具有在硅氮化物底切部上方的梁结构的微机电器件制造技术

在所描述的示例中，一种微机电系统(MEMS)(100)位于衬底(102)上。硅氮化物(SiN)层(104、134)在衬底的一部分上。机械结构(120、132)具有嵌入SiN层中的第一端(125)和从SiN层悬挑出的第二端(124)。的第二端(124)。的第二端(124)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有在硅氮化物底切部上方的梁结构的微机电器件


[0001]本专利技术涉及微机电器件，其包括位于硅氮化物层中的底切部上方的释放机械结构。

技术介绍

[0002]微机电(MEM)继电器可以作为一种用于添加功能并降低各种应用(例如用于物联网(IoT)和可穿戴设备的传感器和消耗性器件)的功耗的器件发挥重要作用。一种类型的MEMS器件是机械继电器。这些器件具备具有非常突然的开关切换和在关断状态期间的零电流泄漏的准理想开关行为的能力。继电器的多端子操作也可以节约能源。例如，参见Martin Riverolo等人于2018年公开的“High Performance Seesaw Torsional CMOS
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MEMS Relay Using Tungsten VIA Layer”。互补金属氧化物半导体(CMOS)平台可用于与经典CMOS器件相结合的此类MEMS继电器的单片制造。
[0003]CMOS MEMS是一种在VIA掩模中使用Al(铝)金属化和钨(W)的化学气相沉积(CVD)来创建MEMS结构的技术。这种方法的一个特点是在金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微机电系统即MEMS，其包括：衬底；在所述衬底的一部分上的硅氮化物层即SiN层；以及机械结构，其具有第一端和第二端，所述第一端嵌入所述SiN层中，并且所述第二端从所述SiN层悬挑出。2.根据权利要求1所述的MEMS，其中所述SiN层具有腔体，并且其中所述第二端悬挑在所述腔体内。3.根据权利要求1所述的MEMS，其中所述SiN层的成分为SiOxNyCz，其中x小于0.1，并且z小于0.3。4.根据权利要求1所述的MEMS，其中所述机械结构是互连金属构件的矩阵，其中间隙空间分布在整个所述互连金属构件的矩阵中。5.根据权利要求4所述的MEMS，其中所述SiN层的一部分在所述间隙空间的一部分内。6.根据权利要求1所述的MEMS，其中所述机械结构具有金属构件。7.根据权利要求6所述的MEMS，其中所述金属构件是钨。8.根据权利要求1所述的MEMS，其中所述机械结构包含选自由以下各项构成的群组的至少一种材料：W、Ti、TiN、SiO2、Al、TiAl、TiN、Al、TiN、TiAl、TiW、SiOxNyCz，其中x>0.1或z>0.2、Ni、Co、NiW、Pt、Ir、IrOx、Ru、RuOx、Au、Ag、Pd、Cu、Ta、TaN、AlN和A12O3。9.根据权利要求1所述的MEMS，其中所述机械结构是第一材料，所述MEMS还包括在所述第一材料的一部分与所述SiN层之间的第二材料层。10.一种集成电路封装件，其包括：包括半导体电路系统的集成电路管芯即IC管芯；以及集成在所述IC管芯内的微机电系统即MEMS，其中所述MEMS包括：衬底；在所述衬底的一部分上的硅氮化物层即SiN层；以及机械结构，其具有第一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：