一种基于电源管理的芯片测试系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种基于电源管理的芯片测试系统及方法，涉及芯片测试技术领域。本系统包括数据采集模块、预测模型构建分析模块、判断模型构建分析模块、预警模块和电源管理模块；所述数据采集模块的输出端与所述预测模型构建分析模块的输入端相连接；所述预测模型构建分析模块的输出端与所述判断模型构建分析模块的输入端相连接；所述判断模型构建分析模块的输出端与所述预警模块的输入端相连接；所述预警模块的输出端与所述电源管理模块的输入端相连接。本发明专利技术还提供了一种基于电源管理的芯片测试方法，用以具体分析。本发明专利技术能够通过构建判断模型对出错的封装环节进行判断，快速地找出出错的封装环节，提高封装测试的效率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电源管理的芯片测试系统及方法


[0001]本专利技术涉及芯片测试
，具体为一种基于电源管理的芯片测试系统及方法。

技术介绍

[0002]集成电路芯片的测试类型包括：晶圆测试、芯片测试和封装测试。首先，晶圆测试是在晶圆从晶圆厂生产出来后，切割减薄之前的测试，其设备通常是测试厂商自行开发制造或定制的，一般是将晶圆放在测试平台上，用探针探到芯片中事先确定的测试点，探针上可以通过直流电流和交流信号，可以对其进行各种电气参数测试。其次，芯片测试是在晶圆经过切割、减薄工序，成为一片片独立的芯片之后的测试，其设备通常是测试厂商自行开发制造或定制的，一般是将晶圆放在测试平台上，用探针探到芯片中事先确定的测试点，探针上可以通过直流电流和交流信号，可以对其进行各种电气参数测试，芯片测试和晶圆测试设备主要的区别是因为被测目标形状大小不同因而夹具不同。最后，封装测试是在芯片封装成成品之后进行的测试，由于芯片已经封装，所以不再需要无尘室环境，测试要求的条件大大降低，通常包含测试各种电子或光学参数的传感器，但通常不使用探针探入芯片内部(多数芯片封装后也无法探入)，而是直接从管脚连线进行测试，由于封装测试无法使用探针测试芯片内部，因此其测试范围受到限制，有很多指标无法在这一环节进行测试。
[0003]其中，在封装测试过程中有时可能会出现批量芯片不良数据，而不能快速的判断出错的芯片封装环节，会造成人力、物力的极大浪费，降低了芯片生产测试的质量和效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种基于电源管理的芯片测试系统及方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种基于电源管理的芯片测试系统，所述系统包括数据采集模块、预测模型构建分析模块、判断模型构建分析模块、预警模块和电源管理模块；
[0007]所述数据采集模块用于获取封装测试不良率的历史数据和获取封装测试实际的不良率数据；所述预测模型构建分析模块用于根据数据采集模块获取的封装测试不良率的历史数据构建下一周期封装测试不良率的预测模型，预测下一周期封装测试的不良率预测值；所述判断模型构建分析模块用于基于下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据构建判断模型对出错的封装环节进行判断；所述预警模块用于在封装环节出错时发出预警信号；所述电源管理模块用于为芯片测试系统提供电源，并在接收到预警信号后作出断电处理；
[0008]所述数据采集模块的输出端与所述预测模型构建分析模块的输入端相连接；所述预测模型构建分析模块的输出端与所述判断模型构建分析模块的输入端相连接；所述判断模型构建分析模块的输出端与所述预警模块的输入端相连接；所述预警模块的输出端与所
述电源管理模块的输入端相连接。
[0009]根据上述技术方案，所述数据采集模块包括历史数据采集单元和实际数据采集单元；
[0010]所述历史数据采集单元用于采集封装测试不良率的历史数据；所述实际数据采集单元用于采集封装测试实际的不良率数据；
[0011]所述历史数据采集单元的输出端与所述实际数据采集单元的输入端相连接；所述实际数据采集单元的输出端与所述预测模型构建分析模块的输入端相连接。
[0012]根据上述技术方案，所述预测模型构建分析模块包括模型构建单元和预测分析单元；
[0013]所述模型构建单元用于根据数据采集模块采集的封装测试不良率的历史数据构建下一周期封装测试不良率的预测模型；所述预测分析单元用于获取下一周期封装测试的不良率预测值；
[0014]所述模型构建单元的输出端与所述预测分析单元的输入端相连接；所述预测分析单元的输出端与所述判断模型构建分析模块的输入端相连接。
[0015]根据上述技术方案，所述判断模型构建分析模块包括判断模型构建单元和判断分析单元；
[0016]所述判断模型构建单元用于基于下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据构建判断模型；所述判断分析单元用于对出错的封装环节进行判断；
[0017]所述判断模型构建单元的输出端与所述判断分析单元的输入端相连接；所述判断分析单元的输出端与所述预警模块的输入端相连接。
[0018]根据上述技术方案，所述电源管理模块包括内部供电电源和外部供电电源；
[0019]所述内部供电电源用于为芯片测试系统提供电源；所述外部电路用于在接收到预警信号后作出断电处理；
[0020]所述内部供电电源的输出端与所述外部电源的输入端相连接。
[0021]一种基于电源管理的芯片测试方法，所述方法包括：
[0022]S1:获取封装测试不良率的历史数据，构建封装测试不良率的预测模型，预测下一周期封装测试的不良率预测值；
[0023]S2:获取封装测试实际的不良率数据，设置预测封装测试的不良率数据与封装测试实际的不良率数据的偏差值；
[0024]S3:将下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据进行对比，当下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据的偏差值超过阈值，构建判断模型对出错的封装环节进行判断；
[0025]S4:将判断结果输出到管理员端口，发出预警信号，电源管理模块在接收到预警信号后作出断电处理。
[0026]根据上述技术方案，在步骤S1中，所述封装测试不良率的预测模型包括：
[0027]获取封装测试不良率的初始非负数列x
(0)
，x
(0)
＝(x
(0)
(1),x
(0)
(2),...,x
(0)
(n))，对封装测试不良率的初始非负数列x
(0)
进行一次累加，得到新的生成数列x
(1)
：
[0028]x
(1)
＝(x
(1)
(1),x
(1)
(2),...,x
(1)
(n))
[0029]其中，
[0030]生成数列x
(1)
对应的微分方程为：
[0031][0032]其中，a为发展系数，b为灰作用量；
[0033]记z
(1)
为生成数列x
(1)
的紧邻均值生成数列，即
[0034]z
(1)
＝(z
(1)
(2),z
(1)
(3),...,z
(1)
(n))
[0035]其中，z
(1)
(m)＝0.5z
(1)
(m)+0.5z
(1)
(m
‑
1),m＝2,3,...,n；
[0036]构建封装测试不良率的初始非负数列与紧邻均值生成数列的模型关系为：
[0037]Y＝Bu
[0038]其中，Y为封装测试不良率的初始非负数列矩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于电源管理的芯片测试系统，其特征在于：所述系统包括数据采集模块、预测模型构建分析模块、判断模型构建分析模块、预警模块和电源管理模块；所述数据采集模块用于获取封装测试不良率的历史数据和获取封装测试实际的不良率数据；所述预测模型构建分析模块用于根据数据采集模块获取的封装测试不良率的历史数据构建下一周期封装测试不良率的预测模型，预测下一周期封装测试的不良率预测值；所述判断模型构建分析模块用于基于下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据构建判断模型对出错的封装环节进行判断；所述预警模块用于在封装环节出错时发出预警信号；所述电源管理模块用于为芯片测试系统提供电源，并在接收到预警信号后作出断电处理；所述数据采集模块的输出端与所述预测模型构建分析模块的输入端相连接；所述预测模型构建分析模块的输出端与所述判断模型构建分析模块的输入端相连接；所述判断模型构建分析模块的输出端与所述预警模块的输入端相连接；所述预警模块的输出端与所述电源管理模块的输入端相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于电源管理的芯片测试系统，其特征在于：所述数据采集模块包括历史数据采集单元和实际数据采集单元；所述历史数据采集单元用于采集封装测试不良率的历史数据；所述实际数据采集单元用于采集封装测试实际的不良率数据；所述历史数据采集单元的输出端与所述实际数据采集单元的输入端相连接；所述实际数据采集单元的输出端与所述预测模型构建分析模块的输入端相连接。3.根据权利要求1所述的一种基于电源管理的芯片测试系统，其特征在于：所述预测模型构建分析模块包括模型构建单元和预测分析单元；所述模型构建单元用于根据数据采集模块采集的封装测试不良率的历史数据构建下一周期封装测试不良率的预测模型；所述预测分析单元用于获取下一周期封装测试的不良率预测值；所述模型构建单元的输出端与所述预测分析单元的输入端相连接；所述预测分析单元的输出端与所述判断模型构建分析模块的输入端相连接。4.根据权利要求1所述的一种基于电源管理的芯片测试系统，其特征在于：所述判断模型构建分析模块包括判断模型构建单元和判断分析单元；所述判断模型构建单元用于基于下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据构建判断模型；所述判断分析单元用于对出错的封装环节进行判断；所述判断模型构建单元的输出端与所述判断分析单元的输入端相连接；所述判断分析单元的输出端与所述预警模块的输入端相连接。5.根据权利要求1所述的一种基于电源管理的芯片测试系统，其特征在于：所述电源管理模块包括内部供电电源和外部供电电源；所述内部供电电源用于为芯片测试系统提供电源；所述外部电路用于在接收到预警信号后作出断电处理；所述内部供电电源的输出端与所述外部电源的输入端相连接。6.一种基于电源管理的芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：S1:获取封装测试不良率的历史数据，构建封装测试不良率的预测模型，预测下一周期
封装测试的不良率预测值；S2:获取封装测试实际的不良率数据，设置预测封装测试的不良率数据与封装测试实际的不良率数据的偏差值；S3:将下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据进行对比，当下一周期封装测试的不良率预测值与封装测试实际的不良率数据的偏差值超过阈值，构建判断模型对出错的封装环节进行判断；S4:将判断结果输出到管理员端口，发出预警信号，电源管理模块在接收到预警信号后作出断电处理。7.根据权利要求6所述的一种基于电源管理的芯片测试方法，其特征在于：在步骤S1中，所述封装测试不良率的预测模型包括：获取封装测试不良率的初始非负数列x
(0)
，x
(0)
＝(x
(0)

【专利技术属性】
技术研发人员：王璐，吴俊，朱贤光，
申请(专利权)人：江阴捷芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：