半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，第一电极被耦合到在衬底上延伸的第一微机电系统器件；第一电极上的第一层；在第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在保护层上的、多孔材料的膜层，膜层对蚀刻化学溶液可渗透；被膜层重叠的腔；第一结构层，第一结构层密封膜层的孔并且与膜层形成第一微机电系统器件的悬置结构，悬置结构是通过腔电容性耦合到第一电极的第二电极；以及第二结构层在第一结构层上，并且第二结构层包括：第二微机电系统器件的可移动结构；以及第一微机电系统器件的第一电极和第二电极的偏置结构。由此，提供了改进的半导体器件。提供了改进的半导体器件。提供了改进的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开涉及一种包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统。特别地，第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器，或惯性传感器的组合，诸如例如加速计和陀螺仪。

技术介绍

[0002]电容压力传感器被提供有能够相对于结构的其余部分移动的悬置区域或膜。特别地，该膜表示可变电极，面对形成固定电极的固定部分，并且通过部分地或完全地掩埋的腔与之分开。惯性传感器与压力传感器使用至少部分地相同的工艺流程同时被制造。
[0003]众所周知，MEMS(微机电系统)型换能器包括用于将环境量(压力、运动、声波等)转换成电量(例如电容变化)的可移动敏感结构。合适的读出电子器件被用于执行该电量的处理操作(包括放大和滤波操作)，以便提供表示所感测的压力值的电输出信号(例如电压)。
[0004]在电容感测原理被使用的情况下，微机电敏感结构通常包括制成为隔膜或膜的可移动电极，该可移动电极被布置为面对固定电极，以提供具有可变电容的感测电容器的板。可移动电极通过其第一部分(其通常为在结构层周边)被锚固到结构层，而其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，所述第一电极被耦合到在所述衬底上延伸的所述第一微机电系统器件；所述第一电极上的第一层；在所述第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在所述保护层上的、多孔材料的膜层，所述膜层对所述蚀刻化学溶液可渗透；被所述膜层重叠的腔；第一结构层，所述第一结构层密封所述膜层的孔并且与所述膜层形成所述第一微机电系统器件的悬置结构，所述悬置结构是通过所述腔电容性耦合到所述第一电极的第二电极；以及第二结构层在所述第一结构层上，并且所述第二结构层包括：所述第二微机电系统器件的可移动结构；以及所述第一微机电系统器件的所述第一电极和所述第二电极的偏置结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述蚀刻化学溶液包括氢氟酸、HF，并且所述保护层包括结晶氧化铝层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述膜层是多孔硅层或具有多个通孔或气孔的硅层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一结构层是导电掺杂多晶硅层。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二结构层是外延多晶硅层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：