部分解透视图。
[0028]参照图1和图2,根据示例实施例的沉积设备100包括腔室110、固定卡盘120、静电卡盘130、边缘环140、喷头150、挡板160、上电极170和气体引导构件180。
[0029]腔室110具有例如能够对四个晶片(未示出)执行沉积工艺的内部空间。同时,腔室110可以设置有用于晶片的进出的进出口111,并且进出口111可以在工艺期间关闭。同时,腔室110可以在其上表面上设置有用于将气体供应到晶片的第一进气口112。根据容纳在腔室110中的晶片的数量,可以设置多个第一进气口112。例如,四个第一进气口112可以设置在腔室110的上端部分中。此外,腔室110可以设置有用于将气体供应到随后要描述的气体引导构件180的侧表面的第二进气口113。
[0030]作为示例,第一进气口112和第二进气口113通过气体供应线(未示出)连接到气体供应源,并且可以安装用于控制气体供应线上的流速的构造(例如,阀门和质量流量控制器(MFC))。
[0031]固定卡盘120安装在腔室110中,其中安装有静电卡盘130的安装沟槽121形成在固定卡盘120中。作为示例,固定卡盘120可以由具有优异的导电性的导电材料(诸如铝(Al))
制成,固定卡盘120可以具有与腔室110的形状对应的形状。
[0032]静电卡盘130固定地安装在固定卡盘120的安装沟槽121中。作为示例,静电卡盘130可以由圆形板形成,该圆形板由诸如陶瓷的绝缘材料制成。此外,静电卡盘130可以包括两个聚酰亚胺类膜和位于该两个聚酰亚胺类膜之间的导电薄膜。导电薄膜可以连接到腔室110外部的高电压DC电源(未示出)。当从高电压DC电源向导电薄膜施加预定的电压时,在聚酰亚胺类膜的表面上生成电荷,以生成库仑力来将晶片固定到静电卡盘130的上表面。因此,加载到腔室110中的晶片可以安置在静电卡盘130上。
[0033]边缘环140安装在静电卡盘130上以设置在静电卡盘130的边缘上。作为示例,边缘环140可以具有圆环形状。边缘环140可以由诸如金属的导电材料制成。同时,边缘环140用于通过将源等离子体的活性离子或自由基移动到晶片的外围来改善形成在晶片上的等离子鞘的均匀性。因此,形成在腔室110的内部空间中的源等离子体可以集中地形成在晶片的上区域中。作为又一示例,边缘环140可以由硅(Si)、碳化硅(SiC)、氧化硅(SiO2)和氧化铝(AlO2)中的任何一种制成。
[0034]喷头150设置在边缘环140上方。作为示例,喷头1本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积设备,包括:腔室,所述腔室具有在其中的至少一个第一进气口并且具有内部空间;固定卡盘,其位于所述腔室中;静电卡盘,其位于所述固定卡盘上;边缘环,其位于所述静电卡盘的边缘上;喷头,其位于所述边缘环上方;挡板,其位于所述喷头上方;上电极,其位于所述挡板上方,并且包括在所述上电极中的流动路径;气体引导构件,其位于所述上电极上方,并且将设置在所述上电极中的所述流动路径和所述至少一个第一进气口连接;所述气体引导构件具有空心圆柱形状,所述空心圆柱形状具有通过其中的流动路径孔,并且通过其引入气体的至少两个侧部供应口设置在所述气体引导构件的外侧表面上,所述气体引导构件的内表面包括与所述至少两个侧部供应口和所述气体引导构件的所述流动路径孔连通的多个引导孔,并且其中,引入到所述至少一个第一进气口和所述至少两个侧部供应口中的气体在所述流动路径孔中混合。2.根据权利要求1所述的沉积设备,其中,所述多个引导孔形成一行。3.根据权利要求2所述的沉积设备,其中,所述气体引导构件包括主体和气体引导部分,所述主体具有所述至少两个侧部供应口,所述气体引导部分插入地耦接到所述主体的内部,并且具有所述流动路径孔和所述多个引导孔。4.根据权利要求3所述的沉积设备,其中,所述主体和所述气体引导部分形成流动路径,引入到所述至少两个侧部供应口中的气体通过所述流动路径被排出到所述多个引导孔。5.根据权利要求4所述的沉积设备,其中,所述流动路径具有环形形状,并且具有矩形截面。6.根据权利要求4所述的沉积设备,其中,所述多个引导孔在朝上方向和朝下方向上设置在所述流动路径的中心部分中。7.根据权利要求6所述的沉积设备,其中,所述多个引导孔以相同的间隔周向地隔开。8.根据权利要求7所述的沉积设备,其中,所述多个引导孔在相邻的引导孔之间具有15度的角度。9.根据权利要求8所述的沉积设备,其中,所述多个引导孔具有在1至2mm之间的直径。10.根据权利要求3所述的沉积设备,其中,第一台阶部分设置在所述气体引导部分的外圆周表面的上端部分中,以用于接合到所述主体,并且第二台阶部分设置在所述气体引导部分的所述外圆周表面的下端部分中,以用于接合到所述主体。11.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄炳李尚昱金圣协金建佑崔峻荣郑相勋
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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