发光装置制造方法及图纸

发光装置包含导电层设置于基板上；第一凸块座及第二凸块座设置于导电层上且彼此分离；第一电极层设置于第一凸块座、导电层及第二凸块座上，第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及第一凸块座及第二凸块座间的第一凹部；第一凸块设置于第一凸块座上及第一凹部中的一部分；第二凸块设置于第二凸块座上及第一凹部中的一部分的一部分；发光单元形成于第一凹部且位于第一凸块及第二凸块间；及凸透镜设置于发光单元上且与发光单元垂直对准，凸透镜具有底面及朝向发光单元的凸面，且底面与凸面间的夹角的范围为20

【技术实现步骤摘要】
发光装置


[0001]本技术是关于一种发光装置，特别是关于一种包含凸块及凸透镜的发光装置。

技术介绍

[0002]有机发光装置已经广泛使用于最高端的电子装置的显示器中。然而，由于现有技术的限制，发光装置的亮度受到限制。因此，对于显示器制造商而言，具有更高亮度的发光装置成为一个努力的目标。

技术实现思路

[0003]一种发光装置包含一基板、一第一导电层设置于该基板上、一第一凸块座设置于该第一导电层上、一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离，及一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部。该发光装置还包含一第一凸块设置于该第一凸块座上及该第一凹部中的至少一部分、一第二凸块设置于该第二凸块座上及该第一凹部中的至少一部分的至少一部分、一发光单元形成于该第一凹部且位于该第一凸块及第二凸块间，及一凸透镜设置于该发光单元上且与该发光单元垂直对准，该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20
°
至50
°
[0004]于某些实施方式中，该发光装置还包含一第三凸块座，设置于该第一导电层上且与该第一凸块座及该第二凸块座彼此分离；及一第二凹部，形成于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。
[0005]于某些实施方式中，其中以俯视观看，该凸透镜与该第一凸块座的至少一部分及该第二凸块座的至少一部份重迭，且与该第二凹部分离。
[0006]于某些实施方式中，该发光装置还包含一覆盖层设置于第一凸块及第二凸块及发光单元上；及一填料层设置于该覆盖层与该凸透镜，其中该凸透镜具有第一折射率，该填料层具有第二折射率，该第一折射率与该第二折射率的差值是小于0.05。
[0007]于某些实施方式中，该覆盖层具有第三折射率，该第二折射率是大于该第一折射率，且该第一折射率是大于等于该第三折射率。
[0008]一种发光装置，包含一像素阵列、一第一凸透镜及一第二凸透镜。该像素阵列包括一第一像素、一第二像素间隔的设置于该第一像素旁边，以及一凹部位于该第一像素及该第二像素间；该第一凸透镜设置于该第一像素上且与该第一像素垂直对准；及该第二凸透镜设置于该第二像素上且与该第一凸透镜分离。该第一像素包括一第一凸块座；一与该第一凸块座分离的一第二凸块座；一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一凸块座的一上表面面及一侧壁的至少一部份；一第二凸块设置于与该第二凸块座上并覆盖该第二凸块座的一上表面及一侧壁的至少一部份，该第一凸块座的该侧壁与该第二凸块座的该侧壁
相对设置；一电极层设置于该第一凸块与该第二凸块间；及一发光单元设置于该第一凸块及第二凸块间的该电极层上。其中该第二像素包括与该第二凸块座分离的一第三凸块座，该凹部是设置于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该凹部并延伸至覆盖该第三凸块座。
[0009]于某些实施方式中，该电极层是延伸至该第一凸块与该第一凸块座的该侧壁间，以及延伸至该第二凸块与该第二凸块座的该侧壁间。
[0010]于某些实施方式中，该发光单元为椭圆形，且该第一凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20
°
至50
°
。
附图说明
[0011]为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本技术时同时参考附件图示及其详细说明。请注意为遵循业界标准做法，各种特征未依照比例绘制。事实上，为了清楚说明，各种特征的尺寸可能刻意放大或缩小。
[0012]图1为根据某些实施方式，一发光装置的俯视图。
[0013]图2为根据某些实施方式，一发光装置的剖面图。
[0014]图3为根据某些实施方式，一发光装置的俯视图。
[0015]图4为根据某些实施方式，一制备发光装置的方法的流程图。
[0016]图5至26的概要图式绘示根据本揭示内容某些实施方式的方法处于不同制造阶段的发光装置。
具体实施方式
[0017]以下揭示内容提供许多不同的实施例或范例，用于实施本技术案的不同特征。组件与配置的特定范例的描述如下，以简化本技术案的揭示内容。当然，这些仅为范例，并非用于限制本技术案。例如，以下描述在第二特征上或上方形成第一特征可包含形成直接接触的第一与第二特征的实施例，亦可包含在该第一与第二特征间形成其他特征的实施例，因而该第一与第二特征并非直接接触。此外，本技术案可在不同范例中重复组件符号与/或字母。此重复是为了简化与清楚的目的，而非支配不同实施例与/或所讨论架构间的关系。
[0018]再者，本技术案可使用空间对应语词，例如「下」、「间」、「低于」、「较低」、「高于」、「较高」等类似语词的简单说明，以描述图式中一组件或特征与另一组件或特征的关系。空间对应语词是用以包括除了图式中描述的位向以外，装置于使用或操作中的不同位向。装置或可被定位(旋转90度或是其他位向)，并且可相应解释本技术案使用的空间对应描述。
[0019]尽管本揭露的广泛范围揭露的数值范围与参数为近似值，但在具体实施例中阐述的数值尽可能地精确。然而，任何数值固有地包含须由个别测试测量中得到的标准偏差所导致的某些误差。再者，如本文该，「约」通常是指给定值或范围的10％、5％、1％、或0.5％以内。或者，用语「约」是指该技艺中具有通常技术者考虑的平均值的可接受的标准误差内。除了在操作/工作范例中，或是除非特别指明，否则本文所揭露例如材料的量、时间期间、温
度、操作条件、量的比例、以及类似者的所有的数值范围、量、值与比例皆应被理解为在所有情况下都被用语「约」修饰。因此，除非有相反的说明，否则本揭露与申请专利范围该的数值参数皆为可视需要而变化的近似值。至少应根据报告的有效数字的数量且应用普通舍入技术来解释每个数值参数。在本文中，范围可表示为自一端点至另一端点，或是在两个端点间。除非特别说明，否则本文所揭露的所有范围包含端点。
[0020]图1为俯视图，例示发光装置100。发光装置100具有像素阵列，像素阵列包括多个像素，每一像素包括一发光单元350。像素阵列可例如但不限于包括第一像素及第二像素间隔的设置于第一像素旁边，每一像素分别包括一发光单元350，凹部361位于第一像素及第二像素间。以俯视观看，发光单元350可以是任何形状，可例如但不限于圆形、椭圆形、多边形等。
[0021]于某些实施方式中，发光装置100包括多个发光单元350以及位于发光单元350上方的覆盖层381、填料层382、氧化硅层383，及第二基板384。对于发光单元350，可设置于复数个凸块340间，例如设置于第一凸块341及第二凸块342间的第一凹部331，第一凹部331提供用于容纳发光单元350阵列的凹部阵列。为使发光装置100具有更佳的亮度，第二凸块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包含：一基板；一第一导电层设置于该基板上；一第一凸块座设置于该第一导电层上；一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离；一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部；一第一凸块设置于该第一凸块座上及该第一凹部中的至少一部分；一第二凸块设置于该第二凸块座上及该第一凹部中的至少一部分的至少一部分；一发光单元形成于该第一凹部且位于该第一凸块及第二凸块间；及一凸透镜设置于该发光单元上且与该发光单元垂直对准，该凸透镜具有一底面及一凸面，该凸面是朝向该发光单元凸起，且该底面与该凸面间具有一夹角，该夹角的范围为20
°
至50
°
。2.如权利要求1所述的发光装置，还包含：一第三凸块座，设置于该第一导电层上且与该第一凸块座及该第二凸块座彼此分离；及一第二凹部，形成于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。3.如权利要求2所述的发光装置，其中以俯视观看，该凸透镜与该第一凸块座的至少一部分及该第二凸块座的至少一部份重迭，且与该第二凹部分离。4.如权利要求1所述的发光装置，还包含：一覆盖层设置于第一凸块及第二凸块及发光单元上；及一填料层设置于该覆盖层与该凸透镜间，其中该凸透镜具有第一折射率，该填料层具有第二折射率，该第二折射率与该第一折射率的差值是小于0.05。5.如权利要求4所述的发光装置，其中该覆盖层具有第三折射率，该第二折射率是大于该第一折射率，且该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：段复元，朱克泰，郑宪鸿，林茂仲，
申请(专利权)人：台州观宇科技有限公司，
类型：新型
国别省市：