复合基板及复合基板的制造方法技术

本发明专利技术提供能够有助于SAW滤波器的高性能化的复合基板。本发明专利技术的实施方式所涉及的复合基板具有：支撑基板、以及在所述支撑基板的单侧所配置的压电层，所述支撑基板的形状的空间频率超过0.045cyc/mm的起伏的振幅为10nm以下。所述压电层的第一地点处的厚度T1与第二地点处的厚度T2之差的绝对值可以为100nm以下。所述压电层的厚度可以为5μm以下。所述压电层的厚度可以为5μm以下。所述压电层的厚度可以为5μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合基板及复合基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及复合基板及复合基板的制造方法。

技术介绍

[0002]移动电话等通信设备中，为了取出任意频率的电信号，例如采用利用了弹性表面波的滤波器(SAW滤波器)。该SAW滤波器具有如下结构，即，在具有压电层的复合基板上形成有电极等(例如参见专利文献1)。
[0003]近年来，信息通信设备的领域中，例如，通信量急剧增加，要求上述SAW滤波器的高性能化。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2020
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150488号公报

技术实现思路

[0007]本专利技术的主要目的在于，提供能够有助于SAW滤波器的高性能化的复合基板。
[0008]本专利技术的实施方式所涉及的复合基板具有：支撑基板、以及在所述支撑基板的单侧所配置的压电层，所述支撑基板的形状的空间频率超过0.045cyc/mm的起伏的振幅为10nm以下。
[0009]1个实施方式中，上述压电层的第一地点处的厚度T1与第二地点处的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种复合基板，其中，具有：支撑基板、以及在所述支撑基板的单侧所配置的压电层，所述支撑基板的形状的空间频率超过0.045cyc/mm的起伏的振幅为10nm以下。2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述压电层的第一地点处的厚度T1与第二地点处的厚度T2之差的绝对值为100nm以下。3.根据权利要求1或2所述的复合基板，其中，所述压电层的厚度为5μm以下。4.一种复合基板的制造方法，其中，包括：在具有彼此对置的第一主面及第二主...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷美典，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：