量子点发光薄膜、量子点发光二极管及制备方法技术

本申请公开了一种量子点发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基板及量子点墨水；将所述量子点墨水设置在所述基板上，以在所述基板上形成量子点墨水液滴；使用电子束和/或离子束照射所述基板上的量子点墨水；干燥所述量子点墨水，得到量子点发光薄膜。本申请的量子点发光薄膜的制备方法通过使量子点墨水中的量子点束缚电荷而带电，带电的量子点之间会产生库伦斥力，干燥时，在库伦斥力的作用下，位于液滴边缘的带电量子点会阻止位于液滴内部的带点量子点向边缘移动，从而抑制“咖啡环”效应，避免“咖啡环”的形成，得到成膜均匀的量子点发光薄膜。另，本申请还公开了一种量子点发光薄膜、量子点发光二极管及所述量子点发光二极管的制备方法。极管的制备方法。极管的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光薄膜、量子点发光二极管及制备方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种量子点发光薄膜的制备方法、由所述制备方法制得的量子点发光薄膜、包括所述量子点发光薄膜的量子点发光二极管、及所述量子点发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]在显示技术中，喷墨印刷工艺能够大幅地提高材料的利用率，降低生产成本，且能实现大尺寸面板的生产，是大尺寸发光器件如OLED、QLED等面板生产工艺的研究热点。
[0003]发光器件的功能层，如量子点发光薄膜，通常是在已进行图案化的电极基板上，通过喷墨打印技术，在基板的像素坑中，打印功能性材料墨水，然后通干燥结晶成膜得到功能层。量子点发光薄膜的成膜质量对量子点发光二极管的性能影响较大。目前，像素坑中的量子点墨水材料一般是通过加热或真空等常规手段干燥结晶得到功能层，但是在“溶质
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溶剂”液滴干燥过程中，液体边缘的溶剂挥发后，溶质快速沉降，溶剂分子的流动性远大于溶质，液滴边缘的溶剂能很快补充，但流动性较差的溶质不能很快补充，从而导致液滴边缘的浓度较低，液滴内部的溶质分子由于张力的作用不断向边缘移动，最终导致溶质都在边缘沉降，而中心无溶质沉降，形成“咖啡环”，而产生“咖啡环”样的成膜不均匀现象，从而影响发光器件的单像素性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种量子点发光薄膜的制备方法，旨在改善量子点层制备过程中成膜不均匀的问题。
[0005]本申请实施例是这样实现的，一种量子点发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：<br/>[0006]提供基板及量子点墨水；
[0007]将所述量子点墨水设置在所述基板上，以在所述基板上形成量子点墨水液滴；
[0008]使用电子束和/或离子束照射所述基板上的量子点墨水；
[0009]干燥所述量子点墨水，得到量子点发光薄膜。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述干燥所述量子点墨水的方法包括：对所述基板施加磁场和/或与基板相交的电场，在磁场和/或电场下干燥所述量子点墨水。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为核壳结构的量子点，所述核壳结构的量子点选自CdS/ZnS、CdSe/ZnSe及CdZnSe/ZnSe/ZnS中的至少一种。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳结构的量子点的壳层带隙SEg及核带隙CEg满足以下条件：
[0013]SEg
‑
CEg≥0.4eV。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳结构的量子点的核带隙CEg的范围为1.8
‑
2.8eV，壳层带隙SEg的范围为2.9
‑
4eV。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳结构的量子点满足以下条件：
[0016]SCB
‑
CCB≥0.4eV，
[0017]其中，SCB为核壳结构的量子点的壳层的导带底能级，CCB为核壳结构的量子点的核的导带底能级；和/或
[0018]CVB
‑
SVB≥0.4eV，
[0019]其中，CVB为核壳结构的量子点的核的价带顶能级，SVB为核壳结构的量子点的壳层的价带顶能级。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子束的能量范围为1
‑
1000eV，所述电子束照射的时间范围为1
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20min；和/或
[0021]所述离子束的能量范围为2
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30eV，所述离子束照射的时间范围为1
‑
20min。
[0022]相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光薄膜，所述量子点发光薄膜由上述量子点发光薄膜的制备方法制得。
[0023]相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管，包括层叠设置的底电极、上述量子点发光薄膜及顶电极。
[0024]相应的，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
[0025]提供基板，所述基板包括衬底及形成在所述衬底上的底电极；
[0026]使用上述量子点发光薄膜的制备方法在所述底电极上形成量子点发光薄膜；
[0027]在所述量子点发光薄膜上形成顶电极。
[0028]本申请具有以下有益效果：
[0029]本申请的量子点发光薄膜的制备方法通过使用电子束和/或离子束照射所述基板上的量子点墨水，使量子点墨水中的量子点束缚电荷而带电，带电的量子点之间会产生库伦斥力，干燥时，在库伦斥力的作用下，位于液滴边缘的带电量子点会阻止位于液滴内部的带点量子点向边缘移动，从而抑制“咖啡环”效应，避免“咖啡环”的形成，得到成膜均匀的量子点发光薄膜。
[0030]进一步的，在磁场下干燥所述带电的量子点墨水，在带电的量子点向液滴边缘移动时，带电的量子点会受到垂直于运动方向的洛伦兹力，从而破坏液滴内原本的张力系统，进而减弱量子点向液滴边缘移动的趋势，从而抑制液滴的“咖啡环”效应。
[0031]此外，在电场下干燥所述带电的量子点墨水，使带电量子点在电场力的作用下分布于液滴底部，在液滴上表面形成了一个低量子点浓度区域，破坏了液滴原有的边缘低量子点浓度的分布体系，改变了量子点受张力作用下的运动趋势，可以有效的抑制“咖啡环”效应。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本申请实施例提供的量子点发光薄膜的制备流程图；
[0034]图2是在基板上形成量子点墨水液滴的示意图；
[0035]图3是未施加磁场时量子点墨水液滴中的带负电的量子点受力及运动轨迹的示意
图；
[0036]图4是施加垂直于基板且由量子点指向基板的方向的磁场后量子点墨水液滴中的带负电的量子点受力及运动轨迹的示意图；
[0037]图5是未施加电场时量子点墨水液滴中的带负电的量子点受力及浓度分布的示意图；
[0038]图6是施加垂直于基板且由基板指向量子点墨水液滴方向的电场后量子点墨水液滴中的带负电的量子点受力及浓度分布的示意图；
[0039]图7是施加垂直于基板且由量子点指向基板的方向的磁场及垂直于基板且由基板指向量子点墨水液滴方向的电场后的量子点墨水液滴中的带负电的量子点的受力及运动轨迹的示意图；
[0040]图8是本申请实施例的量子点发光二极管的示意图；
[0041]图9是本申请又一实施例的量子点发光二极管的示意图；
[0042]图10是本申请实施例的量子点发光二极管的制备流程图；
[0043]图11
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16是本申请实施例1
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6的量子点发光二极管的E本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板及量子点墨水；将所述量子点墨水设置在所述基板上，以在所述基板上形成量子点墨水液滴；使用电子束和/或离子束照射所述基板上的量子点墨水；干燥所述量子点墨水，得到量子点发光薄膜。2.如权利要求1所述的量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述干燥所述量子点墨水的方法包括：对所述基板施加磁场和/或与基板相交的电场，在磁场和/或电场下干燥所述量子点墨水。3.如权利要求1所述的量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述量子点为核壳结构的量子点，所述核壳结构的量子点选自CdS/ZnS、CdSe/ZnSe及CdZnSe/ZnSe/ZnS中的至少一种。4.如权利要求3所述的量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述核壳结构的量子点的壳层带隙SEg及核带隙CEg满足以下条件：SEg
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CEg≥0.4eV。5.如权利要求3或4所述的量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述核壳结构的量子点的核带隙CEg的范围为1.8
‑
2.8eV，壳层带隙SEg的范围为2.9
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4eV。6.如权利要求3所述的量子点发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述核壳结构的量子点满足以下条件：SCB
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CCB≥...

【专利技术属性】
技术研发人员：王天锋，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：