【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电器件
[0001]本公开涉及压电器件,更特定地,涉及用于降低在压电器件中产生的高阶模式的杂散的技术。
技术介绍
[0002]已知有在压电薄膜上形成了功能元件的压电器件。例如,在国际公开第2015/098678号说明书(专利文献1)公开了在多层膜上形成了梳齿状的IDT(Interdigital Transducer,叉指换能器)电极的弹性波装置,该多层膜在由低声速膜和高声速膜形成的层叠膜上层叠了压电薄膜。
[0003]在国际公开第2015/098678号说明书(专利文献1)公开的弹性波装置中,在支承基板上未形成上述的多层膜的区域形成有绝缘层,在该绝缘层上形成有用于连接IDT电极和外部端子的布线电极。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:国际公开第2015/098678号说明书
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]在如国际公开第2015/098678号说明书(专利文献1)所公开的具有多层膜的弹性波装置(压电器件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电器件,具备:支承基板;中间层,配置在所述支承基板上的第1区域;压电层,配置在所述中间层上;功能元件,形成在所述压电层上;以及绝缘层,在所述支承基板上,配置在与所述第1区域相邻的第2区域,所述第2区域中的所述支承基板的表面粗糙度大于所述第1区域中的所述支承基板的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的压电器件,其中,所述第2区域包含与所述第1区域相邻的第1部分以及比所述第1部分远离所述第1区域的第2部分,所述第1部分中的所述支承基板的表面粗糙度大于所述第2部分中的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:渡边宗久,谷口康政,大门克也,冈田拓郎,
申请(专利权)人:株式会社村田制作所,
类型:发明
国别省市:
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