点激光位移传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种点激光位移传感器，包括：支架、设置在所述支架中的感光芯片、反射镜面、收光透镜和激光发射器；所述激光发射器发射激光打在物体表面形成漫反射；漫反射的光线到达所述收光透镜，所述收光透镜对所述光线进行收光后到达所述反射镜面，所述反射镜面将所述光线反射至所述感光芯片。因此，光路结构简单、巧妙，无需过多复杂设计，由此，可以降低成本，规避光路本身导致的精度的问题，提高点激光位移传感器的精度。激光位移传感器的精度。激光位移传感器的精度。

【技术实现步骤摘要】
点激光位移传感器


[0001]本技术涉及光学
，特别是涉及一种点激光位移传感器领域。

技术介绍

[0002]激光位移传感器是利用激光技术进行测量的传感器。它由激光器、激光检测器和测量电路组成。激光传感器是新型测量仪表。能够精确非接触测量被测物体的位置、位移等变化。
[0003]常见的激光位移传感器光路结构较复杂，成本较高。因此，如何对其光路进行优化设计，获得小巧精准的激光位移传感器，是一个研究方向。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种点激光位移传感器，实现点激光位移传感器核心光路结构的优化。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种点激光位移传感器，包括：支架、设置在所述支架中的感光芯片、反射镜面、收光透镜和激光发射器；
[0006]所述激光发射器发射激光打在物体表面形成漫反射；漫反射的光线到达所述收光透镜，所述收光透镜对所述光线进行收光后到达所述反射镜面，所述反射镜面将所述光线反射至所述感光芯片。
[0007]进一步的，所述支架包括：第一卡槽、第二卡槽、第三卡槽、第一凹槽、第二凹槽、第一通孔、第二通孔和第三通孔；
[0008]所述激光发射器镶嵌在所述第一卡槽内，保护镜设置在第一凹槽内，收光透镜设置在第二凹槽内，反射镜面设置在第二卡槽内，感光芯片上设置在第三卡槽内；发射光线透过所述第一通孔、第二通孔和所述保护镜并发射；漫反射的光线通过所述收光透镜、所述第三通孔、所述反射镜面到达所述感光芯片。
[0009]进一步的，还包括：壳体、盖体，所述支架设置在所述壳体和所述盖体所限定的空间中。
[0010]进一步的，还包括：滤光玻璃，所述滤光玻璃设置在所述壳体上所述收光透镜之前，对所述光线进行滤波。
[0011]进一步的，所述壳体一侧设有一数码显示模块。
[0012]进一步的，所述感光芯片为CMOS线阵图像传感芯片。
[0013]进一步的，所述激光发射器为标准红点激光发射器。
[0014]相比于现有技术，本技术的点激光位移传感器，包括：支架、设置在所述支架中的感光芯片、反射镜面、收光透镜和激光发射器；所述激光发射器发射激光打在物体表面形成漫反射；漫反射的光线到达所述收光透镜，所述收光透镜对所述光线进行收光后到达所述反射镜面，所述反射镜面将所述光线反射至所述感光芯片。因此，光路结构简单、巧妙，无需过多复杂设计，由此，可以降低成本，规避光路本身导致的精度的问题，提高点激光位
移传感器的精度。
附图说明
[0015]图1为本技术一实施例中点激光位移传感器的内部光路结构示意图一；
[0016]图2为本技术一实施例中点激光位移传感器的内部光路结构示意图二；
[0017]图3为本技术一实施例中点激光位移传感器的支架的结构示意图一；
[0018]图4为本技术一实施例中点激光位移传感器的支架的结构示意图二；
[0019]图5为本技术一实施例中点激光位移传感器的壳体的结构示意图；
[0020]图6为本技术一实施例中点激光位移传感器的可选滤光玻璃的参数曲线集合图；
[0021]图7为本技术一实施例中点激光位移传感器的感光芯片的光谱示意图。
具体实施方式
[0022]下面将结合示意图对本技术的一种点激光位移传感器进行更详细的描述，其中表示了本使用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本使用新型，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。
[0023]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0024]请参考图1
‑
图2所示，所述点激光位移传感器包括：支架10、设置在所述支架10中的感光芯片1、反射镜面2、收光透镜3和激光发射器5；
[0025]所述激光发射器5发射激光打在物体表面形成漫反射；漫反射的光线到达所述收光透镜3，所述收光透镜3对所述光线进行收光后到达所述反射镜面2，所述反射镜面2将所述光线反射至所述感光芯片1。
[0026]由此可见，本技术结构简单，无需过多的光学器件，即可完成从激光发射到接收的过程。
[0027]进一步的，还包括：滤光玻璃4，所述滤光玻璃4设置在壳体20(如图5所示)上所述收光透镜3之前，对所述光线进行滤波。
[0028]在一具体实施例中，所述激光发射器5为标准红点激光发射器，其规格如下表所示：
[0029]项目规格参数产品名称650mm 5mW红光点激光器产品型号AM650D10G3激光波长405nm激光模组输出功率＜5.0mW光斑模式CW连续出光出光孔径φ2.5mm光斑大小@工作距离1.0mm@1m
发散角0.4mrad光学透镜光学玻璃透镜工作电流＜50mA电路Auto power control(APC)恒功率控制驱动电路电流保护静电、浪涌和反极性保护工作温度
‑
10℃to 50℃存储温度
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40℃to 80℃激光模组尺寸φ12x40mm(PCB内置)激光模组外壳材质铜激光模组使用寿命10,000Hrs
[0030]在一个实施例中，对于所述滤光玻璃可以有多种选择，如图6示意了多种参数的滤光玻璃，在实际选型中，例如，可以选择图6中的660nm高峰款式的滤光玻璃。
[0031]所述收光透镜3用于在物体表面的光线经过漫反射被滤光镜片滤波后，散乱的光线经过透镜更为集中的呈现在感光芯片1上。
[0032]在一个实施例中，所述感光芯片1选择为CMOS线阵图像传感芯片，其光谱响应范围如图7所示。
[0033]在本技术实施例中，请参考图3和图4所示，所述支架10包括：第一卡槽105、第二卡槽103、第三卡槽102、第一凹槽107、第二凹槽104、第一通孔106、第二通孔108和第三通孔109；
[0034]所述激光发射器5镶嵌在所述第一卡槽105内，保护镜6设置在第一凹槽107内，收光透镜3设置在第二凹槽104内，反射镜面2设置在第二卡槽103内，感光芯片1上设置在第三卡槽102内；发射光线透过所述第一通孔106、第二通孔108和所述保护镜6并发射；漫反射的光线通过所述收光透镜3、所述第三通孔109、所述反射镜面2到达所述感光芯片1。
[0035]在本实施例中，所述支架的结构设置能够与结构内的各种组件相互匹配，且有利于光线快速通过并能使散乱的光线更为集中地呈现在感光芯片上。
[0036]进一步的，请参考图5所示，还包括：壳体20、盖体30，所述支架10设置在所述壳体20和所述盖体30所限定的空间中。
[0037]由图5可知，在所述壳体20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种点激光位移传感器，其特征在于，包括：支架(10)、设置在所述支架中的感光芯片(1)、反射镜面(2)、收光透镜(3)和激光发射器(5)；所述激光发射器(5)发射激光打在物体表面形成漫反射；漫反射的光线到达所述收光透镜(3)，所述收光透镜(3)对所述光线进行收光后到达所述反射镜面(2)，所述反射镜面(2)将所述光线反射至所述感光芯片(1)。2.如权利要求1所述的点激光位移传感器，其特征在于，支架(10)包括：第一卡槽(105)、第二卡槽(103)、第三卡槽(102)、第一凹槽(107)、第二凹槽(104)、第一通孔(106)、第二通孔(108)和第三通孔(109)；所述激光发射器(5)镶嵌在所述第一卡槽(105)内，保护镜(6)设置在第一凹槽(107)内，收光透镜设置在第二凹槽(104)内，反射镜面设置在第二卡槽(103)内，感光芯片上设置在第三卡槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪文韬，黄保黔，黄在翔，
申请(专利权)人：江苏钜芯集成电路技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：