显示器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种显示器件及其制备方法，显示器件包括：衬底基板、散射层、阳极层、发光层和阴极层。其中，散射层设于衬底基板上，散射层包括具有多孔结构的材料或散射层的材料选自Fe2O3、ZnO、SiO2和Si3N4中的任意一种；阳极层设于散射层远离衬底基板表面；发光层设于阳极层远离散射层表面；阴极层设于发光层远离阳极层表面。该显示器件通过在衬底基板与阳极层之间设置散射层，该散射层能充分散射顶发射显示器件中发光层向下发射穿透阳极层的光，减少光损耗，减弱顶发射显示器件的微腔效应，消除视角问题。该显示器件能拓展顶发射型显示器件的出光方向，减少顶部界面的光反射作用，提高顶发射显示器件的光取出效率。射显示器件的光取出效率。射显示器件的光取出效率。

【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示器件
，特别涉及一种显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]OLED(Oranic Light
‑
Emitting Diode)即有机发光二极管，按照出光方式主要分为底发射型和顶发射型，目前已经商用的OLED主要采取顶发射的出光方式，因为相对于底发射光取出时会穿过大量的薄膜线路层导致大量的光损耗，顶发射穿透膜层少，光损失小。
[0003]常规的顶发射正置OLED器件会在出光侧设置半透明阴极层，阳极侧设置反射层，发光层向下(向阳极侧)发出的光遇到反射层向出光方向反射。然而，传统的顶发射OLED器件的反射光方向单一，遇到折射率固定的半透明阴极层会产生反射导致光线局限在有机材料中，产生微腔效应导致视角问题并且光取出效率大大降低，大量光在OLED发光层材料内部损耗无法合理应用。因此，如何通过合理的方式应用这一部分光，提高光取出效率，消除微腔效应成为本领域的研发热点。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统的顶发射型显示器件光取出效率低的问题，提供一种显示器件及其制备方法。
[0005]本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：
[0006]本专利技术的一个方面，提供了一种显示器件，包括：
[0007]衬底基板；
[0008]散射层，设于所述衬底基板上，所述散射层包括具有多孔结构的材料；
[0009]阳极层，设于所述散射层远离所述衬底基板的表面；
[0010]发光层，设于所述阳极层远离所述散射层的表面；及
[0011]阴极层，设于所述发光层远离所述阳极层的表面。
[0012]在其中一些实施例中，所述具有多孔结构的材料为纳米棒材料、纳米管材料、纳米线材料、纳米球材料或纳米多面体材料。
[0013]本专利技术的另一方面，还提供了一种显示器件，包括：
[0014]衬底基板；
[0015]散射层，设于所述衬底基板上，所述散射层的材料选自Fe2O3、ZnO、SiO2和Si3N4中的任意一种；
[0016]阳极层，设于所述散射层远离所述衬底基板的表面；
[0017]发光层，设于所述阳极层远离所述散射层的表面；及
[0018]阴极层，设于所述发光层远离所述阳极层的表面。
[0019]在其中一些实施例中，所述散射层为α
‑
Fe2O3纳米材料层。
[0020]在其中一些实施例中，所述散射层的厚度为0.1μm～1μm。
[0021]在其中一些实施例中，所述阳极层包括：
[0022]第一缓冲层，设于所述散射层远离所述衬底基板的表面；
[0023]导电介质层，设于所述第一缓冲层远离所述散射层的表面。
[0024]在其中一些实施例中，所述阳极层还包括：
[0025]第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述导电介质层之间。
[0026]在其中一些实施例中，所述第一缓冲层的材料为Si3N4；所述第二缓冲层的材料选自为SiO2、TiO2或ZnO中的至少一种；所述导电介质层的材料选自IZO、AZO、ITO、ATO或FTO中的至少一种。
[0027]在其中一些实施例中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的厚度均为20nm～30nm。
[0028]在其中一些实施例中，所述导电介质层的厚度为50nm～100nm。
[0029]在其中一些实施例中，所述发光层为有机发光层。
[0030]在其中一些实施例中，所述阴极层的材料选自Ag、Al或Mg/Ag合金中的至少一种；阴极层105的厚度为18nm～20nm。
[0031]本专利技术的另一方面，还提供了一种显示器件的制备方法，包括如下步骤：
[0032]在衬底基板上形成散射层，所述散射层包括具有多孔结构的材料；
[0033]在所述散射层远离所述衬底基板的表面形成阳极层；
[0034]在所述阳极层远离所述散射层的表面形成发光层；及
[0035]在所述发光层远离所述阳极层的表面形成阴极层。
[0036]在其中一些实施例中，所述具有多孔结构的材料为纳米棒材料、纳米管材料、纳米线材料、纳米球材料或纳米多面体材料。
[0037]本专利技术的另一方面，还提供了一种显示器件的制备方法，包括如下步骤：
[0038]在衬底基板上形成散射层，所述散射层的材料选自Fe2O3、ZnO、SiO2和Si3N4中的任意一种；
[0039]在所述散射层远离所述衬底基板的表面形成阳极层；
[0040]在所述阳极层远离所述散射层的表面形成发光层；及
[0041]在所述发光层远离所述阳极层的表面形成阴极层。
[0042]在其中一些实施例中，所述散射层为α
‑
Fe2O3纳米材料涂层；形成所述α
‑
Fe2O3纳米材料涂层包括如下步骤：
[0043]将α
‑
Fe2O3纳米材料分散在溶剂中，将溶液进行压滤，得到旋涂液；
[0044]将所述旋涂液滴加在衬底基板上进行旋涂，然后加热去除溶剂，得到所述α
‑
Fe2O3纳米材料涂层。
[0045]在其中一些实施例中，所述α
‑
Fe2O3纳米材料的制备包括如下步骤：
[0046]将可溶性三价铁盐和碱溶于水中，加入离子液体搅拌混合均匀，然后进行水热反应；
[0047]水热反应结束后，将生成的沉淀依次进行洗涤、干燥及热处理，即得到α
‑
Fe2O3纳米材料。
[0048]在其中一些实施例中，所述可溶性三价铁盐为六水合氯化铁；所述碱为氢氧化钠；所述离子液体为1
‑
丁基
‑3‑
甲基咪唑氯化物。
[0049]在其中一些实施例中，所述在所述散射层远离所述衬底基板的表面形成阳极层包
括如下步骤：
[0050]在所述散射层远离所述衬底基板的表面形成第一缓冲层；
[0051]在所述第一缓冲层远离所述散射层的表面形成导电介质层。
[0052]在其中一些实施例中，所述在所述散射层远离所述衬底基板的表面形成阳极层还包括如下步骤：在所述第一缓冲层与所述导电介质层之间形成第二缓冲层。
[0053]本专利技术的显示器件，通过在衬底基板与阳极层之间设置散射层，该散射层包括多孔结构的材料，形成多孔的散射表面，能够充分散射顶发射显示器件中发光层向下发射穿透阳极层的光，减少光损耗；并且通过散射改变了单一的出光方向，减弱了顶发射型显示器件的微腔效应，消除了视角问题。该显示器件能够拓展顶发射型显示器件的出光方向，减少顶部界面的光反射作用，提高顶发射型显示器件的光取出效率。
附图说明
[0054]图1为本专利技术的显示器件的结构示意图；
[0055]图2为本专利技术实施例1制备的α
‑
Fe2O3纳米棒的SEM(扫描电镜)图；
[0056本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，包括：衬底基板；散射层，设于所述衬底基板上，所述散射层包括具有多孔结构的材料；阳极层，设于所述散射层远离所述衬底基板的表面；发光层，设于所述阳极层远离所述散射层的表面；及阴极层，设于所述发光层远离所述阳极层的表面。2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述具有多孔结构的材料为纳米棒材料、纳米管材料、纳米线材料、纳米球材料或纳米多面体材料。3.一种显示器件，其特征在于，包括：衬底基板；散射层，设于所述衬底基板上，所述散射层的材料选自Fe2O3、ZnO、SiO2和Si3N4中的任意一种；阳极层，设于所述散射层远离所述衬底基板的表面；发光层，设于所述阳极层远离所述散射层的表面；及阴极层，设于所述发光层远离所述阳极层的表面。4.根据权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述散射层为α
‑
Fe2O3纳米材料层。5.根据权利要求1至4任一项所述的显示器件，其特征在于，所述散射层的厚度为0.1μm～1μm。6.根据权利要求1至4任一项所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层包括：第一缓冲层，设于所述散射层远离所述衬底基板的表面；导电介质层，设于所述第一缓冲层远离所述散射层的表面。7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述阳极层还包括：第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述导电介质层之间。8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述第一缓冲层的材料为Si3N4；所述第二缓冲层的材料选自SiO2、TiO2或ZnO中的至少一种；所述导电介质层的材料选自IZO、AZO、ITO、ATO或FTO中的至少一种。9.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的厚度均为20nm～30nm；所述导电介质层的厚度为50nm～100nm。10.根据权利要求1至4任一项所述的显示器件，其特征在于，所述发光层为有机发光层；所述阴极层的材料选自Ag、Al或Mg/Ag合金中的至少一种；所述阴极层的厚度为18nm～20nm。11.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底基板上形成散射层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘帅，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：