半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能谋求提高电特性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1字线、第2字线、第1沟道、第1存储器膜、第2沟道、第2存储器膜、第1绝缘层、第1源极线、及第1漏极线。所述第2字线在作为所述衬底的厚度方向的第2方向自所述第1字线离开。所述第1沟道在第3方向与所述第1字线并排。所述第2沟道在所述第3方向与所述第2字线并排。所述第1绝缘层在所述第2方向位于所述第1字线与所述第2字线之间，且在所述第2方向位于所述第1沟道与所述第2沟道之间。所述第1源极线及所述第1漏极线在所述第2方向延伸。1漏极线在所述第2方向延伸。1漏极线在所述第2方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021
‑
121032号(申请日：2021年7月21日)为基础申请 的优先权。本申请通过参考所述基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知一种具有在衬底的厚度方向交替积层绝缘层与字线的积层体、与将所述积层体 在衬底的厚度方向贯通的沟道的半导体存储装置。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的问题是提供一种能够谋求提高电特性的半导体存储装置。
[0006]实施方式的半导体存储装置具备衬底、第1字线、第2字线、第1沟道、第1存储 器膜、第2沟道、第2存储器膜、第1绝缘层、第1源极线、及第1漏极线。
[0007]所述第1字线在沿着所述衬底的表面的第1方向延伸。所述第2字线在作为所述衬 底的厚度方向的第2方向从所述第1字线离开，在所述第1方向延伸。所述第1沟道在 与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向与所述第1字线并排，在所述第1方向 延伸。所述第1存储器膜在所述第3方向位于所述第1字线与所述第1沟道之间，在所 述第1方向延伸。所述第2沟道在所述第3方向与所述第2字线并排，在所述第1方向 延伸。所述第2存储器膜在所述第3方向位于所述第2字线与所述第2沟道之间，在所 述第1方向延伸。所述第1绝缘层在所述第2方向位于所述第1字线与所述第2字线之 间，且在所述第2方向位于所述第1沟道与所述第2沟道之间。所述第1源极线在所述 第3方向相对于所述第1沟道位于与所述第1字线相反侧，在所述第2方向延伸。所述 第1漏极线在所述第1方向从所述第1源极线离开，在所述第3方向相对于所述第1沟 道位于与所述第1字线相反侧，在所述第2方向延伸。
附图说明
[0008]图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的立体剖视图。
[0009]图2是沿着图1中所示的半导体存储装置的F2
‑
F2线的剖视图。
[0010]图3是沿着图1中所示的半导体存储装置的F3
‑
F3线的剖视图。
[0011]图4A是表示第1实施方式的半导体存储装置的等效电路的图。
[0012]图4B是表示第1实施方式的半导体存储装置的变化例的等效电路的图。
[0013]图5A是用以说明第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的立体剖视图。
[0014]图5B是用以说明第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的立体剖视图。
[0015]图5C是用以说明第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的立体剖视图。
[0016]图5D是用以说明第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的立体剖视图。
有省略不与说明关联的绝缘部的图示的情况。另外，在若干个附图中，为了易于观察附 图，只对剖面部分的一部分实施阴影。
[0039]图1是表示半导体存储装置1的立体剖视图。半导体存储装置1是例如非易失性的 半导体存储装置，是NOR(Not OR，或非)型的半导体存储装置。半导体存储装置1例如 具备下部构造体10、积层体20、及上部构造体60。
[0040]<1.1下部构造体>
[0041]下部构造体10例如具有半导体衬底11、挡止层12、及扩散层13。
[0042]半导体衬底11是成为半导体存储装置1的基部的衬底。半导体衬底11的至少一部 分是沿着X方向及Y方向的板状。半导体衬底11具有面向后述的积层体20的表面11a。 半导体衬底11例如由包含硅(Si)的半导体材料形成。半导体衬底11是“衬底”的一例。
[0043]挡止层12设置于半导体衬底11之上。挡止层12是沿着X方向及Y方向的层状。 挡止层12是用以在后述的半导体存储装置1的制造步骤中抑制沟槽MT(参考图5C)的深 挖的层。挡止层12例如由如多晶硅(Poly
‑
Si)的半导体材料形成。
[0044]扩散层13作为挡止层12的上表面部的一部分而设置。扩散层13是沿着X方向及 Y方向的层状。扩散层13是用以确保后述的源极线SL与漏极线DL之间的电耐压性的 层。扩散层13包含与源极线SL及漏极线DL不同的杂质，具有与源极线SL及漏极线 DL不同的导电形。在本实施方式中，源极线SL及漏极线DL包含成为施体的杂质，具 有n形(例如n+形)的导电形。与此相对，扩散层13包含成为受体的杂质，具有p形(例 如p
‑
形)的导电形。虽然受体是例如硼(B)，但是并未限定于此。另外，也可省略挡止层 12，设置扩散层13作为半导体衬底11的上表面部的一部分。在所述情况下，扩散层13 的上表面成为半导体衬底11的表面11a。
[0045]<1.2积层体>
[0046]接下来，对积层体20进行说明。积层体20设置于下部构造体10之上。积层体20 具有多个第1构造部21、与多个第2构造部22。多个第1构造部21与多个第2构造部 22在X方向逐个交替配置。
[0047]<1.2.1第1构造部>
[0048]首先，对第1构造部21进行说明。多个第1构造部21在X方向彼此离开，且彼此 平行地在Y方向延伸。以下，将X方向的位置不同的多个第1构造部21称为多个列S(第 1列S1、第2列S2、第3列S3、...)。
[0049]多个第1构造部21的每一个包含多个功能层30、与多个绝缘层40。多个功能层30 及多个绝缘层40在Z方向逐层交替积层。在图1中虽表示6层功能层30及7层绝缘层 40，但是实际上积层有更多的功能层30及绝缘层40。
[0050]图2是沿着图1中所示的半导体存储装置1的F2
‑
F2线的剖视图。为了方便说明， 图2表示沿着通过后述的多条源极线SL的切断线的剖面。功能层30是沿着X方向及Y 方向的层状。功能层30例如包含：字线WL；第1侧构造体SB1，位于字线WL的
‑
X 方向侧；及第2侧构造体SB2，位于字线WL的+X方向侧。
[0051]字线WL在Y方向以直线状延伸。字线WL是例如在对于后述的存储单元MC的数 据值的写入时或数据值的读取时施加电压的布线。在本实施方式中，多条字线WL以可 分别独立施加电压的方式逐条分离。字线WL例如包含本体部31a、与势垒金属膜31b。 本体部31a设置于势垒金属膜31b的内侧形成字线WL的主部。本体部31a例如由如钨 (W)、或掺杂杂质的多
晶硅(Poly
‑
Si)的导电材料形成。势垒金属膜31b设置于字线WL 的表面。势垒金属膜31b是抑制本体部31a所包含的材料的扩散的膜。势垒金属膜31b 例如由氮化钛(TiN)形成。
[0052]接下来，对第1侧构造体SB1进行说明。第1侧构造体SB1例如包含阻挡绝缘膜 32A、存储器膜33A、隧道绝缘膜34A、及沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其具备：衬底；第1字线，在沿着所述衬底的表面的第1方向延伸；第2字线，在作为所述衬底的厚度方向的第2方向自所述第1字线离开，在所述第1方向延伸；第1沟道，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向与所述第1字线并排，在所述第1方向延伸；第1存储器膜，在所述第3方向位于所述第1字线与所述第1沟道之间，在所述第1方向延伸；第2沟道，在所述第3方向与所述第2字线并排，在所述第1方向延伸；第2存储器膜，在所述第3方向位于所述第2字线与所述第2沟道之间，在所述第1方向延伸；第1绝缘层，在所述第2方向位于所述第1字线与所述第2字线之间，且在所述第2方向位于所述第1沟道与所述第2沟道之间；第1源极线，在所述第3方向相对于所述第1沟道位于与所述第1字线相反侧，在所述第2方向延伸；及第1漏极线，在所述第1方向自所述第1源极线离开，在所述第3方向相对于所述第1沟道位于与所述第1字线相反侧，在所述第2方向延伸。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1源极线在所述第3方向相对于所述第2沟道位于与所述第2字线相反侧，所述第1漏极线在所述第3方向相对于所述第2沟道位于与所述第2字线相反侧。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其进一步具备：第1绝缘体，在所述第1方向位于所述第1源极线与所述第1漏极线之间，在所述第3方向延伸；且所述第1源极线及所述第1漏极线能经由所述第1沟道彼此电连接。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其进一步具备：第3沟道，在所述第3方向自与所述第1沟道相反侧与所述第1字线并排，在所述第1方向延伸；第3存储器膜，在所述第3方向位于所述第1字线与所述第3沟道之间，在所述第1方向延伸；第4沟道，在所述第3方向自与所述第2沟道相反侧与所述第2字线并排，在所述第1方向延伸；第4存储器膜，在所述第3方向位于所述第2字线与所述第4沟道之间，在所述第1方向延伸；第2源极线，在所述第3方向相对于所述第3沟道位于与所述第1字线相反侧，在所述第2方向延伸；及第2漏极线，在所述第1方向自所述第2源极线离开，在所述第3方向相对于所述第3沟道位于与所述第1字线相反侧，在所述第2方向延伸；且所述第1绝缘层在所述第2方向位于所述第3沟道与所述第4沟道之间。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的半导体存储装置，其进一步具备：第3字线，在所述第3...

【专利技术属性】
技术研发人员：永嶋贤史，韩业飞，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：