一种提高倒装LED芯片亮度的方法技术

本发明专利技术涉及LED领域，具体涉及一种提高倒装LED芯片亮度的方法，包括如下步骤：步骤2：将第一二氧化硅层分为保留部和腐蚀部；将光刻胶覆盖在保留部；所得蓝宝石衬底、外延层、第一二氧化硅层和光刻胶的结构为Wafer2；步骤3：使用BOE腐蚀Wafer2，得到Wafer3；在Wafer3表面溅射银镜反射层；步骤5：剥离光刻胶。本发明专利技术的有益效果在于：腐蚀第一二氧化硅层的同时形成了银镜反射层的光刻形貌，在上述光刻形貌上溅射银镜放射层能使后续被保留的银镜反射层边沿贴附保留部。并且减少了光刻银镜反射层的步骤。并且减少了光刻银镜反射层的步骤。并且减少了光刻银镜反射层的步骤。

【技术实现步骤摘要】
一种提高倒装LED芯片亮度的方法


[0001]本专利技术涉及LED领域，具体涉及一种提高倒装LED芯片亮度的方法。

技术介绍

[0002]LED(LightEmittingDiode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。随着经济的不断发展，汽车作为代步工具越加普及到各个家庭。近十多年来，LED作为车灯照明的趋势越加显著，从工艺路线上看，车用照明的LED芯片全部采用倒装芯片结构，主要是由于倒装芯片无需打线，缩小封装模组的体积，同时适合多种材质的封装基板。从客户端使用情况来看，由于汽车需要在夜间行驶，对亮度的要求高，所以对车用LED芯片亮度提升也越发迫切。
[0003]倒装LED芯片中，银镜反射层对倒装LED芯片的亮度具有一定影响。倒装LED芯片中P型半导体层在N层靠近基板的一侧，银镜发射层将原本P型半导体层发出朝向基板的光线反射，使上述光线朝背离基板的方向射出，N层远离基板的方向才是倒装LED芯片发光的正确方向。上述银镜反射层以此提高了倒装LED芯片的亮度。
[0004]但传统的倒装LED芯片生产工艺中，蒸镀形成的银镜反射层面积较小(请参照说明书附图1的银镜反射层4)，造成倒装LED芯片发光量较小的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种提高倒装LED芯片亮度的方法，提高银镜反射层的面积，从而提高发光量。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种提高倒装LED芯片亮度的方法，包括如下步骤：
[0007]步骤1：在蓝宝石衬底上沉积外延层，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1，将第一二氧化硅层覆盖于Wafer1表面；
[0008]步骤2：将第一二氧化硅层分为保留部和腐蚀部；将光刻胶覆盖在保留部；所得蓝宝石衬底、外延层、第一二氧化硅层和光刻胶的结构为Wafer2；
[0009]步骤3：使用BOE腐蚀Wafer2，得到Wafer3；
[0010]步骤4：在Wafer3表面溅射银镜反射层；
[0011]步骤5：剥离光刻胶。
[0012]本专利技术的有益效果在于：先先在Wafer1表面覆盖第一二氧化硅层，腐蚀第一二氧化硅层的同时形成了银镜反射层的光刻形貌，在上述光刻形貌上溅射银镜放射层能使后续被保留的银镜反射层边沿贴附保留部，以此增大了银镜放射层的面积，增加了倒装LED芯片的发光量。并且银镜反射层的光刻形貌是腐蚀第一二氧化硅层自然而然形成的，故而减少了光刻银镜反射层的步骤，提高了倒装LED芯片生产效率。
附图说明
[0013]图1为传统工艺生产的倒装LED芯片结构示意图；
[0014]图2为本实施例提供的提高倒装LED芯片亮度的方法生产的倒装LED芯片的成品结构示意图；
[0015]图3为本实施例提供的提高倒装LED芯片亮度的方法中Wafer1的结构示意图；
[0016]图4为本实施例提供的提高倒装LED芯片亮度的方法中Wafer2的结构示意图；
[0017]图5为本实施例提供的提高倒装LED芯片亮度的方法生产的倒装LED芯片的半成品结构示意图；
[0018]标号说明：
[0019]1、蓝宝石衬底；
[0020]2、外延层；21、N型半导体层；22、量子阱层；23、P型半导体层；24、MESA层；
[0021]3、第一二氧化硅层；31、保留部；32、腐蚀部；
[0022]4、银镜反射层；5、光刻胶；6、ITO层。
具体实施方式
[0023]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0024]请参照图2
‑
5，一种提高倒装LED芯片亮度的方法，包括如下步骤：
[0025]步骤1：在蓝宝石衬底1上沉积外延层2，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1，将第一二氧化硅层3覆盖于Wafer1表面；
[0026]步骤2：将第一二氧化硅层3分为保留部31和腐蚀部32；将光刻胶5覆盖在保留部31；所得蓝宝石衬底、外延层、第一二氧化硅层和光刻胶的结构为Wafer2；
[0027]步骤3：使用BOE腐蚀Wafer2，得到Wafer3；
[0028]步骤4：在Wafer3表面溅射银镜反射层4(此时的结构请参考说明书附图5)；
[0029]步骤5：剥离光刻胶5。
[0030]传统的形成银镜反射层4的工艺为(请参照说明书附图1)：在Wafer1表面形成银镜反射层4的光刻形貌，溅射银镜反射层4，再覆盖第一二氧化硅层3，但这种工艺使银镜反射层4边沿到后续被保留的第一二氧化硅层3(也就是保留部31)通常有2
‑
6um的距离；故而银镜反射层4面积较小造成倒装LED芯片发光效率较低的问题。
[0031]相比于传统工艺，本专利技术的有益效果在于：先在Wafer1表面覆盖第一二氧化硅层3，腐蚀第一二氧化硅层3的同时形成了银镜反射层4的光刻形貌，在上述光刻形貌上溅射银镜放射层能使后续被保留的银镜反射层4边沿贴附保留部31，以此增大了银镜放射层的面积，增加了倒装LED芯片的发光量。并且银镜反射层4的光刻形貌是腐蚀第一二氧化硅层3自然而然形成的，故而减少了光刻银镜反射层4的步骤，提高了倒装LED芯片生产效率。
[0032]进一步地，步骤1的“在蓝宝石衬底1上沉积外延层，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1”具体为：
[0033]在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1。
[0034]由上描述可知，提供一种形成Wafer1的方法。
[0035]进一步地，步骤1的“在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1”具体为：
[0036]在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，光刻N型半导体层和量子阱层的边沿使N型半导体层裸露，P型半导体层和量子阱层被光刻后的竖直切面形成MESA层，蓝宝石衬底和被光刻后的外延层为Wafer1。
[0037]由上描述可知，光刻P型半导体层23和量子阱层22使N型半导体层21上有空间电连接外部电源；MESA层24是正负极交界，为了避免外延层2短路，故而需要覆盖二氧化硅作做绝缘保护。
[0038]进一步地，步骤2的“将第一二氧化硅层3分为保留部31和腐蚀部32”具体为：
[0039]将第一二氧化硅层3分为W本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高倒装LED芯片亮度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底1上沉积外延层，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1，将第一二氧化硅层覆盖于Wafer1表面；步骤2：将第一二氧化硅层分为保留部和腐蚀部；将光刻胶覆盖在保留部；所得蓝宝石衬底、外延层、第一二氧化硅层和光刻胶的结构为Wafer2；步骤3：使用BOE腐蚀Wafer2，得到Wafer3；步骤4：在Wafer3表面溅射银镜反射层；步骤5：剥离光刻胶。2.根据权利要求1所述的提高倒装LED芯片亮度的方法，其特征在于，步骤1的“在蓝宝石衬底1上沉积外延层，所述外延层为层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1”具体为：在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1。3.根据权利要求2所述的提高倒装LED芯片亮度的方法，其特征在于，步骤1的“在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，所得蓝宝石衬底和外延层的结构为Wafer1”具体为：在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气象沉积法依次沉积N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，光刻N型半导体层和量子阱层的边沿使N型半导体层裸露，P型半导体层和量子阱层被光刻后的竖直切面形成MESA层，蓝宝石衬底和被光刻后的外延层为Wafer1。4.根据权利要求3所述的提高倒装LED芯片亮度的方法，其特征在于，步骤2的“将第一二氧化硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，郑高林，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：